노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의 환경제어방법(EXPOSURE SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD OF ENVIRONMENTAL CONTROL OF EXPOSURE SYSTEM)

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노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의 환경제어방법(EXPOSURE SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD OF ENVIRONMENTAL CONTROL OF EXPOSURE SYSTEM)

갈때까지가는거야 2018. 2. 9. 19:41

공개특허 특2002-0036952

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 공개특허공보(A)
(51) 。Int. Cl.7
G03F 7/20
(11) 공개번호
(43) 공개일자
특2002-0036952
2002년05월17일
(21) 출원번호 10-2001-7015161
(22) 출원일자 2001년11월27일
번역문 제출일자 2001년11월27일
(86)국제출원번호 PCT/JP2000/03267 (87) 국제공개번호 WO 2000/74118
(86)국제출원출원일자 2000년05월22일 (87) 국제공개일자 2000년12월07일
(81) 지정국 국내특허 : 아랍에미리트, 알바니아, 오스트레일리아, 보스니아-헤르체고비나, 바베이도스,
불가리아, 브라질, 캐나다, 중국, 코스타리카, 쿠바, 체코, 도미니카연방, 알제리, 에스토니
아, 그레나다, 그루지야, 크로아티아, 헝가리, 인도네시아, 이스라엘, 인도, 아이슬란드, 일
본, 북한, 대한민국, 세인트루시아, 스리랑카, 라이베리아, 리투아니아, 라트비아, 모로코,
마다가스카르, 마케도니아, 몽고, 멕시코, 노르웨이, 뉴질랜드, 폴란드, 루마니아, 싱가포르,
슬로베니아, 슬로바키아, 터어키, 트리니다드토바고, 우크라이나, 미국, 우즈베키스탄, 베트
남, 유고슬라비아, 남아프리카,
AP ARIPO특허: 가나, 감비아, 케냐, 레소토, 말라위, 모잠비크, 수단, 시에라리온, 스와질
랜드, 탄자니아, 우간다, 짐바브웨,
EA 유라시아특허: 아르메니아, 아제르바이잔, 벨라루스, 키르기즈, 카자흐스탄, 몰도바, 러
시아, 타지키스탄, 투르크메니스탄,
EP 유럽특허: 오스트리아, 벨기에, 스위스, 사이프러스, 독일, 덴마크, 스페인, 핀랜드, 프
랑스, 영국, 그리스, 아일랜드, 이탈리아, 룩셈부르크, 모나코, 네덜란드, 포르투칼, 스웨덴,
OA OAPI특허: 부르키나파소, 베넹, 중앙아프리카, 콩고, 코트디브와르, 카메룬, 가봉, 기
네, 말리, 모리타니, 니제르, 세네갈, 차드, 기네비쏘, 토고,
(30) 우선권주장 JP-P-1999-0014
7543
JP-P-2000-0004
8670
1999년05월27일
2000년02월25일
일본(JP)
일본(JP)
(71) 출원인 가부시키가이샤 니콘
시마무라 테루오
일본 도꾜도 지요다꾸 마루노우찌 3쵸메 2방 3고
(72) 발명자 나가하시요시또모
일본도꾜도지요다꾸마루노우찌3쵸메2방3고가부시키가이샤니콘나이
가미야사부로
일본도꾜도지요다꾸마루노우찌3쵸메2방3고가부시키가이샤니콘나이
가쯔라고이찌
일본도꾜도지요다꾸마루노우찌3쵸메2방3고가부시키가이샤니콘나이
(74) 대리인 특허법인코리아나
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공개특허 특2002-0036952

심사청구 : 없음
(54) 노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의환경제어방법
요약

기계실 (14) 내에 배치된 공조장치 (52, 56, 58) 에 의해 급기경로 (26, 24) 를 통하여 공조용 기체가 노광실 (16)
내에 공급되어, 이 노광장치 내의 공조가 실시된다. 그리고, 공조를 실시한 공조용 기체가 배기경로를 통하여 기계실로
되돌아간다. 노광실로부터 기계실로 되돌아가는 배기경로의 일부에 케미컬 필터 (CF1) 가 설치되어 있다. 이 필터 (C
F1) 에 의해, 노광실로부터 기계실로 되돌아가는 공조용 기체에 포함되는, 노광장치 본체 (22) 에서 발생한 탈가스 등
에 기인하는 오염물질이 거의 확실하게 제거된다. 이 때문에 노광실 내를 케미컬 클린한 상태로 유지할 수 있다. 따라서,
고정밀도의 노광량 제어, 나아가서 고정밀도의 노광을 장기간에 걸쳐 실시할 수 있음과 동시에, 높은 스루풋을 장기간
에 걸쳐 유지할 수 있다.

대표도
도 1
색인어
공조장치
명세서
기술분야
본 발명은 노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의 환경제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체소
자, 액정표시소자 등을 제조할 때에 리소그래피 공정에서 사용되는 노광장치 및 이 노광장치를 사용하여 노광을 실시하
는 디바이스 제조방법, 그리고 상기 노광장치에서의 노광실 내의 환경조건을 거의 일정하게 유지하기 위한 환경제어방
법에 관한 것이다.
배경기술

반도체 노광장치 등과 같은 미세 가공을 실시하는 장치에서는 극히 고정밀도로 온도를 조절할 필요가 있기 때문에, 이
온도 조절을 위해서 공조부가 설치되어 있다. 이 경우, 예를 들면 설정온도에 대하여 ±0.1 ℃ 의 범위라는 극히 엄격한
온도 조절의 실시 필요성에서 공조계는 순환계로 할 필요가 있다. 이렇게 공기를 순환시키기 위해서는 송풍기가 필요하
다. 노광장치에서는 진동 등의 문제로 인해, 통상적으로 송풍기를 포함하는 공조장치가 수납된 기계실은 노광장치 본체
가 수납된 본체 챔버로부터 독립시킨다.

LSI 등의 전자 디바이스를 제조하는 노광장치에 있어서는 장치 내부의 청정도를 유지할 필요성으로부터, 레티클, 투영
렌즈 등으로 이루어지는 노광장치 본체가 수납된 본체 챔버 내부의 압력은 당해 본체 챔버 밖보다 항상 양압으로 되도
록 하는 경우가 많다. 이 본체 챔버 안팎의 압력차에 의해 본체 챔버 내의 공기가 외부로 누출되고, 이 누출분을 외부로
부터 공급할 필요성이 생긴다. 이 때문에, 본체 챔버에 대한 공기의 공급경로 (급기경로) 의 일부에는 OA (Outside A
ir inlet) 구(口)라고 불리는 외기 도입구가 설치되고, 통상 이 OA 구를 통하여 외기의 도입이 자연흡기로 이루어지도
록 되어 있다.
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공개특허 특2002-0036952

한편, 본체 챔버로부터의 복귀 공기는 외부로부터의 공급 공기와 하나로 되어 기계실 내의 공조장치에 들어간다. 공조
장치에 들어간 공기는 우선 쿨러에 의해 냉각된다. 이 때 외기도입에 의해 외부로부터 초래된 여분의 수분이 쿨러의 방
열핀에서 결로(結露)되어 제거된다. 그 후, 이 여분의 수분이 제거된 공기는 히터에서 원하는 온도까지 승온되고, 송풍
팬에 의해 본체 챔버 내에 보내진다.

그런데, 최근들어 클린룸 분위기 중의 미량 가스가 축소투영형 노광장치 등의 반도체 제조장치에 대하여 악영향을 가져
오는 사실이 알려졌다. 이를 구체적으로 설명하면, KrF 엑시머레이저 또는 ArF 엑시머레이저 등의 엑시머레이저를 그
의 광원으로 사용한 엑시머레이저 노광장치, X 선 노광장치 또는 전자빔 노광장치 등에서는, 각 광원의 휘도 부족에 레
지스트의 고감도로서 대응하고자 하는 관점에서 고감도의 화학증폭형 레지스트 (chemically amplified resist) 가 사
용된다. 이 화학증폭형 레지스트를 사용한 경우, 레지스트 중의 감광제로서 산(酸)발생제를 포함하여 노광에서 발생한
산에 의해, 계속되는 열처리 (PEB) 에서 촉매 반응이 유기되고 현상액에 대하여 불용화 (네거티브형) 또는 가용화 (포
지티브형) 가 촉진된다. 그러나, 예를 들면 포지티브형 레지스트의 경우, 분위기 중의 ppb 레벨의 미량의 염기성 가스
가 당해 포지티브형 화학증폭형 레지스트의 표면에 발생한 산촉매를 중화하여 표면 불용화층을 형성하는 경우가 있다.
이와 같은 경우, 노광하여 현상한 후 직사각형으로 될 레지스트 단면이 T 셰이프로 불리는, T 자형을 닮은 차양을 형성
하는 현상이 발생하게 된다. 이러한 표면 불용화층이 형성된 경우에는, 그대로 노광을 실시한 것으로는, 고감도 레지스
트인 화학증폭형 레지스트를 사용한 의미가 없기 때문에 오버코트 등을 실시할 필요가 있어, 이것으로 인해 스루풋이
저하되게 된다.

또, 노광광의 단파장화, 고조도화에 동반하여 조명계를 구성하는 광학부재의 표면에 분위기 중의 미량 가스가 흐림 물
질로서 석출되는 현상도 발생되고 있다. 이러한 현상은 분위기 중의 미량 가스와 노광광 사이의 광화학 반응에 의해 발
생하는 것이다. 반응물질로서는, 공기 중의 암모니아 가스나 황산화물, 유기규소 화합물 등을 들 수 있다. 조명계를 구
성하는 광학부재의 흐림 발생의 결과로서 조도저하가 현저해져, 스루풋이 저감된다.
이 때문에, 이들 클린룸 분위기 중의 미량의 불순물 가스를 제거하는 것으로, 일본 공개특허공보 평 6-77114 호 및 대
응하는 미국특허 제 5,430,303 호에 기재된 발명 등이 제안되어 있다.
그런데, 종래의 노광장치에서는 노광장치 본체와 웨이퍼 등의 감광기판을 반송하는 기판 반송계 내지 마스크 반송계를
하나의 환경제어 챔버 내에 수납하는 방식과, 노광장치 본체와 기판 반송계 내지 마스크 반송계를 별도의 환경제어 챔
버 내에 수납하는 방식이 알려져 있다.
어느 방식의 경우에서도, 노광장치 본체가 수납된 노광실 내부를 기판 반송계 내지 마스크 반송계가 설치된 측면과는
다른 측면 방향에서 수평 방향으로 송풍 (사이드 플로우) 하거나, 노광실 내의 천정측에서 회전광학계측을 향하여 수직
방향 하향으로 송풍 (다운 플로우) 하는 두가지 중 임의의 수법이 채용되고 있다.
확실히, 상기 공보에 기재된 발명에 의하면, 클린룸 분위기 중의 미량의 불순물 가스를 어느 정도 제거할 수 있어, 광학
재료의 흐림에 의한 조도 저하나 화학증폭형 레지스트의 표면 불용화 현상의 발생을 억제할 수 있다.
그러나, 최근에는 반도체소자의 미세화에 동반하여 종래에는 문제가 되지 않았던 노광장치에서 사용되는 접착제, 실링
제, 도료나 각 구성부재 자체로부터의 탈(脫)가스를 무시할 수 없게 되어, 노광장치 본체 자체를 오염원이라고 말할 수
있다. 이들 탈가스의 영향을 없애기 위해 노광장치의 내부는 케미컬적으로도 클린함이 요청되어, 상기 공보에 기재된
발명과 마찬가지로 노광장치 내에 화학물질 제거용 케미컬 필터를 설치하는 것이 지금은 상식으로 되어 있다.

그러나, 상기 공보에 기재된 발명과 마찬가지로 종래의 노광장치에서는, 외기 도입구나 본체 챔버의 내부공간에 대한
공기의 공급로측에만 불순물 제거용 필터가 설치되어 있기 때문에, 노광장치 본체의 공조를 실시하여 그 노광장치 본체
로부터 발생하는 탈가스를 포함하는 화학적으로 오염된 공기가 그대로 공조기 (공조장치) 측으로 되돌아가고, 그 공조
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공개특허 특2002-0036952

기의 송풍팬에 의해 공기의 공급로측에 설치된 케미컬 필터로 보내어진다. 이 때문에, 그 공급로측의 케미컬 필터의 수
명이 현저하게 짧아져 케미컬 필터를 빈번하게 교환하지 않으면 안된다. 또, 종래의 노광장치의 설계에서는, 장치의 수
명이 있는 동안은 케미컬 필터의 교환이 불필요하다는 것을 전제로 하고 있었다. 즉 케미컬 필터 자체의 교환은 고려되
지 않았었다. 이 때문에 외기 도입구 이외의 케미컬 필터는 통상적으로 교환이 어려운 장소에 설치되어 있으며, 이 때문
에 교환에 장시간을 요한다. 또, 이 케미컬 필터의 교환을 위해 장시간에 걸쳐 챔버의 도어를 개방하지 않을 수 없어, 장
치밖의 클린룸 내의 화학적으로 클린하지 않은 공기가 장치 내로 혼입되어 내부공간의 클린도를 높게 유지하기가 어려
워진다.

