수지 밀봉 방법, 수지 밀봉 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치 및 수지 재료(Method of Resin Encapsulation, Apparatus for ResinEncapsulation, Method of Manufacturing SemiconductorDevice, Semiconductor Device and Resin..

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 등록특허공보(B1)
(45) 공고일자 2009년11월30일
(11) 등록번호 10-0929054
(24) 등록일자 2009년11월20일
(51) Int. Cl.

H01L 23/02 (2006.01)
(21) 출원번호 10-2003-0081356
(22) 출원일자 2003년11월18일
심사청구일자 2007년04월03일
(65) 공개번호 10-2004-0047596
(43) 공개일자 2004년06월05일
(30) 우선권주장
JP-P-2002-00341965 2002년11월26일 일본(JP)
(56) 선행기술조사문헌
JP08111465 A*
JP14036270 A*
*는 심사관에 의하여 인용된 문헌
(73) 특허권자
토와 가부시기가이샤
일본 교토후 교토시 미나미쿠 가미토바 가미조시
조 5
후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
일본국 도쿄도 신주쿠구 니시신주쿠 2-7-1
(72) 발명자
우라가미히로시
일본교또후교또시미나미구가미조시조가미또바5토
와가부시기가이샤내
나카가와오사무
일본교또후교또시미나미구가미조시조가미또바5토
와가부시기가이샤내
(뒷면에 계속)
(74) 대리인
최달용
전체 청구항 수 : 총 10 항 심사관 : 박귀만
(54) 수지 밀봉 방법, 수지 밀봉 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치 및 수지 재료
(57) 요 약
우선, 하형(1)과 상형(2)이 오프닝된 상태에서, 기판 재치부(11)에 기판(14)이 설치된다. 다음에, 하형(1)의 캐
비티(5)의 치수 및 형상에 대응한 형상 및 치수를 갖는 수지 재료(4)가 캐비티(5)에 끼워넣어진다. 그 후, 수지
재료(4)가 가열됨에 의해, 용융 수지(17)가 생성된다. 그 후, 상형(2)과 하형(1)에 의해 형성된 공간이 감압된
상태에서, 상형(2)과 하형(1)이 클로징된다. 그로 인해, 칩(15)과 와이어(16)가 용융 수지(17)에 잠긴다. 그 후,
용융 수지(17)가 경화함에 의해, 기판(14)과 경화 수지(18)로 이루어지는 수지 성형품(19)이 형성된다.
대 표 도 - 도1
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등록특허 10-0929054
(72) 발명자
후지노킨야
일본교또후교또시미나미구가미조시조가미또바5토와
가부시기가이샤내
타카세신지
일본교또후교또시미나미구가미조시조가미또바5토와
가부시기가이샤내
토쿠야마히데키
일본교또후교또시미나미구가미조시조가미또바5토와
가부시기가이샤내
메구로코이치
일본국가나가와켄가와사키시나카하라꾸가미고다나
카4초메1-1후지쯔가부시끼가이샤내
니시노토루
일본국가나가와켄가와사키시나카하라꾸가미고다나
카4초메1-1후지쯔가부시끼가이샤내
하야사카노보루
일본국가나가와켄가와사키시나카하라꾸가미고다나
카4초메1-1후지쯔가부시끼가이샤내
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등록특허 10-0929054
특허청구의 범위
청구항 1
상형(2) 및 하형(1)으로 이루어지는 금형 쌍(2, 1)을 이용하여, 기판(14)의 주표면에 장착된 전자 부품(15)을
수지 밀봉하는 수지 밀봉 방법으로서,
상기 수지 밀봉 방법은,
상기 전자 부품(15)이 상기 하형(1)을 향하는 상태로 상기 상형(2)에 상기 기판(14)의 상기 주표면의 이측의 면
을 부착하는 공정과,
상기 하형(1)에 마련된 캐비티(5) 내에, 해당 캐비티(5)의 형상 및 치수에 대응하여 미리 형성된 고형의 수지
재료(4)를 공급하는 공정과,
상기 하형(1)에 마련된 캐비티(5) 내에서 상기 고형의 수지 재료를 가열함에 의해 용융 수지(17)를 생성하는 공
정과,
상기 금형 쌍(2, 1)을 클로징함에 의해, 상기 전자 부품(15)을 상기 용융 수지(17) 내에 담그는 공정과,
상기 캐비티(5) 내에서 상기 용융 수지(17)를 경화시킴에 의해, 수지 성형품(19)을 형성하는 공정을 구비하는
것을 특징으로 하는 수지 밀봉 방법.
청구항 2
삭제
청구항 3
제 1항에 있어서,
상기 기판(14)의 전극과 상기 전자 부품(15)의 전극은, 소정의 평면 내에서 루프 형상으로 형성된 도전성 재료
(16)에 의해 접속되고,
상기 전자 부품(15)을 상기 용융 수지(17)에 담그는 공정에서, 상기 상형(2)을 상기 용융 수지(17)의 주표면에
대해 거의 수직한 방향으로 하강시킴에 의해, 상기 소정의 평면이 상기 용융 수지(17)의 주표면에 대해 거의 수
직한 상태로 이동하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 방법.