또, 종래의 노광장치에서는, 온도 조절상, 드레인의 배관이 필수불가결하며, 이 드레인 배관에 의해 장치의 공조부가 외
부에 개방되어 있다. 또, 장치의 구성상 히터나 쿨러는 송풍팬의 바로 앞에 놓여지는 경우가 많고, 송풍팬의 특성상 드
레인팬 부분에서는 외기에 대하여 음압 (-3 hPa 정도) 으로 되어 있다. 이 때문에 이하의 a. ∼ d. 와 같은 각종 바람
직하지 않은 현상이 발생할 우려가 있었다.
a. 드레인 배관은 반도체 제조공장 내의 다른 디바이스 기기와 최종적으로 결합되어 있으며, 드레인팬 부분에서는 외기
에 대하여 음압으로 되어 있다. 이 때문에 드레인팬에 물이 고여 있지 않을 때에는 다른 제조장치에서 유래된 불순물 가
스가 드레인 배관에 의해 장치 내에 유입될 가능성이 있다.

b. 다른 제조장치에서 실시되는 알칼리 처리나 산성 처리 등의 화학적 공정에 의해 각 장치 분위기 내에 발생한 화학물
질이 각 장치의 온조(溫調) 배수(排水)에 녹아드는 것이 미시적 레벨에서 발생하고 있다. 이들 화학물질이 드레인 배관
을 통하여 노광장치 내에 ppb 레벨에서 유입될 가능성이 상당히 크다. 배관계 내를 흐르는 배수가 특히 고농도의 화학
물질을 포함하는 배수가 아닌 한, 특별히 화학적인 장치오염에 대한 배려가 이루어져 있지 않은 경우가 많다. 또, 온조
배수의 배관계는 장치 밖의 클린룸 분위기와 연결되어 있는 경우도 있을 수 있다.

c. 드레인팬에는 장치의 설치조건에 따라서는 항상 쿨러에서의 결로수가 고여 있는 경우가 있으며, 이 경우에는 공장배
관에서 직접 외기가 장치 내로 혼입되는 경우는 없지만 고여 있는 결로수를 개재하여 간접적으로 혼입될 가능성은 있어,
어느 쪽이든 바람직하지 않다.
d. 공장배관의 영향이 작은 경우에도, 드레인팬에 결로수가 고여 있는 경우 음압의 영향으로 장시간 흘러나오는 일이
없기 때문에, 순환하고 있는 공기 중의 미량 가스가 용해되고 농축된 후 미생물 등이 번식하거나 하여 노광장치에 악영
향을 가져오는 가스의 2차 공급원이 될 가능성이 있다.

그런데 노광실 내의 공조방식으로, 예를 들면 전술한 종래의 사이드 플로우 방식을 채용하는 노광장치의 경우, 노광실
의 좌우 전후의 4면 중 기판 반송계 내지 마스크 반송계가 설치되는 측의 측면, 노광실 내에 공조용 기체를 보내기 위한
분출구 (송풍구) 가 설치되는 측면, 또 경우에 따라서는 이들에 부가하여 공조기가 설치되는 기계실이 배치되는 측면의
2면 또는 3면이 필연적으로 막혀진다. 이 경우, 노광장치 본체에 대한 메인터넌스를 소정의 2방향 중 어느 한쪽 또는
소정의 일 방향밖에 실시할 수 없어, 노광장치가 설치되는 클린룸 내의 빈 스페이스의 상황에 따라서는 메인터넌스 작
업에 곤란을 동반한다.

이에 대하여 전술한 종래의 다운 플로우 방식을 채용하는 노광장치의 경우, 기판 반송계 내지 마스크 반송계가 설치되
는 측의 측면 이외의 측면, 또는 이 측면과 기계실이 배치되는 측의 면 이외의 3면 또는 2면측에서 노광장치 본체에 대
한 메인터넌스 작업을 실시할 수 있다. 그러나, 이 방식의 노광장치에서는, 노광실의 천정부분에 제진용 필터 (에어필터)
나 케미컬 필터 및 제진용 필터의 플레넘 덕트 (plenum duct) 를 설치할 필요가 있다. 이 때문에 노광장치의 전체 높
이가 높아져, 노광장치가 설치되는 고가의 클린룸 (공장) 의 천정 높이를 높게 하지 않을 수 없어 설비 비용의 상승을
초래한다.
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공개특허 특2002-0036952

이상과 같은 배경하에서, 장치 내 분위기의 케미컬 클린도의 유지능력, 처리 능력 및 설비비용 등의 면에서 마이크로 디
바이스의 생산성 향상에 기여하는 새로운 노광장치의 출현이 기대되고 있다.
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 마이크로 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있는 노광장치 및
디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의 환경제어방법을 제공하는 것이다.
발명의 개시
본 발명은, 제 1 관점에서는, 소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되고, 그 내부의 환경조
건이 거의 일정하게 유지되는 노광실과, 상기 노광실 내의 공조를 실시하는 공조장치가 수납된 기계실과, 상기 기계실
에서 상기 노광실 내로 공급되는 공조용 기체의 급기경로와, 상기 노광실에서 상기 기계실로 되돌아가는 상기 공조용
기체 중의 화학적 불순물을 제거하는 화학물질 제거필터를 그 일부에 갖는 배기경로를 구비하는 제 1 노광장치이다.

이것에 의하면, 기계실 내에 배치된 공조장치에 의해 급기경로를 통하여 공조용 기체가 노광실 내로 공급되고, 이 노광
실 내의 공조가 실시된다. 그리고, 공조를 실시한 공조용 기체가 배기경로를 통하여 기계실로 되돌아간다. 이 경우, 노
광실에서 기계실로 되돌아가는 공조용 기체의 배기경로의 일부에 화학물질 제거필터가 설치되어 있기 때문에, 노광실에
서 기계실로 되돌아가는 공조용 기체에 포함되는, 노광장치 본체에서 발생한 탈가스 등에 기인하는 오염물질이 화학물
질 제거필터에 의해 거의 확실하게 제거된다. 이 때문에, 노광실 내를 화학적으로 청정도가 높은 상태 (케미컬 클린한
상태) 로 유지할 수 있어, 이것으로 인해 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 장기간에 걸쳐 효과적
으로 억제할 수 있게 된다. 따라서, 고정밀도의 노광량 제어, 나아가 고정밀도의 노광을 장기에 걸쳐 실시할 수 있음과
동시에 광량 저하에 의한 노광시간의 증가를 효과적으로 억제하여 높은 스루풋을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있어, 결과
적으로 마이크로 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는, 상기 노광실과 상기 기계실은 서로 다른 챔버의 내부에 형성되어 있는 것이 바람
직하다. 기계실 내의 공조장치에 기인하는 진동을 고려하면, 통상적으로 노광실과 분리하여 기계실을 배치한다. 또, 이
경우, 노광실과 기계실이 서로 다른 챔버의 내부에 형성되고, 노광실이 형성된 챔버에서 기계실로 되돌아가는 배기경로
의 일부에 화학물질 제거필터가 배치되어 있기 때문에, 이 화학물질 제거필터의 교환이 매우 용이하다. 이것으로 인해
이 화학물질 제거필터의 교환시의 장치의 운전정지시간 (다운 타임) 을 단축하여, 장기적으로 본 경우 처리능력의 향상
이 가능하다.

이 경우에 있어서, 상기 노광실과 상기 기계실은 회전광학계 상에 근접하여 배치되고, 상기 노광실과 상기 기계실은 상
기 급기경로의 일부를 구성하는 탈착이 자유로운 접속부를 통하여 접속되게 할 수 있다.

또, 상기 접속부는 공조장치에 기인하는 진동이 노광실에 전달되는 것을 억제하는 것이 바람직하고, 일례로 신축가능한
주름형 부재에 의해 형성되어 있어도 된다. 이러한 경우에는 기계실 내의 공조장치에 기인하는 진동이 접속부를 구성하
는 주름형 부재의 신축에 의해 흡수되기 때문에 노광실에 대한 진동의 영향을 경감시킬 수 있다. 이것으로 인해 노광 정
밀도의 저하를 억제하여 결과적으로 마이크로 디바이스의 생산 수율의 향상이 가능해져, 이 점에 있어서도 생산성의 향
상이 가능해진다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는, 노광실과 기계실을 회전광학계 상에 근접하게 배치하고, 양자를 급기경로의 일부
를 구성하는 착탈자유로운 접속부를 통하여 접속하는 경우, 이 접속부의 근방에 배치된 화학물질 제거필터를 추가로 구
비하게 할 수 있다. 이러한 경우에는, 접속부의 근방에 배치된 화학물질 제거필터의 교환이 필요한 경우에 접속부를 떼
어냄으로써 용이하게 교환할 수 있다.
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본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는 상기 노광실과 상기 기계실은 동일한 챔버 내에 형성되어 있어도 된다. 전술한 바
와 같이, 기계실 내의 공조장치에 기인하는 진동을 고려하면, 통상적으로 노광실과 분리하여 기계실을 배치한다. 그러
나, 진동의 문제는 다른 수단으로 해결이 가능하기 때문에 하나의 챔버를 격벽에 의해 구획하여 노광실과 기계실을 형
성해도 된다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는, 상기 기계실에는 외기 도입구가 설치되고, 상기 외기 도입구로부터 도입되는 공
기의 통로에 배치된 화학물질 제거필터를 추가로 구비하고 있어도 된다. 이러한 경우에는 외기 도입구로부터 노광장치
가 설치되는 클린룸 내의 공기가 장치 내에 도입되지만, 이 도입된 공기의 통로에 화학물질 제거필터가 형성되어 있기
때문에, 결과적으로 화학적으로 클린한 외기가 장치 내에 도입되게 되어 장치 내의 클린도를 저하시키는 일이 없다. 이
때문에, 노광실 내를 외기에 대하여 양압으로 하여 청정도를 높게 유지할 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는 상기 급기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터를 추가로 구비하게 할 수 있다.
이러한 경우에는, 기계실 내의 공조장치에 의해 공조용 기체를 노광실 (노광장치 본체의 적어도 일부가 수납된 공간)
에 보내는 것에 앞서 급기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터에 의해 재차 이 공조용 기체 중의 화학적 오염물질
이 제거된다. 이것으로 인해 한층 화학적으로 청정도가 높은 (케미컬 클린한) 공조용 기체에 의해 노광장치 본체를 공
조할 수 있어, 노광실 내를 한층 클린한 상태로 할 수 있다. 이 경우, 급기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터에는
상기 노광실로부터 상기 기계실로 되돌아가는 상기 공조용 기체의 배기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터에 의
해 화학적 오염물질이 제거된 케미컬 클린한 공조용 기체가 보내지므로, 그 수명이 길어져 장기간에 걸쳐 교환이 불필
요하게 된다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는, 공조용 기체가 통과하는 급기경로 및 배기경로를 그 전역에 걸쳐 탈가스가 적은
재료로 구성하는 것이 바람직하지만, 특히 상기 급기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터를 구비하는 경우에 적어
도 그 화학물질 제거필터보다 하류측의 상기 급기경로 부분은 탈가스가 적은 소재로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 경우에는 급기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터보다 하류의 급기경로 부분에서 탈가스가 거의 발생하지
않기 때문에, 정말로 화학적으로 클린한 공조용 기체를 노광실 (노광장치 본체의 적어도 일부가 수납된 공간) 에 대하
여 보낼 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는, 상기 급기경로의 일부에 배치된 화학물질 제거필터를 구비하는 경우에, 상기 급
기경로는 이 급기경로의 일부에 배치된 상기 화학물질 제거필터의 하류측에서 복수의 경로로 분기되고, 상기 복수의 경
로 각각은 상기 노광실을 포함하는 서로 다른 복수의 룸에 개별적으로 접속되어 있어도 된다.
이 경우에 있어서, 상기 복수의 경로 각각에는 상기 각 룸에 대한 상기 공조용 기체의 분출구 근방에 파티클 제거용 에
어필터가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 경우에는 노광장치를 클린도가 클래스 100 ∼ 1000 정도인 비교적
클린도가 낮은 클린룸 내에 설치할 수 있기 때문에, 클린룸의 유지비용을 저감할 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 노광장치에서는, 상기 공조장치는 상기 기계실 내에 유통되는 공조용 기체를 냉각하는 냉각장치와,
이 냉각된 기체를 가열하는 가열장치를 가지고, 상기 냉각장치의 표면온도를 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어
하는 제어장치를 추가로 구비하고 있어도 된다. 이러한 경우에는 제어장치에 의해 냉각장치의 표면온도가 결로가 발생
하지 않을 정도의 온도로 제어되기 때문에, 공조장치의 드레인 배관계가 불필요해진다. 이것으로 인해 드레인 배관계의
존재에 기인하는 전술한 a. ∼ d. 와 같은 문제점의 발생을 저지할 수 있고, 기계실 및 노광실 내를 한층 케미컬 클린한
상태로 할 수 있어, 한층 더 장기간에 걸쳐 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 보다 효과적으로 제어
할 수 있게 된다.

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공개특허 특2002-0036952

본 발명은 제 2 관점에서는, 소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되고, 그 내부의 환경조
건이 거의 일정하게 유지되는 노광실과, 상기 노광실에 급기경로 및 배기경로를 통하여 접속된 기계실과, 상기 기계실
내에 배치되어 이 기계실 내에 유통되는 공조용 기체를 냉각하는 냉각장치를 가지고, 상기 노광실 내의 공조를 실시하
는 공조장치와, 상기 냉각장치의 표면온도를 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어하는 제어장치를 구비하는 제2
의 노광장치이다.

이것에 의하면, 제어장치에 의해 냉각장치의 표면온도가 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어되기 때문에 공조장
치의 드레인 배관계가 불필요하게 되어, 드레인 배관계의 존재에 기인하는 전술한 a. ∼ d. 와 같은 문제점의 발생을 저
지할 수 있다. 이것으로 인해 기계실 및 노광실 내를 케미컬 클린한 상태로 할 수 있어, 장기간에 걸쳐 광학부재의 흐림
에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 효과적으로 억제할 수 있게 된다. 따라서, 고정밀도의 노광량 제어, 나아가 고정
밀도의 노광을 장기간에 걸쳐 실시할 수 있음과 동시에 광량저하에 의한 노광시간의 증가를 효과적으로 억제하여 높은
스루풋을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있으므로, 결과적으로 마이크로 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 관한 제2 노광장치에서는, 상기 공조장치는 상기 기계실 내에 배치되고 상기 냉각된 공기를 가열하는 가열장
치를 추가로 구비하게 할 수 있다. 이러한 경우에는 냉각장치에 의해 냉각된 공조용 기체를 가열장치에 의해 가열함으
로써 공조용 기체를 소망의 온도로 용이하게 조정할 수 있다.
본 발명에 관한 제2 노광장치에서는, 상기 냉각장치의 중력방향 하방에 배치된 드레인팬을 추가로 구비하도록 할 수 있
다. 이러한 경우에는 냉각장치, 또는 제어장치 등의 어떠한 문제의 발생에 의해 상술한 바와 같은 냉각장치의 표면온도
제어가 곤란한 경우에 대처가 가능하다.

본 발명은 제3 관점에서는, 마스크의 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치 본체가 수납된 노광실과, 상기 노광장치 본
체에 대하여 상기 기판을 반입하고, 또한 상기 노광장치 본체로부터 상기 기판을 반출하는 기판 반송계가 수납된 기판
반송계 수납실과, 상기 노광실에 인접하고, 또한 상기 기판 반송계 수납실의 상방에 배치되며, 그 내부에 상기 노광장치
본체에 대하여 상기 마스크를 반입하고, 또한 상기 노광장치 본체로부터 상기 마스크를 반출하는 마스크 반송계가 수납
된 마스크 반송계 수납실을 구비하고, 상기 마스크 반송계 수납실의 상기 노광실과의 경계부분에 상기 노광실 내에 공
급되는 공조용 기체의 분출구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 제3 노광장치이다.

이것에 의하면, 마스크 반송계 수납실 내의 노광실과의 경계부분에, 노광실 내에 공급되는 공조용 기체의 분출구가 형
성되어 있기 때문에, 노광실의 전후 좌우의 4면 중 분출구가 형성된 면 이외의 3면측으로부터 노광실 내의 노광장치 본
체의 메인터넌스가 가능하다. 이 때문에, 메인터넌스시의 작업성이 향상되어 메인터넌스 작업에 요구되는 시간이 단축
되고, 이것으로 인해 메인터넌스 작업에 동반하는 장치의 운전정지시간 (다운 타임) 의 단축이 가능해진다. 또, 노광실
내는 마스크 반송계 수납실 내의 노광실과의 경계부분, 즉 노광실의 상반부에 배치된 분출구에서 분출되는 공조용 기체
에 의해 공조되기 때문에, 노광실의 천정부분에 제진용 필터 (에어필터) 나 케미컬 필터 및 제진용 필터의 플레넘 덕트
를 설치할 필요가 없다. 따라서, 본 발명에 관한 제3 노광장치에 의하면, 양호한 메인터넌스성을 확보하면서 장치의 전
체 높이를 낮게 할 수 있기 때문에 클린룸의 비용의 저감이 가능해진다. 이것으로 인해 장기적으로 본 경우의 처리능력
의 향상과 설비비용 저감의 면 양쪽에서 결과적으로 마이크로 디바이스의 생산성 향상이 가능해진다.

본 발명에 관한 제3 노광장치에서는, 상기 경계부분에 형성된 분출구에서 분출되는 공조용 기체를 사용하여 노광실 내
를 다운 플로우에 의해 공조해도 되지만, 노광실 내의 상부공간을 사이드 플로우에 의해 송풍해도 된다.
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그런데, 최근 생산성을 높이기 위해 기판 (예를 들면 반도체소자 제조의 경우에는 웨이퍼) 의 대형화가 요구되고 있다.
특히, 마스크와 비교한 경우 기판측이 커지는 경향이 있으며, 노광장치에 있어서도 마스크 반송계와 비교하여 기판 반
송계가 상대적으로 커지는 경향이 있다. 본 발명에 관한 제3 노광장치는 이러한 점에도 착안하여 이루어진 것이다.

본 발명에 관한 제3 노광장치에서는, 상기 분출구의 상기 마스크 반송계 수납실 측에 파티클 제거용 에어필터가 배치되
어 있어도 된다. 전술한 바와 같이, 마스크 반송계에 비하여 기판 반송계가 상대적으로 커지는 경향이 있다. 이 때문에,
기판 반송계 수납실에 비하여 마스크 반송계 수납실에는 공간적으로 여유가 있어 에어필터를 무리없이 배치할 수 있다.
이 경우, 에어필터와 함께 필터플레넘 (송풍된 기체의 동압(動壓)을 정압(靜壓)으로 변환하고, 에어필터로부터 기체를
균일하게 분출하도록 하는 기능을 가지는, 필터의 배면의 실(室)) 을 배치해도 된다. 이렇게 하면 분출구로부터 균일한
기류를 얻을 수 있다.

본 발명에 관한 제3 노광장치에서는, 노광실, 기판 반송계 수납실 및 마스크 반송계 수납실을 동일한 환경제어 챔버 내
에 배치해도 되지만, 상기 노광실, 상기 기판 반송계 수납실 및 상기 마스크 반송계 수납실이 각각 별도의 환경제어 챔
버에 의해 구성되어 있어도 된다.

본 발명에 관한 제3 노광장치에서는, 상기 노광실에서 그 공조장치로 되돌아가는 상기 공조용 기체의 배기통로에 배치
되는 화학물질 제거필터를 추가로 구비하도록 할 수 있다. 이러한 경우에는, 노광실에서 그 공조장치로 되돌아가는 공
조용 기체의 배기통로에 배치되는 화학물질 제거필터를 구비하기 때문에, 노광장치 본체에서 발생한 탈가스에 기인하는
오염물질을 화학물질 제거필터로 거의 확실하게 제거할 수 있어, 결과적으로 노광실 내를 화학적으로 청정도가 높은 상
태 (케미컬 클린한 상태) 로 유지할 수 있다. 이것으로 인해 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 장시
간에 걸쳐 효과적으로 억제할 수 있게 된다.

이 경우에 있어서, 상기 공조장치는, 상기 공조용 기체를 냉각하는 냉각장치를 가지고, 상기 냉각장치의 표면온도를 결
로가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어하는 제어장치를 추가로 구비하도록 할 수 있다. 이러한 경우에는 제어장치에
의해 냉각장치의 표면온도가 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어되고, 이 때문에 공조장치의 드레인 배관계가 불
필요해져, 드레인 배관계의 존재에 기인하는 전술한 a. ∼ d. 와 같은 문제점의 발생을 저지할 수 있다. 결과적으로 노
광실 내를 한층 케미컬 클린한 상태로 할 수 있어, 한층 더 장기간에 걸쳐 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해
의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있게 된다.

본 발명에 관한 제3 노광장치에서는, 상기 노광실, 상기 기판 반송계 수납실 및 상기 마스크 반송계 수납실은 동일한 공
조장치에 의해 공조가 실시되도록 각 실의 급기통로 및 배기통로가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 경우에는
단일한 공조장치만을 사용하여 고효율로 3 개 실의 공조를 실시할 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 내지 제 3 노광장치에서는, 상기 노광장치 본체는, 상기 기판을 지지하는 기판 스테이지와, 이 기
판 스테이지의 위치를 계측하는 간섭계를 가지고, 상기 기판 스테이지와 상기 간섭계가 배치되는, 상기 노광실 내의 일
부 공간을 상기 공조장치와는 독립적으로 공조하는 별도의 공조장치를 추가로 구비하고 있어도 된다. 이러한 경우에는,
이 별도의 공조장치로서 온도제어성이 높은 공조장치를 사용함으로써, 소위 공기요동 (온도요동) 에 기인하는 간섭계
의 계측오차를 가능한 한 억제하여 특히 정밀도가 요구되는 기판 스테이지의 위치제어를 요구되는 정밀도로 실현할 수
있다.

이 경우에 있어서, 별도의 공조장치는 상기 공조장치와 전혀 별개의 것이어도 물론 좋지만, 이것에 국한되지 않고 상기
공조장치의 일부를 공용하는 것이어도 된다.
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본 발명에 관한 제 1 내지 제 3 노광장치에서는, 상기 기판 표면에는 감광제로서 화학증폭형 레지스트가 도포되어 있어
도 된다. 이러한 경우에는 노광실 내를 케미컬 클린한 상태로 유지할 수 있기 때문에, 장기간에 걸쳐 광학재료의 흐림에
의한 조도저하를 억제할 수 있음과 동시에 화학증폭형 레지스트의 표면 불용화 현상의 발생을 억제할 수 있다.
또, 리소그래피 공정에서 본 발명에 관한 제 1 내지 제 3 노광장치를 사용하여 노광을 실시함으로써, 장치 내 분위기의
클린도의 유지능력의 향상, 장기적으로 본 경우의 처리능력의 향상, 및 설비비용의 저감 중 적어도 어느 하나에 있어서
결과적으로 고집적도의 디바이스의 생산성을 향상할 수 있다. 따라서, 본 발명은 제 4 관점에서는, 본 발명의 노광장치
를 사용하는 디바이스 제조방법이라고도 할 수 있다.
본 발명은 제 5 관점에서는, 소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되는 노광실 내에서 그
의 환경조건이 거의 일정하게 유지되도록 상기 노광실 내에 적어도 온도가 제어된 기체를 공급하는 노광장치의 환경제
어방법에 있어서, 상기 노광실로부터의 배기경로 내에서 상기 기체 중의 화학적 불순물을 제거함과 동시에, 상기 화학
적 불순물이 제거된 기체의 적어도 일부를 상기 노광실 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 제 1 환경제어방법이다.

이것에 의하면, 노광실로부터의 배기경로 내에서 기체 중의 화학적 불순물을 제거하여, 그 화학적 불순물이 제거된 기
체의 적어도 일부를 노광실 내에 다시 공급한다. 이 때문에, 노광실 내를 화학적으로 청정도가 높은 상태 (케미컬 클린
한 상태) 로 유지할 수 있어, 이것으로 인해 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 장기간에 걸쳐 효과
적으로 억제할 수 있게 된다. 따라서, 고정밀도의 노광량 제어, 나아가 고정밀도의 노광을 장기간에 걸쳐 실시할 수 있
음과 동시에 광량저하에 의한 노광시간의 증가를 효과적으로 억제하여 높은 스루풋을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있어,
결과적으로 마이크로 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 환경제어방법에서는, 상기 노광장치 본체로부터 상기 화학적 불순물이 제거된 기체를 도입하고,
또 상기 배기경로 내에서 상기 화학적 불순물이 제거된 기체와 함께 상기 노광실에 연결되는 급기경로 내에서 화학물질
제거필터에 통과시키도록 할 수 있다. 이러한 경우에는, 노광장치 본체로부터 화학적 불순물이 제거된 기체를 도입하고,
또 이 기체가 배기경로 내에서 화학적 불순물이 제거된 기체와 함께 노광실에 공급됨에 앞서 급기경로 내에서 화학물질
제거필터에 통과된다. 이 때문에, 다시 그 기체 중의 화학적 오염물질이 제거된다. 이것으로 인해 한층 화학적으로 청정
도가 높은 (케미컬 클린한) 기체를 노광실 내로 보낼 수 있어, 노광실 내를 한층 케미컬 클린한 상태로 할 수 있다.

본 발명에 관한 제 1 환경제어방법에서는, 상기 기체의 냉각장치의 표면온도를 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 설
정하도록 할 수 있다. 이러한 경우에는 냉각장치의 표면온도가 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 설정되기 때문에
냉각장치에 드레인 배관계를 접속할 필요가 없어져, 드레인 배관계의 존재에 기인하는 전술한 a. ∼ d. 와 같은 문제점
의 발생을 저지할 수 있다. 이것으로 인해 노광실 내를 케미컬 클린한 상태로 할 수 있어, 장기간에 걸쳐 광학재료의 흐
림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 효과적으로 억제할 수 있게 된다.

본 발명은 제 6 관점에서는, 소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되는 노광실 내에서 그
환경조건이 거의 일정하게 유지되도록 상기 노광실 내에 적어도 온도가 제어된 기체를 공급하는 노광장치의 환경제어
방법에 있어서, 상기 노광실 내에 상기 기체를 공급하기 전에 상기 기체를 냉각장치에 통과시킴과 동시에 상기 냉각장
치의 표면온도를 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 설정하는 것을 특징으로 하는 제 2 의 환경제어방법이다.

이것에 의하면, 노광실 내에 기체를 공급하기 전에 기체를 냉각장치에 통과시킴과 동시에 그 냉각장치의 표면온도를 결
로가 발생하지 않을 정도의 온도로 설정한다. 이 때문에, 냉각장치에 드레인 배관계를 접속할 필요가 없어져, 드레인 배
관계의 존재에 기인하는 전술한 a. ∼ d. 와 같은 문제점의 발생을 저지할 수 있다. 이것으로 인해 노광실 내를 케미컬
클린한 상태로 할 수 있어, 장기간에 걸쳐 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 효과적으로 억제할 수
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있게 된다. 따라서, 고정밀도의 노광량 제어, 나아가 고정밀도의 노광을 장기에 걸쳐 실시할 수 있음과 동시에 광량저하
에 의한 노광시간의 증가를 효과적으로 억제하여 높은 스루풋을 장기에 걸쳐 유지할 수 있어, 결과적으로 마이크로 디
바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.

도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관한 노광장치의 전체 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는 도 1 의 Ⅱ-Ⅱ 선 단면도이다.
도 3 은 도 1 의 노광장치에서의 공조용 기체의 온도제어에 관련하는 제어계를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 4 는 본 발명에 관한 디바이스 제조방법의 실시형태를 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 5 는 도 4 의 스텝 204 에서의 처리를 나타내는 플로우챠트이다.
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
《노광장치》
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도 1 ∼ 도 3 에 기초하여 설명한다. 도 1 에는 일 실시형태에 관한 노광장치 (10) 의
전체구성이 개략적으로 나타나 있다.
이 노광장치 (10) 는 클린룸 내의 바닥면 (F) 상에 설치된 본체 챔버 (12) 와, 이 본체 챔버 (12) 에 인접하게 배치된
기계실 (14) 을 구비하고 있다.
본체 챔버 (12) 의 내부는, 환경조건 (청정도, 온도, 압력, 습도 등) 이 거의 일정하게 유지되고, 이 내부공간 내에는
기계실 (14) 측의 하나의 빅룸 (16) 과, 이 빅룸 (16) 의 기계실 (14) 과의 반대측에 상하 2 단으로 배치된 2 개의 스
몰룸 (18, 20) 이 형성되어 있다. 이 중 빅룸 (16) 은 그 내부에 노광장치 본체 (22) 가 수납된 노광실로 되어 있다.
이하에 있어서, 이 빅룸 (16) 을 노광실 (16) 이라 부른다.

상기 일측 스몰룸 (18) 은 그 내부에 여러 장의 마스크로서의 레티클을 보관하는 레티클 라이브러리 (80) 및 수평다관
절형 로봇으로 이루어지는 레티클 로더 (82) 가 노광실 (16) 과는 반대측으로부터 순차적으로 배치되어 있다. 레티클
로더 (82) 에 의해, 레티클 (R) 이 노광장치 본체 (22) 를 구성하는 후술하는 레티클 스테이지 (RST) 상에 반입되고,
또 레티클 스테이지 (RST) 상으로부터 반출된다. 본 실시형태에서는 이들 레티클 라이브러리 (80) 와 레티클 로더 (
82) 에 의해 마스크 반송계로서의 레티클 로더계가 구성되며, 이 레티클 로더계가 스몰룸 (18) 에 수납되어 있다. 즉,
스몰룸 (18) 에 의해 마스크 반송계로서의 레티클 로더계를 수납하는 마스크 반송계 수납실이 구성되어 있다. 이하에
있어서, 스몰룸 (18) 을 편의상 레티클 로더실 (18) 이라고 부르기로 한다.

또, 마스크 반송계로서의 레티클 로더계는 상기 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 여러 장의 레티클을 수납가능
한 바텀오픈 타입의 밀폐식 카세트 (콘테이너) 를 레티클 라이브러리 (80) 대신 사용해도 되며, 또는 레티클 로더로서
반송 아암을 슬라이딩시키는 기구를 사용해도 된다. 또, 레티클 보관부 (레티클 라이브러리 (80)) 와 레티클 로더 (8
2) 를 서로 다른 룸에 배치해도 되며, 또는 전술한 밀폐식 카세트를 레티클 로더실 (18) 의 상부에 올려놓고, 그 기밀
성을 유지한 상태에서 바텀오픈으로 레티클을 레티클 로더실 (18) 내에 반입하도록 해도 된다. 요약하면 스몰룸 (18)
에는 레티클 로더만이 배치되어 있어도 된다.

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또, 타측 스몰룸 (20) 은, 그 내부에 여러 장의 기판으로서의 웨이퍼를 보관하는 웨이퍼 캐리어 (84), 웨이퍼 캐리어
(84) 에 대하여 웨이퍼를 출입시키는 수평다관절형 로봇 (86) 및 이 로봇 (86) 과 노광장치 본체 (22) 를 구성하는
웨이퍼 스테이지 (WST) 의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송장치 (88) 가 수납되어 있다. 본 실시형태에서는
이들 웨이퍼 캐리어 (84), 로봇 (86) 및 웨이퍼 반송장치 (88) 에 의해 기판 반송계로서의 웨이퍼 로더계가 구성되고,
이 웨이퍼 로더계가 스몰룸 (20) 에 수납되어 있다. 즉, 스몰룸 (20) 에 의해 기판 반송계로서의 웨이퍼 로더계를 수납
하는 기판 반송계 수납실이 구성되어 있다. 이하에서는, 스몰룸 (20) 을 편의상 웨이퍼 로더실 (20) 이라 부르기로 한
다.

또, 기판 반송계로서의 웨이퍼 로더계는 상기 구성에 한정되는 것이 아니며, 예를 들면 다관절형 로봇만으로 웨이퍼 로
더계를 구성해도 되고, 웨이퍼 로더실 (20) 내에 웨이퍼 로더만을 배치해도 된다.

상기 각각의 노광실 (16), 레티클 로더실 (18) 및 웨이퍼 로더실 (20) 은 스테인리스 (SUS) 또는 테플론 등의 탈가스
가 적은 소재로 이루어지는 급기관로 (24) 및 이 급기관로 (24) 의 상기 노광실 (16), 레티클 로더실 (18) 및 웨이퍼
로더실 (20) 의 반대측 단부에 접속된 접속부 (26) 를 통하여 기계실 (14) 에 접속되어 있다. 접속부 (26) 는 적어도
급기관로 (24: 본체 챔버 (12)) 에 대하여 착탈자유롭게 되어 있으며, 여기서는 신축가능한 주름형 부재에 의해 형성
되어 있다. 이 때문에, 본 실시형태에서는 기계실 (14) 내부에 수납된 후술하는 공조장치를 구성하는 송풍기에서 발생
한 진동이 접속부 (26) 의 신축에 의해 흡수되어, 그 진동이 본체 챔버 (12) 측에 부여하는 영향이 효과적으로 경감되
도록 되어 있다. 또, 본 실시형태에서는 급기관로 (24) 및 접속부 (26) 에 의해 급기경로가 구성되어 있다.

또, 케미컬 필터 (CF3) 의 상류측 유로 (접속부 (26) 를 포함) 도 탈가스가 적은 소재로 구성하여, 케미컬 필터 (CF3)
등의 수명을 연장시키도록 해도 된다.

상기 노광실 (16) 에 수납된 노광장치 본체 (22) 는, 미러 (M1, M2) 를 포함하는 조명광학계 (28) 및 이 조명광학계
(28) 의 하측에 배치된 투영광학계 (PL), 이 투영광학계 (PL) 와 조명광학계 (28) 의 사이에 배치되고, 마스크로서의
레티클 (R) 을 지지하는 레티클 스테이지 (RST), 투영광학계 (PL) 의 하측에 배치되고, 기판으로서의 웨이퍼 (W) 를
지지하는 웨이퍼 스테이지 (WST) 및 투영광학계 (PL) 를 지지하는 웨이퍼 스테이지 (WST) 가 탑재된 본체 칼럼 (
30) 등을 구비하고 있다.

조명광학계 (28) 는 미러 (M1, M2) 외에 옵티컬 인티그레이터, 시야조리개 (모두 도시 생략) 등을 포함하고, 이들 광
학부재가 도시를 생략한 조명계 하우징 내에 소정의 위치관계로 수납되어 이루어진다. 이 조명광학계 (28) 와 동일한
구성의 조명광학계는, 예를 들면 일본 공개특허공보 평 1-259533 호 및 이에 대응하는 미국특허 제 5,307,207 등에
개시되어 있으며, 본 국제출원에서 지정한 지정국 또는 선택한 선택국의 국내법령이 허락하는 한 상기 공보 및 미국특
허에서의 개시를 원용하여 본 명세서 기재의 일부로 한다.

조명광학계 (28) 는, 도시하지 않은 우회광학계 (릴레이광학계) 를 통하여 도시하지 않은 광원으로서의 KrF 엑시머레
이저 (출력파장 248 nm) 또는 ArF 엑시머레이저 (출력파장 193 nm) 등의 엑시머레이저에 접속되어 있다. 상기 우회
광학계는 적어도 그 일부에 빔·매칭·유닛으로 불리는 광원과 조명광학계 (28) 의 사이의 광축조정용 광학계를 포함
한다. 또, 도시는 생략되어 있지만, 조명광학계 (28) 가 수납된 조명계 하우징, 및 광원 (본 실시형태에서는 상기 엑시
머레이저) 와 조명광학계 (28) 의 사이에 배치되며, 적어도 일부에 빔·매칭·유닛을 포함하는 상기 우회광학계가 수
납되는 케이싱체 (경통) 는, 각각 내부가 불활성 가스 (예를 들면 질소, 헬륨 등) 으로 퍼지되어, 청정도가 극히 양호하
게 유지되도록 되어 있다.
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공개특허 특2002-0036952

또, 조명광학계 (28) 의 적어도 일부를 노광실 (16) 의 외부에 배치해도 되며, 이에 더하여 또는 단독으로 광원, 우회
광학계 및 조명광학계 (28) 를 제외한 남은 일부 (예를 들면 웨이퍼 스테이지 (WST) 등) 를 노광실과는 별도의 케이
스 내에 배치해도 된다. 이 경우, 상기 별도의 케이스는 노광실의 내부에 배치해도 되고, 노광실 밖에 배치해도 된다. 요
컨대 노광실 (16) 내에는 노광장치 본체의 적어도 일부가 배치되어 있으면 되고, 노광실 (16) 내에 배치하는 부재나
그 구성은 임의로 할 수 있다.

상기 본체 칼럼 (30) 은, 본체 챔버 (12) 의 저면 상에 설치된 베이스 플레이트 (BP) 의 상측에 복수의 방진대 (32)
를 통하여 지지되어 있다. 본체 칼럼 (30) 은 방진대 (32) 에 의해 지지된 메인 칼럼 (34) 과 이 메인 칼럼 (34) 상부
에 세워 설치된 서포트 칼럼 (36) 을 가지고 있다. 메인 칼럼 (34) 의 천정면을 이루는 메인 프레임에 퍼스트 인바로
불리는 도시를 생략한 지지부재를 통하여 투영광학계 (PL) 가 지지되어 있다. 이 경우, 투영광학계 (PL) 는 이 광축
방향이 상하 방향으로 되어 있다. 투영광학계 (PL) 로는, 여기서는 투영배율이 1/4 또는 1/5 인 축소광학계가 사용되
고 있다. 서포트 칼럼 (36) 은 도시를 생략한 조명계 하우징의 적어도 일부를 하측으로부터 지지하고 있다.

웨이퍼 스테이지 (WST) 는 메인 칼럼 (34) 의 저판을 구성하는 스테이지 베이스 상에서 도시를 생략한 평면 모터나
리니어 모터 등의 구동장치에 의해 2 차원 방향으로 구동된다. 이 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 상면에는 웨이퍼 홀더
(38) 를 통하여 웨이퍼 (W) 가 진공흡착 등에 의해 고정되어 있다. 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 XY 면 내의 위치, 및
회전량 (요잉량, 피칭량 및 롤링량 중 하나 이상) 은 웨이퍼 스테이지 (WST) 에 설치된 도시를 생략한 이동거울을 통
하여 레이저 간섭계 (IF) 에 의해 예를 들면 0.5 ∼ 1 nm 정도의 분해능으로 계측되고 있다.

상기 레티클 스테이지 (RST) 는 메인 칼럼 (34) 의 상면에 설치된 도시를 생략한 세컨드 인바로 불리는 지지부재의
천정부를 구성하는 레티클 스테이지 베이스 상에 탑재되어 있다. 레티클 스테이지 (RST) 는 노광장치 본체 (22) 가,
예를 들면 일본 공개특허공보 평 5-21314 호 및 이에 대응하는 미국특허 제 5,243,195 호 등에 개시되는 정지노광을
실시하는 타입의 경우에는 수평면 내에서 미소구동이 가능하도록 구성된다. 또, 노광장치 본체 (22) 가 예를 들면 일본
공개특허공보 평 4-196513 호 및 이에 대응하는 미국특허 제 5,473,410 호 등에 개시되는 주사노광을 실시하는 타입
의 경우에는 레티클 스테이지 (RST) 는 상기에 추가하여 소정의 주사방향으로 소정의 스트로크 범위에서 구동가능하
도록 구성된다. 본 국제출원에서 지정한 지정국 또는 선택한 선택국의 국내 법령이 허락하는 한도에서 상기 각 공보 및
이에 대응하는 상기 미국특허에서의 개시를 원용하여 본 명세서 기재의 일부로 한다.

이렇게 구성된 노광장치 본체 (22) 에 의하면, 도시를 생략한 엑시머레이저로부터 출사된 펄스 자외광이 각종 렌즈나
미러 등으로 이루어지는 조명광학계 (28) 에 필요한 형상 (크기를 포함) 으로 정형됨과 동시에 그 조도가 균일화되어
소정 패턴이 형성된 레티클 (R) 을 조명한다. 이것으로 인해, 레티클 (R) 에 형성된 패턴이 투영광학계 (PL) 를 통하
여 웨이퍼 스테이지 (WST) 상에 지지된 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트영역에 축소 전사되도록 되어 있다.
본 실시형태에서는, 웨이퍼 (W) 로서 그 표면에 감광제로서 포지티브형의 화학증폭형 레지스트가 도포된 것이 사용된
다.

본체 챔버 (12) 내의 상기 급기관로 (24) 의 일단 (기계실 (14) 측의 단부) 에는 화학물질 제거필터로서의 케미컬 필
터 (CF3) 가 배치되어 있다. 급기관로 (24) 의 타단측은 2 개로 분기되고, 그 한쪽 분기로 (24a) 는 레티클 로더실 (
18) 에 접속되어 있다. 그 레티클 로더실 (18) 측의 공조용 기체로서의 공기의 분출구 부분에는, 레티클 로더실 (18)
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내에 유입되는 공기 중의 파티클을 제거하는 에어필터로서의 ULPA 필터 (ultra low penetration air-filter) 및 필터
플레넘으로 이루어지는 필터 박스 (AF1) 가 설치되어 있다. 또, 레티클 로더실 (18) 의 필터 박스 (AF1) 와 반대측에
는 리턴부 (40) 가 설치되어 있다. 이 리턴부 (40) 의 외측 부분에 배기경로로서의 리턴 덕트 (42) 의 일단이 접속되
고, 이 리턴 덕트 (42) 의 타단측은 기계실 (14) 의 저면의 일부에 접속되어 있다.

상기 분기로 (24a) 에는 그 말단부에 다른 분기로 (24c) 가 형성되고, 이 분기로 (24c) 는 웨이퍼 로더실 (20) 에 접
속되어 있다. 이 웨이퍼 로더실 (20) 측의 공기의 분출구 부분에는, 웨이퍼 로더실 (20) 내에 유입되는 공기 중의 파티
클을 제거하는 에어필터로서의 ULPA 필터 및 필터 플레넘으로 이루어지는 필터 박스 (AF2) 가 설치되어 있다. 또, 웨
이퍼 로더실 (20) 의 필터 박스 (AF2) 와 반대측에는 리턴부 (44) 가 설치되어 있다. 이 리턴부 (44) 의 웨이퍼 로더
실 (20) 과 반대측에는 리턴 덕트 (42) 에 연통하는 배기구가 설치되어 있다.

또, 상기 다른 쪽의 분기로 (24b) 는, 레티클 로더실 (18) 의 노광실 (16) 과의 경계부에 형성된 분출구 (90) 의 레티
클 로더실 (18) 측에 배치된 필터 박스 (AF3) 에 접속되어 있다. 이 필터 박스 (AF3) 는 노광실 (16) 내에 유입되는
공기 중의 파티클을 제거하는 에어필터로서의 ULPA 필터 및 필터 플레넘으로 이루어진다. 그리고, 이 경우 분출구 (9
0) 로부터 균일한 기류가 사이드 플로우에 의해 노광실 (16) 의 상부공간에 보내지도록 되어 있다. 분출구 (90) 가 형
성된 레티클 로더실 (18) 와 노광실 (16) 의 경계부분 (격벽부분) 에는 도 1 의 Ⅱ-Ⅱ 선 단면도인 도 2 에 나타낸 바
와 같이, 레티클 반송 에어리어 (92) 를 제외하고 그 주위에 여러 장의 필터 박스 (AF3) 가 배치되어 있다.

또, 노광실 (16) 의 저부의 기계실 (14) 측에는 도 1 에 나타낸 바와 같이 리턴부 (46) 가 형성되어 있다. 이 리턴부
(46) 하측의 챔버 (12) 저벽에는 배기경로로서의 리턴 덕트 (48) 의 일단측에 연통하는 배기구가 형성되고, 리턴 덕
트 (48) 의 타단측은 기계실 (14) 의 저면의 일부에 접속되어 있다.
상기 기계실 (14) 저부의 본체 챔버 (12) 와는 반대측에는 외기 도입구로서의 OA 구 (50) 가 형성되고, 이 OA 구 (
50) 부분에 대향하여 화학물질 제거필터로서의 케미컬 필터 (CF2) 가 배치되어 있다.

상기 본체 챔버 (12) 내, 특히 노광실 (16) 안은 청정도를 유지하기 위해 외부에 대하여 항상 양압으로 유지되어 있다.
이 때문에 본체 챔버 (12) 의 전면 등이나 도시를 생략한 인라인 인터페이스부 등으로부터 공기가 외부로 누출되고 있
다. 이 누출분의 외기를 도입하기 위해 OA 구 (50) 가 설치되어 있다. 또, 본 실시형태에서는 화학증폭형 레지스트의
소위 T 세이프 대책을 위한 목적 등에서 OA 구 (50) 를 통하여 장치 내부에 도입되는 공기 중의 화학물질 (불순물)
을 제거하여 청정한 공기만을 장치 내에 도입하기 위해, 케미컬 필터 (CF2) 가 OA 구 (50) 부분에 설치되어 있다.

기계실 (14) 내부의 이 기계실 (14) 의 높이 방향 중앙 약간 하측 위치에는 냉각장치로서의 쿨러 (드라이코일: 52) 가
설치되어 있다. 이 쿨러 (52) 의 출구부분에는 쿨러 표면의 온도를 검출하는 제 1 온도센서 (54) 가 배치되어 있다. 이
제 1 온도센서 (54) 의 검출치는 제어장치 (70) (도 1 에서는 도시를 생략, 도 3 참조) 에 공급되고 있다.
기계실 (14) 내의 공기통로의 쿨러 (52) 상측에는 이 쿨러 (52) 에 대하여 소정 간격을 두고 가열장치로서의 제 1 히
터 (56) 가 배치되어 있다. 이 제 1 히터 (56) 상측의 기계실 (14) 의 출구 부분에는 제 1 송풍기 (58) 가 배치되어
있다. 이 경우, 쿨러 (52), 제 1 히터 (56) 및 제 1 송풍기 (58) 에 의해 제 1 공조장치가 구성되어 있다.
또, 기계실 (14) 내의 공기통로의 제 1 히터 (56) 의 하측에는 쿨러 (52) 를 하측에서 상측으로 통과한 공기의 약 1/
5 이 흘러들어가는 분기로 (60) 가 형성되어 있다. 이 분기로 (60) 의 기계실 (14) 측의 단부는 신축가능한 주름형 부
재 (60a) 에 의해 구성되어 있다. 이 경우도 전술한 바와 같이 이 주름형 부재 (60a) 에 의해 기계실 (14) 측의 진동
이 본체 챔버 (12) 측에 부여하는 영향이 효과적으로 경감되도록 되어 있다.
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상기 분기로 (60) 의 주름형 부재 (60a) 로부터 기계실 (14) 과는 반대측 부분은 노광실 (16) 내에 배치되어 있다.
분기로 (60) 내에는 가열장치로서의 제 2 히터 (62), 제 2 송풍기 (64) 가 순차적으로 배치되어 있다. 이 경우, 쿨러
(52), 제 2 히터 (62) 및 제 2 송풍기 (64) 에 의해 제 2 공조장치가 구성되어 있다. 여기서, 제 2 송풍기 (64) 는 노
광실 (16) 내에 배치되어 있지만, 제 2 송풍기는 제 1 송풍기의 1/4 정도 분출 유량의 소형 송풍기이기 때문에 그 진동
이 거의 문제가 되지 않는다.

제 2 송풍기 (64) 의 기계실 (14) 과 반대측에 웨이퍼 스테이지 (WST) 근방에 대한 공기의 분출구가 형성되고, 이 분
출구 부분에 케미컬 필터 (CF4), ULPA 필터 및 필터 플레넘으로 이루어지는 필터 박스 (AF4) 가 배치되어 있다. 이
들 케미컬 필터 (CF4), 필터 박스 (AF4) 가 배치된 분출구에 대향하여, 노광실 (16) 의 웨이퍼 로더실 (20) 근처 부
분에는 배기경로로서의 리턴 덕트 (66) 의 일단측의 개구단이 배치되고, 이 리턴 덕트 (66) 의 타단측은 기계실 (14)
의 저면의 일부에 접속되어 있다.

상기 3 개의 리턴 덕트 (42, 48, 66) 가 접속된 기계실 (14) 의 저면의 일부에는 개구가 형성되고, 이 개구부에 대향
하여 화학물질 제거필터로서의 케미컬 필터 (CF1) 가 설치되어 있다. 이 케미컬 필터 (CF1) 는 기계실 (14) 에 설치
된 도시를 생략한 개폐도어를 통하여 용이하게 출입할 수 있도록 되어 있다.
본 실시형태에서 사용되는 케미컬 필터 (CF1, CF2, CF3, CF4) 로는, 클린룸 내에 존재하는 암모니아 가스 등의 염기
성 가스 외에 실록산, 실라잔(silazane) 등의 실리콘계 유기물, 하이드로 카본은 물론 가소제나 난연제 기타 화학적 불
순물도 제거하는 것이 사용되고 있다. 구체적으로는, 케미컬 필터 (CF1, CF2, CF3, CF4) 로서 활성탄 필터 (예를 들
면 니터 (주) 제조의 기가소프) 나 제올라이트 필터가 사용된다.
또, 기계실 (14) 내의 쿨러 (52) 의 하측에는 드레인팬 (68) 이 배치되어 있다. 단, 이 드레인팬 (68) 에는 배관계는
접속되어 있지 않다. 이 이유에 대해서는 후술한다.
상기 본체 챔버 (12) 내의 상기 급기관로 (24) 의 분기부의 기계실 (14) 근처 부분에는 급기관로 (24) 내부의 공기의
온도를 검출하는 제 2 온도 센서 (72) 가 배치되어 있다. 이 제 2 온도 센서 (72) 의 검출치는 제어장치 (70: 도 1 에
서는 도시를 생략, 도 3 참조) 에 공급되고 있다.
또, 케미컬 필터 (CF4) 의 상류측에는 제 2 송풍기 (64) 로부터 보내지는 공기의 온도를 검출하는 제 3 온도 센서 (7
4) 가 배치되어 있다. 이 제 3 온도 센서 (74) 의 검출치는 제어장치 (70: 도 1 에서는 도시를 생략, 도 3 참조) 에 공
급되어 있다.
도 3 에는 공조용 기체의 온도 제어에 관련하는 제어계의 구성이 간략화되어 나타나 있다. 이 제어계는 마이크로 컴퓨
터 (또는 워크 스테이션) 로 구성되는 제어장치 (70) 를 중심으로 구성되어 있다.
다음에, 상술한 바와 같이 구성된 노광장치에서의 공조에 대해서 설명한다.

우선, 제어장치 (70) 에 의해 제 1, 제 2 송풍기 (58, 64) 가 작동되고, 이것으로 인해 필터 박스 (AF1, AF2, AF3,
AF4) 를 각각 통하여 레티클 로더실 (18), 웨이퍼 로더실 (20), 노광실 (16) 및 노광실 (16) 내의 웨이퍼 스테이지
(WST) 근방에 공기가 각각 보내지고, 상기 각 부의 공조가 실시된다. 이 경우, 레티클 로더실 (18), 웨이퍼 로더실 (
20) 내에서는 다운 플로우에 의해 공조가 실시된다. 또, 노광실 (16) 내에서는 전술한 노광동작 중의 노광장치 본체 (
22) 의 각부의 공조가 사이드 플로우에 의해 실시된다. 그리고 리턴부 (40, 44) 를 각각 통하여 리턴 덕트 (42) 로 되
돌려진 공기, 리턴부 (46) 를 통하여 리턴 덕트 (48) 로 되돌려진 공기, 및 리턴 덕트 (66) 에 되돌려진 공기는 이들
리턴 덕트의 기계실 (14) 측의 출구 (본 실시형태에서는 기계실 (14) 의 입구) 부분에 설치된 케미컬 필터 (CF1) 를
통과한다. 이 케미컬 필터 (CF1) 를 통과 중에 각 리턴 덕트 내의 공기에 포함되는 전술한 바와 같은 화학적 불순물이
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케미컬 필터 (CF1) 에 의해 흡착 제거된다.

그리고, 이 케미컬 필터 (CF1) 를 통과한 케미컬 클린한 공기는 OA 구 (50) 를 통하여 장치 밖에서부터 도입되고, 케
미컬 필터 (CF2) 를 통과한 케미컬 클린한 공기와 하나가 되어 제 1 및 제 2 공조장치 각각의 일부를 구성하는 쿨러 (
52) 에 의해 소정 온도까지 냉각된다. 이 경우에서, 본 실시형태에서는 제어장치 (70) 에 의해 제 1 온도센서 (54) 의
출력을 모니터하면서 쿨러 (52) 의 냉각 동작이 제어되고, 이 때 쿨러 부분을 통과하는 공기의 온도, 압력에 있어서 쿨
러 표면에 결로가 발생하지 않을 정도의 온도, 예를 들면 5 ℃ 보다 약간 높은 온도 내지는 15 ℃ 전후까지 냉각된다.
이렇게 쿨러 (52) 표면에는 결로가 발생하지 않기 때문에, 본 실시형태에서는 드레인 배관계를 형성하고 있지 않다. 단,
제 1 온도센서 (54) 의 고장이나 쿨러 (52) 의 임의의 문제점의 발생에 의해 상술한 바와 같은 쿨러 (52) 의 표면 온
도 제어가 어려워질 우려가 있다. 따라서, 본 실시형태에서는 이러한 비상 사태를 고려하여 드레인팬 (68) 을 배치하고
있는 것이다.

그리고, 쿨러 (52) 를 통과하여 소정 온도까지 냉각된 공기는, 약 80 % 가 제 1 히터 (56) 로 보내지고, 남은 약 20
% 가 분기로 (60) 내의 제 2 히터 (62) 에 보내져서, 각각의 목표 온도까지 가열된다. 이 경우, 제어장치 (70) 에서는,
제 2 온도센서 (72) 의 검출치에 기초하여 제 1 히터 (56) 를 피드백 제어함과 동시에 제 3 온도센서 (74) 의 검출치
에 기초하여 제 2 히터 (62) 를 피드백 제어한다. 이 경우, 급기관로 (24) 를 통하여 노광실 (16) 등의 내부에 분출되
는 공기의 목표 온도 (온도제어 범위를 포함) 와, 분기로 (60) 를 통하여 웨이퍼 스테이지 (WST) 근방에 분출되는 공
기의 목표 온도 (온도 제어 범위를 포함) 는 각각 개별적으로 설정할 수 있다.

그리고, 제 1, 제 2 히터 (56, 62) 에 의해 각각의 목표 온도까지 가열된 화학적으로 매우 청정한 공기는 제 1, 제 2 송
풍기 (58, 64) 에 의해 케미컬 필터 (CF3, CF4) 로 각각 보내진다. 그리고, 케미컬 필터 (CF3) 를 통과한 공기는 본
체 챔버 (12) 내의 급기관로 (24) 및 필터 박스 (AF1, AF2, AF3) 를 각각 통하여 레티클 로더실 (18), 웨이퍼 로더
실 (20), 노광실 (16) 내로 각각 보내진다. 또, 케미컬 필터 (CF4) 를 통과한 공기는 필터 박스 (AF4) 를 통과하여
웨이퍼 스테이지 (WST) 근방으로 보내진다.

필터 박스 (AF1, AF2, AF3, AF4) 중 ULPA 필터를 각각 통과함으로써 공기 중의 파티클이 거의 확실하게 제거되기
때문에, 레티클 로더실 (18), 웨이퍼 로더실 (20), 노광실 (16) 내 및 웨이퍼 스테이지 (WST) 근방에는 파티클 및
화학적 불순물 등의 미소 입자를 포함하지 않는다는 의미에서 청정도가 높은 공기만이 공급되고, 이 청정한 공기에 의
해 레티클 로더계, 웨이퍼 로더계, 노광장치 본체 (22) 가 공조된다. 그리고, 이 공조가 종료되어, 노광장치 본체 (22)
등으로부터의 탈가스에 기인하는 화학적 불순물을 포함하는 화학적으로 오염된 공기가 리턴 덕트 (42, 48, 66) 내로
되돌려져, 이후 상술한 바와 같은 방법으로 각 부의 공조가 반복하여 실시된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 본체 챔버 (12) 로부터 기계실 (14) 에 되돌아가는 배기경로로서
의 리턴 덕트 (42, 48, 66) 의 기계실 (14) 측의 출구 부분에 화학물질 제거필터로서의 케미컬 필터 (CF1) 가 배치되
어 있기 때문에, 노광장치 본체 (22), 레티클 로더계, 웨이퍼 로더계 등에서 발생한 탈가스에 기인하는 화학적인 오염
물질을 케미컬 필터 (CF1) 에서 거의 확실하게 제거할 수 있다.
또, 케미컬 필터 (CF1) 는 본체 챔버 (12) 로부터 기계실 (14) 로 되돌아가는 배기경로 중 기계실 (14) 측의 출구부
분 (기계실 (14) 의 입구부분) 에 배치되고, 이 부분에 도시를 생략한 개폐도어가 설치되어 있기 때문에, 이 개폐도어
부분에서 케미컬 필터 (CF1) 의 교환을 간단하게 실시할 수 있다. 이것으로 인해 케미컬 필터 (CF1) 의 교환시에서의
장치의 운전정지시간 (다운 타임) 을 단축하고, 장기적으로 본 경우의 처리능력의 향상이 가능하다.
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또, 본 실시형태에서는 케미컬 필터 (CF1) 를 배기경로 내에서 기계실 (14) 측의 출구 부분에 배치했지만, 이에 국한
되지 않고 배기경로라면 어디에 배치해도 되며, 또 리턴 덕트 (42, 48, 66) 에 각각 독립적으로 케미컬 필터를 배치해
도 된다. 단, 교환이 용이한 장소에 설치하는 것이 바람직하다. 또, 급기경로 및 배기경로를 포함하는, 공조용 기체가 통
과하는 모든 유로 및 그 유로 상에 존재하고, 공조용 기체가 접촉되는 부재 (또는 그 표면) 를 탈가스가 적은 재료를 사
용하여 구성해도 된다. 또, 공조용 기체는 공기 외의 것일 수도 있고, 이 경우에도 공급원으로부터 케미컬 필터 (도 1
의 케미컬 필터 (CF2) 에 상당) 를 통하여 노광장치 내에 그 기체를 도입하면 된다.

또, 본 실시형태에서는, 기계실 (14) 에는 OA 구 (50) 가 설치되고, 이 OA 구 (50) 의 내측에는 화학물질 제거필터로
서의 케미컬 필터 (CF2) 가 설치되어 있기 때문에, 결과적으로 화학적으로 클린한 외기가 장치 내에 도입되게 되어 장
치 내의 클린도를 저하시키지 않는다. 이 때문에, 본체 챔버 (12) 내를 외기에 대하여 양압으로 하여 청정도를 높게 유
지할 수 있다.

또, 본 실시형태에서는, 기계실 (14) 로부터 본체 챔버 (12) 내의 급기관로 (24) 에 도달하는 급기경로의 일부에 화학
물질 제거필터로서의 케미컬 필터 (CF3) 가 배치되어 있다. 이 때문에, 기계실 (14) 내의 공조장치에 의해 온도 조정
된 공기를 노광장치 본체 (22) 가 수납된 노광실 (16) 로 보냄에 앞서 다시 그 공기 중의 화학적 오염물질을 제거할 수
있기 때문에, 한층 더 화학적으로 청정도가 높은 (케미컬 클린한) 공기에 의해 노광장치 본체 (22) 를 공조할 수 있어,
본체 챔버 (12) 내를 한층 클린한 상태로 할 수 있다. 또, 케미컬 필터 (CF3) 에는 케미컬 필터 (CF1) 및 케미컬 필터
(CF2) 에서 화학적인 오염물질이 제거된 케미컬 클린한 공기가 보내지므로 그 수명이 길어져 장기간에 걸쳐 교환이 불
필요해진다. 단, 케미컬 필터 (CF3) 는 기계실 (14) 과 본체 챔버 (12) 내의 급기관로 (24) 와의 접속부 (26) 근방에
배치되어 있기 때문에, 기계실 (14) 을 이동하여 주름형 접속부 (26) 를 떼어냄으로써 케미컬 필터 (CF3) 의 교환을
간단하게 수행할 수 있다. 이것으로 인해 케미컬 필터 (CF3) 의 교환시의 장치의 운전정지시간 (다운 타임) 을 단축하
여, 장기적으로 본 경우의 처리능력의 향상이 가능하다.

또, 기계실 (14) 내부의 공기의 통로에 분기로 (60) 가 형성되고, 이 분기로 (60) 를 통하여 웨이퍼 표면 근방을 다른
부분과 독립적으로 공조를 실시하도록 되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 위치를 계측하는 간섭계 (IF)
의 계측치에 공기요동에 기인하는 계측오차가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있어, 특히 정밀도가 요구되는 웨이
퍼 스테이지 (WST) 의 위치제어를 요구되는 정밀도로 실현할 수 있다. 또, 이 웨이퍼 표면 근방의 공조를 위한 공기도
케미컬 필터 (CF4) 를 통과한 화학적으로 청정한 공기가 사용되기 때문에, 화학증폭형 레지스트의 표면 불용화 현상이
발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.

마찬가지로, 화학적으로 불순물의 영향을 받기 쉬운 화학증폭형 레지스트가 도포된 웨이퍼가 통과하는 공간인 웨이퍼
로더실 (20) 내에도 케미컬 클린한 공기가 공급되기 때문에, 이 부분에 있어서도 화학증폭형 레지스트의 표면 불용화
현상이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
또, 본체 챔버 (12) 내의 급기관로 (24) 의 노광실 (16), 레티클 로더실 (18) 및 웨이퍼 로더실 (20) 에 대한 공기의
분출구 및 웨이퍼 표면에 대한 공기 분출구의 근방에서는 파티클제거용 ULPA 필터를 내장하는 필터 박스가 배치되어
있다. 이 때문에 노광장치 (10) 를 클린도가 클래스 100 ∼ 1000 정도인 비교적 클린도가 낮은 클린룸 내에 설치해도
장치 내의 클린도를 클래스 1 정도로 유지할 수 있어, 클린룸의 유지 비용을 저감할 수 있다.
또, 케미컬 필터 (CF3) 보다 하류의 급기관로 (24) 의 적어도 내벽부분은 SUS 또는 테프론 등의 탈가스가 적은 소재
에 의해 형성되어 있다. 이 때문에, 케미컬 필터 (CF3) 보다 하류의 급기관로 부분에서 탈가스가 거의 발생하지 않기
때문에, 정말로 케미컬 클린한 공기를 노광장치 본체 (22) 가 수납된 노광실 (16), 레티클 로더실 (18), 웨이퍼 로더
실 (20) 에 대하여 보낼 수 있다.
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공개특허 특2002-0036952

또, 본 실시형태에서는, 케미컬 필터 (CF1 ∼ CF4) 로서 활성탄 필터 또는 제올라이트 필터가 사용되고 있기 때문에
통상 클린룸 내 및 노광장치 내에서 발생하는 화학적 불순물의 거의 대부분을 제거할 수 있다. 즉, 챔버 안이나 투영광
학계 및 조명광학계에서의 광학소자 간의 공간 내에 존재하는 불순물로서, 실록산 (Si-O 사슬이 축(軸) 물질) 또는 실
라잔 (Si-N 사슬이 축 물질) 등의 실리콘계 유기물이 문제가 된다. 이것을 더욱 자세히 상술하면, 실록산은 Si-O 의
사슬이 원형이 된 「고리형 실록산」이라는 물질이 투영노광장치에서 사용되는 접착제, 실링제, 도료 등에 포함되어 있
으며, 이것이 시간의 경과에 따른 변화에 의해 탈가스로서 발생한다. 고리형 실록산은 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판
표면이나 렌즈 등의 유전체 표면에 잘 부착하는 사실이 알려져 있으며, 또 자외광 (UV 광) 이 닿으면 산화되어 광학소
자 표면에서의 규소산화물 등과 같은 흐림 물질의 원인이 된다.

또, 실라잔에는 많은 사용자가 레지스트 도포 공정에서 사용하고 있는 전처리제로서 Si 의 수가 2 개인 HMDS (헥사·
메틸·디·실리잔) 이 있다. HMDS 는 물과 반응하는 것만으로 실란올이라는 반도체 기판의 표면 또는 유전체 표면에
매우 부착되기 쉬운 물질로 변화 (가수분해) 하고, 또 자외광이 닿으면 실록산과 마찬가지로 산화되어 광학소자 표면에
서의 규소산화물계의 흐림 물질의 원인이 된다. 또, 실라잔은 상기 가수분해에서 암모니아를 발생하지만, 이 암모니아
가 실록산과 공존하면 더욱 광학소자 표면을 흐리게 하기 쉽다.

이들 실록산이나 실라잔 등의 실리콘계 유기물을 본 실시형태의 케미컬 필터에서는 제거할 수 있다.
또, KrF 엑시머레이저광 또는 ArF 엑시머레이저광 또는 이보다 단파장의 광을 노광용 조명광으로 사용하는 투영노광
장치에서는, 소위 광세정에 의해 광학소자의 표면을 세정하는 것이 일반적으로 이루어진다. 이 광세정에 의해 광학소자
표면에 부착되어 있던 유기물 (하이드로카본) 이 제거되고 공기 중에서 부유하게 되지만, 이 유기물도 본 실시형태의
케미컬 필터에 의해 제거할 수 있다.
또, 현재에는, 실리콘계 등의 불순물 뿐만 아니라 챔버 내에 있는 배선이나 플라스틱 등의 탈가스로서 가소제 (프탈산
에스테르 등), 난연제 (인산, 염소계 물질) 등도 불순물로서 문제가 되고 있지만, 이들 가소제나 난연제 등도 상기 활성
탄 필터에 의해 제거할 수 있다.
또, 본 실시형태의 노광장치 (10) 에서는, 제어장치 (70) 에 의해 쿨러 (52) 의 표면온도가 결로가 발생하지 않을 정
도의 온도로 제어되기 때문에 공조장치의 드레인 배관계가 불필요해져, 드레인 배관계의 존재에 기인하는 전술한 a. ∼
d. 와 같은 바람직하지 않은 현상의 발생을 저지할 수 있다.

본 실시형태의 노광장치 (10) 에 의하면, 이상에서 상세하게 설명한 여러가지 연구에 의해 장기간에 걸쳐 기계실 (14)
및 본체 챔버 (12) 내를 케미컬 클린한 상태로 할 수 있다. 이것으로 인해 장기에 걸쳐 광학재료의 흐림에 의한 조도저
하 등의 폐해의 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 또한 화학증폭형 레지스트의 표면 불용화 현상을 저감할 수 있다.
따라서, 고정밀도의 노광량 제어, 나아가 고정밀도의 노광을 장기에 걸쳐 실시할 수 있음과 동시에 광량저하에 의한 노
광시간의 증가를 효과적으로 억제하여 높은 스루풋을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있다.

또, 본 실시형태의 노광장치 (10) 에서는, 레티클 로더실 (18) 내의 노광실 (16) 과의 경계 부분에 노광실 (16) 내의
상부 공간을 사이드 플로우로 송풍하기 위한 공조용 기체의 분출구 (90) 가 설치되어 있다. 이 때문에, 노광실 (16) 의
전후좌우의 4 면 중 분출구 (90) 가 설치된 면 이외의 3 면측에서 노광실 (16) 내의 노광장치 본체 (22) 의 메인터넌
스가 가능하다 (기계실 (14) 측은 기계실 (14) 을 제거함으로서 이 방향으로부터 메인터넌스가 가능하다). 이 때문에
메인터넌스시의 작업성이 향상하여 메인터넌스 작업에 필요한 시간이 단축되고, 이에 의해 메인터넌스 작업에 동반하는
장치의 운전정지시간 (다운 타임) 의 단축이 가능해진다.

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공개특허 특2002-0036952

또, 노광실 (16) 내는 사이드 플로우에 의해 공조되기 때문에, 노광실의 천정부분에 제진용 필터 (에어필터) 나 케미컬
필터 및 제진용 필터의 플레넘·덕트를 설치할 필요가 없다. 또, 도 1 에서는 작업의 편의상 급기관로 (24) 가 조명광
학계 (28) 의 상부에 나타나 있지만, 실제로는 이 급기관로 (24) 는 노광실 (16) 의 천정면 전면이 아니라 그 일부의
스페이스만을 점유하는 것에 지나지 않기 때문에, 조명광학계 (28) 의 수평의 빈 스페이스에 급기관로 (24) 를 충분히
배치할 수 있다. 이렇게 하면, 종래의 다운 플로우 방식의 노광장치에 비해 장치의 전체 높이를 대폭 낮출 수 있다. 따라
서, 본 실시형태의 노광장치 (10) 에 의하면 양호한 메인터넌스성을 확보하면서 장치 전체 높이를 낮게 할 수 있다. 이
것으로 인해 클린룸의 설비 비용의 저감이 가능하다.

또, 노광실의 천정부분에 급기경로만을 형성하여 다운 플로하도록 해도 되며, 이 경우에도 장치 전체 높이를 낮게 할 수
있다.
지금까지의 설명에서 알 수 있듯이, 본 실시형태의 노광장치 (10) 에 의하면 장치 내 분위기의 케미컬 클린도의 유지능
력의 향상 및 처리능력의 향상, 그리고 설비비용의 저감이 가능하다. 따라서, 노광장치 (10) 에서는, 장치 내 분위기의
케미컬 클린도의 유지능력, 처리능력, 설비비용의 어느 면에 있어서도 결과적으로 반도체소자 (LSI) 등의 마이크로 디
바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.

또, 상기 실시형태에서는, 리턴 덕트의 기계실측 단부에 설치된 케미컬 필터 외에 OA 구 부분, 본체 챔버 내의 급기관
로의 기계실측 입구 부분 및 웨이퍼 표면에 대한 공기의 분출구 근방에도 케미컬 필터를 설치하는 경우에 대해서 설명
했지만, 본 발명이 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 적어도 리턴 덕트 내의 일부에 케미컬 필터를 설치하는 것만으로
도, 장기간에 걸쳐 광학재료의 흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 효과적으로 억제하고, 이것으로 인해 스루풋
을 향상하여 마이크로 디바이스의 생산성을 향상한다는 목적이 어느 정도 달성된다.

또, 상기 실시형태에서는 리턴 덕트의 기계실측 단부에 케미컬 필터를 설치하고, 쿨러의 표면 온도를 결로가 발생하지
않을 정도의 온도로 제어하는 경우에 대해서 설명했지만, 이들 중 어느 하나만에 의해서도 장기간에 걸쳐 광학재료의
흐림에 의한 조도저하 등의 폐해의 발생을 효과적으로 억제할 수 있게 된다. 물론, 도 1 에 나타내는 공조기구나 경로와
의 조합도 필수는 아니며, 그 구성은 임의로 가능하다.
또, 상기 실시형태에서는 레티클 로더실, 웨이퍼 로더실과 노광실이 본체 챔버 내에 배치되는 경우에 대해서 설명했지
만, 이에 국한되지 않고 본체 챔버 내에 노광실만을 배치하고, 레티클 로더실, 웨이퍼 로더실을 별도의 환경제어 챔버
내에 함께 또는 각각 단독으로 배치해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는 본체 챔버와는 별도로 기계실이 배치되는 경우에 대해서 설명했지만, 이에 국한되지 않고 하
나의 챔버를 격벽으로 구획하여 노광장치 본체가 수납되는 노광실과 기계실을 형성해도 된다.
또, 도 1 에서는 본체 챔버에 인접하여 기계실을 배치하는 것으로 했지만, 클린룸의 바닥밑 (유틸리티 스페이스) 등에
기계실을 배치하도록 해도 된다. 이 경우, 광원도 이 바닥밑에 배치해도 된다. 또, 공조기에서는 공기의 온도를 제어하
는 것으로 했지만, 이에 부가하여 습도 및 압력 중 적어도 한쪽을 제어하도록 해도 된다.
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공개특허 특2002-0036952

또, ArF 엑시머레이저광 (파장 193 nm) 을 노광용 조명광으로 사용하는 경우에는 조명광학계 (28) 와 마찬가지로 투
영광학계 (PL) 의 경통 내 또는 투영광학계 (PL) 를 수납하는 케이스 내에도 불활성 가스 (질소 등) 가 공급된다. 또
한, F2레이저광 (파장 157 nm) 을 노광용 조명광으로 사용하는 경우에는 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지가 각각
서브챔버 내에 배치되고, 조명광학계 (28) 및 투영광학계 (PL) 에 부가하여 조명광학계 (28) 와 투영광학계 (PL) 의
사이, 및 투영광학계 (PL) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에도 각각 불활성 가스 (헬륨 등) 가 공급된다. 따라서, 광원내를 포
함하여 그 광원으로부터 웨이퍼 (W) 에 도달하는 조명광로의 적어도 일부를 밀폐하여 그 내부에 불활성 가스 등을 공
급하는 노광장치에서는 예를 들면 조명광학계에 공급된 불활성 가스가 통과하는 배기경로의 도중, 또는 출구에도 전술
한 케미컬 필터를 설치해 두는 것이 바람직하다. 물론, 불활성 가스의 유입경로의 도중 또는 입구에도 케미컬 필터를 설
치해도 되며, 이것은 특히 회수한 불활성 가스를 청정화하여 재이용하는 경우에 유효하다. 또, 상술한 바와 같이 예를
들면 파장 120 nm ∼ 200 nm 정도의 진공자외역에 속하는 광을 노광용 조명광으로 사용하는 경우 등에는 공조용 기
체로서 상기 불활성 가스 (질소 가스, 헬륨 가스 등) 가 사용된다. 따라서, 본 발명의 공조장치는 불활성 가스를 순환시
키는 공조장치도 포함하는 것이다.
또, 상기 실시형태에서는 광원으로 KrF, ArF 등의 엑시머레이저를 사용하는 경우에 대해서 설명했지만, 이에 국한되지
않고 광원으로 F2레이저, Ar2레이저를 사용해도 되며, 또는 금속증기 레이저나 YAG 레이저를 사용하여 이들 고주파
를 노광용 조명광으로 해도 된다. 또는, DFB 반도체 레이저 또는 화이버 레이저로부터 발진되는 적외역, 또는 가시역의
단일파장 레이저광을 예를 들면 에르븀 (Er) (또는 에르븀과 이테륨 (Yb) 의 양쪽) 이 도핑된 화이버앰프에 의해 증폭
하고, 비선형 광학결정을 사용하여 자외광으로 파장변환한 고주파를 노광용 조명광으로 사용해도 된다.
또, 본 발명은 스텝·앤·리피트 방식, 스텝·앤·스캔 방식, 또는 스텝·앤·스티치 방식의 노광장치뿐만 아니라, 예
를 들면 미러프로젝션·얼라이너, 프록시미티 방식의 노광장치 및 포토리피터 등에도 적용할 수 있다. 즉, 노광장치 본
체의 구성 등에 관계없이 공조장치를 갖는 노광장치라면 본 발명을 적용할 수 있다.
《디바이스 제조방법》
다음으로, 상술한 노광장치를 리소그래피 공정에서 사용한 디바이스의 제조방법의 실시형태에 대해서 설명한다.

도 4 에는 디바이스 (IC 나 LSI 등의 반도체 칩, 액정패널, CCD, 박막자기헤드, 마이크로머신 등) 의 제조예의 플로우
챠트가 나타나 있다. 도 4 에 나타낸 바와 같이, 우선 스텝 201 (설계 스텝) 에서는 디바이스의 기능·성능설계 (예를
들면 반도체 디바이스의 회로설계 등) 을 실시하고, 그 기능을 실현하기 위한 패턴설계를 실시한다. 이어서, 스텝 202
(마스크 제작 스텝) 에서 설계한 회로패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 한편, 스텝 203 (웨이퍼 제조 스텝) 에서 실리
콘 등의 재료를 사용하여 웨이퍼를 제조한다.

다음으로, 스텝 204 (웨이퍼 처리 스텝) 에서, 스텝 201 ∼ 스텝 203 에서 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용하여 후술하
는 바와 같이 리소그래피 기술 등에 의해 웨이퍼 상에 실제의 회로 등을 형성한다. 이어서, 스텝 205 (디바이스 조립
스텝) 에서 스텝 204 에서 처리된 웨이퍼를 사용하여 디바이스 조립을 실시한다. 이 스텝 205 에는 다이싱 공정, 본딩
공정 및 패키징 공정 (칩 봉입) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다.
마지막으로, 스텝 206 (검사 스텝) 에서 스텝 205 에서 제작된 디바이스의 동작확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사
를 실시한다. 이러한 공정을 거친 후에 디바이스가 완성되고, 이것이 출하된다.

도 5 에는 반도체 디바이스의 경우에서의, 상기 스텝 204 의 상세한 플로우예가 나타나 있다. 도 5 에서, 스텝 211 (산
화 스텝) 에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 212 (CVD 스텝) 에서는 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 스텝
213 (전극 형성 스텝) 에서는 웨이퍼 상에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 214 (이온 주입 스텝) 에서는 웨이퍼에
이온을 주입한다. 이상 각각의 스텝 211 ∼ 스텝 214 는 웨이퍼 처리의 각 단계의 전처리 공정을 구성하고 있으며, 각
단계에 있어서 필요한 처리에 따라 선택되고 실행된다.

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웨이퍼 프로세스의 각 단계에서, 상술한 전처리 공정이 종료되면, 다음과 같이 후처리 공정이 실행된다. 이 후처리 공정
에서는 우선 스텝 215 (레지스트 형성 스텝) 에서 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 이어서, 스텝 216 (노광 스텝) 에서
위에서 설명한 노광장치에 의해 마스크의 회로패턴을 웨이퍼에 전사한다. 다음으로 스텝 217 (현상 스텝) 에서는 노광
된 웨이퍼를 현상하고, 스텝 218 (에칭 스텝) 에서 레지스트가 잔존되어 있는 부분 이외의 부분의 노출부재를 에칭에
의해 제거한다. 그리고, 스텝 219 (레지스트 제거 스텝) 에서 에칭이 완료되어 불필요해진 레지스트를 제거한다.

이들 전처리 공정과 후처리 공정을 반복하여 실시함으로써, 웨이퍼 상에 다중으로 회로 패턴이 형성된다.
이상에서 설명한 본 실시형태의 디바이스 제조방법을 사용하면, 노광공정 (스텝 216) 에서 상기 실시형태의 노광장치
(10) 가 사용되기 때문에, 장치 내 분위기의 클린도의 유지 능력의 향상, 장기적으로 본 경우의 처리능력의 향상 및 설
비비용의 저감에 의해 결과적으로 고집적도의 디바이스의 생산성을 현격히 향상시킬 수 있다.
산업상의 이용가능성
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 관한 노광장치는, 집적회로 등의 마이크로 디바이스를 제조하는 리소그래피 공정
에 있어서 미세 패턴을 웨이퍼 등의 기판 상에 고정밀도로 형성하기에 적합하다. 또, 본 발명에 관한 디바이스 제조방법
은 미세 패턴을 갖는 고집적도의 디바이스의 제조에 적합하다.
(57) 청구의 범위
청구항 1.
소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되고, 그 내부의 환경조건이 거의 일정하게 유지되는
노광실;
상기 노광실 내의 공조를 실시하는 공조장치가 수납된 기계실;
상기 기계실로부터 상기 노광실 내로 공급되는 공조용 기체의 급기경로; 및
상기 노광실로부터 상기 기계실로 되돌아가는 상기 공조용 기체 중의 화학적 불순물을 제거하는 화학물질제거필터를
그 일부에 갖는 배기경로를 구비하는 노광장치.
청구항 2.
제 1 항에 있어서,
상기 노광실과 상기 기계실은 상이한 챔버의 내부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 3.
제 2 항에 있어서,
상기 노광실과 상기 기계실은 바닥면 상에 근접하여 배치되고,
상기 노광실과 상기 기계실은 상기 급기경로의 일부를 구성하는 착탈자유로운 접속부를 통하여 접속되어 있는 것을 특
징으로 하는 노광장치.
청구항 4.
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제 3 항에 있어서,
상기 접속부는 신축가능한 주름형 부재로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 5.
제 3 항에 있어서,
상기 접속부의 근방에 배치된 화학물질제거필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 6.
제 1 항에 있어서,
상기 노광실과 상기 기계실은 동일 챔버 내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 7.
제 1 항에 있어서,
상기 기계실에는 외기도입구가 설치되고,
상기 외기도입구로부터 도입되는 공기의 통로에 배치된 화학물질제거필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 8.
제 1 항에 있어서,
상기 급기경로의 일부에 배치된 화학물질제거필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 9.
제 8 항에 있어서,
상기 화학물질제거필터보다 하류측의 상기 급기경로 부분은 탈가스가 적은 소재로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
노광장치.
청구항 10.
제 8 항에 있어서,
상기 급기경로는 이 급기경로의 일부에 배치된 상기 화학물질제거필터의 하류측에서 복수의 경로로 분기되고,
상기 복수의 경로 각각은 상기 노광실을 포함하는 상이한 복수의 룸에 개별적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는
노광장치.
청구항 11.
제 10 항에 있어서,
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상기 복수의 경로 각각에는, 상기 각 룸에 대한 상기 공조용 기체의 분출구 근방에, 파티클 제거용 에어필터가 설치되어
있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 12.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공조장치는, 상기 기계실 내를 유통하는 공조용 기체를 냉각하는 냉각장치와, 이 냉각된 기체를 가열하는 가열장
치를 가지며,
상기 냉각장치의 표면온도를, 결로(結露)가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어하는 제어장치를 더 구비하는 특징으로
하는 노광장치.
청구항 13.
소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되고, 그 내부의 환경조건이 거의 일정하게 유지되는
노광실;
상기 노광실에 급기경로 및 배기경로를 통하여 접속된 기계실;
상기 기계실 내에 배치되어 이 기계실 내를 유통하는 공조용 기체를 냉각하는 냉각장치를 갖고, 상기 노광실 내의 공조
를 실시하는 공조장치; 및
상기 냉각장치의 표면온도를, 결로가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어하는 제어장치를 구비하는 노광장치.
청구항 14.
제 13 항에 있어서,
상기 공조장치는 상기 기계실 내에 배치되어 상기 냉각된 공기를 가열하는 가열장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는
노광장치.
청구항 15.
제 13 항에 있어서,
상기 냉각장치의 중력방향 하방으로 배치된, 드레인팬을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 16.
마스크의 패턴을 기판 상에 전사하는 노광장치 본체가 수납된 노광실;
상기 노광장치 본체에 대하여 상기 기판을 반입하고, 또한 상기 노광장치 본체로부터 상기 기판을 반출하는 기판 반송
계가 수납된 기판 반송계 수납실; 및
상기 노광실에 인접하고, 또한 상기 기판 반송계 수납실의 상방에 배치되며, 그 내부에 상기 노광장치 본체에 대하여 상
기 마스크를 반입하고, 또한 상기 노광장치 본체로부터 상기 마스크를 반출하는 마스크 반송계가 수납된 마스크 반송계
수납실을 구비하고,
상기 마스크 반송계 수납실의 상기 노광실과의 경계부분에, 상기 노광실 내에 공급되는 공조용 기체의 분출구가 설치되
어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
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공개특허 특2002-0036952

청구항 17.
제 16 항에 있어서,
상기 분출구의 상기 마스크 반송계 수납실측에 파티클 제거용 에어필터가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 18.
제 16 항에 있어서,
상기 노광실, 상기 기판 반송계 수납실 및 상기 마스크 반송계 수납실이 개별의 환경제어 챔버에 의해 구성되어 있는 것
을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 19.
제 16 항에 있어서,
상기 노광실로부터 그의 공조장치로 되돌아가는 상기 공조용 기체의 배기통로에 배치되는 화학물질제거필터를 더 구비
하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 20.
제 19 항에 있어서,
상기 공조장치는 상기 공조용 기체를 냉각하는 냉각장치를 갖고,
상기 냉각장치의 표면온도를, 결로(結露)가 발생하지 않을 정도의 온도로 제어하는 제어장치를 더 구비하는 것을 특징
으로 하는 노광장치.
청구항 21.
제 16 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노광실, 상기 기판 반송계 수납실, 및 상기 마스크 반송계 수납실은, 동일 공조장치에 의해 공조가 실시되도록, 각
실의 급기통로 및 배기통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 22.
제 1 항 내지 제 11 항, 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노광장치 본체는, 상기 기판을 유지하는 기판 스테이지와, 이 기판 스테이지의 위치를 계측하는 간섭계를 갖고,
상기 기판 스테이지와 상기 간섭계가 배치되는, 상기 노광실 내의 일부 공간을 상기 공조장치와는 독립적으로 공조하는
별도의 공조장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 23.
제 22 항에 있어서,
상기 별도의 공조장치는 상기 공조장치의 일부를 공용하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
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청구항 24.
제 1 항 내지 제 11 항, 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 표면에는, 감광제로서 화학증폭형 레지스트가 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
청구항 25.
리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조방법으로서,
상기 리소그래피 공정에 있어서 제 1 항 내지 제 11 항, 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재된 노광장치를 사
용하여 노광을 실시하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
청구항 26.
소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되는 노광실 내에서 그의 환경조건이 거의 일정하게
유지되도록, 상기 노광실 내에 적어도 온도가 제어된 기체를 공급하는 노광장치의 환경제어방법에 있어서,
상기 노광실로부터의 배기경로 내에서 상기 기체 중의 화학적 불순물을 제거함과 동시에, 상기 화학적 불순물이 제거된
기체의 적어도 일부를 상기 노광실 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 노광장치의 환경제어방법.
청구항 27.
제 26 항에 있어서,
상기 노광장치 본체로부터 상기 화학적 불순물이 제거된 기체를 도입하고, 또한 상기 배기경로 내에서 상기 화학적 불
순물이 제거된 기체와 함께 상기 노광실에 이어지는 급기경로 내에서 화학물질제거필터에 통과시키는 것을 특징으로
하는 노광장치의 환경제어방법.
청구항 28.
제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,
상기 기체의 냉각장치의 표면온도를, 결로(結露)가 발생하지 않을 정도의 온도로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장
치의 환경제어방법.
청구항 29.
소정 패턴을 기판에 전사하는 노광장치 본체의 적어도 일부가 수납되는 노광실 내에서 그의 환경조건이 거의 일정하게
유지되도록, 상기 노광실 내에 적어도 온도가 제어된 기체를 공급하는 노광장치의 환경제어방법에 있어서,
상기 노광실 내에 상기 기체를 공급하기 전에 상기 기체를 냉각장치에 통과시킴과 동시에, 상기 냉각장치의 표면온도를,
결로(結露)가 발생하지 않을 정도의 온도로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치의 환경제어방법.
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