청구항 4
상형(2) 및 하형(1)으로 이루어지는 금형 쌍(2, 1)을 이용하여, 기판(14)의 주표면에 장착된 전자 부품(15)을
수지 밀봉하는 수지 밀봉 방법을 사용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 수지 밀봉 방법은,
상기 전자 부품(15)이 상기 하형(1)을 향하는 상태로 상기 상형(2)에 상기 기판(14)의 상기 주표면의 이측의 면
을 부착하는 공정과,
상기 하형(1)에 마련된 캐비티(5) 내에, 해당 캐비티(5)의 형상 및 치수에 대응하여 미리 형성된 고형의 수지
재료(4)를 공급하는 공정과,
상기 하형(1)에 마련된 캐비티(5) 내에서 상기 고형의 수지 재료를 가열함에 의해 용융 수지(17)를 생성하는 공
정과,
상기 금형 쌍(2, 1)을 클로징함에 의해, 상기 전자 부품(15)을 상기 용융 수지(17) 내에 담그는 공정과,
상기 캐비티(5) 내에서 상기 용융 수지(17)를 경화시킴에 의해, 수지 성형품(19)을 형성하는 공정을 구비하고,
상기 수지 밀봉 방법을 이용하여 반도체 장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
청구항 5
캐비티(26)를 갖는 상형(25) 및 하형(21)으로 이루어지는 금형 쌍(25, 21)과 수지 밀봉용의 고형의 수지 재료
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등록특허 10-0929054
(22)를 이용하여, 기판(14)의 주표면에 장착된 전자 부품(15)을 수지 밀봉하는 수지 밀봉 방법으로서,
상기 수지 밀봉 방법은,
상기 캐비티(26) 내에 삽입될 수 있도록 상기 캐비티(26)의 형상 및 치수에 대응하여 미리 형성된 상기 고형의
수지 재료(22)를 준비하는 공정과,
상기 하형(21)의 위에 상기 기판(14)을 설치하는 공정과,
상기 고형의 수지 재료(22)가 상기 기판(14)의 전극과 상기 전자 부품(15)의 전극을 접속하는 도전성 재료(16)
에 접촉하지 않도록, 상기 기판(14)의 주면상에 상기 고형의 수지 재료(22)를 재치하는 공정과,
상기 금형 쌍(25, 21)을 클로징하는 공정과,
상기 고형의 수지 재료(22)를 가열함에 의해, 상기 기판(14)의 주면상에서 용융 수지(17)을 생성함과 함께, 상
기 전자 부품(15)을 상기 용융 수지(17) 내에 포함시키는 공정과,
상기 용융 수지(17)을 경화시킴에 의해 수지 성형품을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉
방법.
청구항 6
제 5항에 있어서,
상기 상형(25)으로부터 상기 수지 재료(22)에 열이 전달됨에 의해, 상기 용융 수지(17)가 생성되는 것을 특징으
로 하는 수지 밀봉 방법.
청구항 7
제 5항에 있어서,
상기 고형의 수지 재료(22)는, 해당 고형의 수지 재료(22)가 상기 기판(14)의 주면상에 재치된 때에, 상기 기판
(14)과 상기 고형의 수지 재료(22) 사이에 형성되는 공간이 상기 전자 부품(15)을 내포하도록 구성되어 있고,
상기 공간의 크기는, 상기 고형의 수지 재료(22)가 상기 기판(14)의 전극과 상기 전자 부품(15)의 전극을 접속
하는 도전성 재료(16)에 접촉하지 않도록, 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 방법.
청구항 8
캐비티(26)를 갖는 상형(25) 및 하형(21)으로 이루어지는 금형 쌍(25, 21)과 수지 밀봉용의 고형의 수지 재료
(22)를 이용하여, 기판(14)의 주표면에 장착된 전자 부품(15)을 수지 밀봉하는 수지 밀봉 방법을 사용하는 반도
체 장치의 제조 방법으로서,
상기 수지 밀봉 방법은,
상기 캐비티(26) 내에 삽입될 수 있도록 상기 캐비티(26)의 형상 및 치수에 대응하여 미리 형성된 상기 고형의
수지 재료(22)를 준비하는 공정과,
상기 하형(21)의 위에 상기 기판(14)을 설치하는 공정과,
상기 고형의 수지 재료(22)가 상기 기판(14)의 전극과 상기 전자 부품(15)의 전극을 접속하는 도전성 재료(16)
에 접촉하지 않도록, 상기 기판(14)의 주면상에 상기 고형의 수지 재료(22)를 재치하는 공정과,
상기 금형 쌍(25, 21)을 클로징하는 공정과,
상기 고형의 수지 재료(22)를 가열함에 의해, 상기 기판(14)의 주면상에서 용융 수지(17)을 생성함과 함께, 상
기 전자 부품(15)을 상기 용융 수지(17) 내에 포함시키는 공정과,
상기 용융 수지(17)을 경화시킴에 의해 수지 성형품을 형성하는 공정을 구비하고,
상기 수지 밀봉 방법을 이용하여 반도체 장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반조체 장치의 제조 방법.
청구항 9
금형 쌍(2, 1, 25, 21)에 마련된 캐비티(5,26)에서 고형의 수지 재료(4, 22)를 가열함에 의해 생성된 용융 수지
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등록특허 10-0929054
(17)을 경화시킴에 의해, 기판(14)의 주표면에 장착된 전자 부품(15)을 수지 밀봉하는 수지 밀봉 방법에서, 상
기 용융 수지(17)의 원료로서 사용되는 고형의 수지 재료(4, 22)로서,
상기 고형의 수지 재료(4, 22)는, 상기 캐비티(5, 26)의 치수 및 형상에 대응하는 치수 및 형상을 갖도록 하여
미리 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 재료.
청구항 10
제 9항에 있어서,
상기 고형의 수지 재료(22)는, 해당 고형의 수지 재료(22)가 상기 기판(14)의 주면상에 재치된 때에, 상기 기판
(14)과 상기 고형의 수지 재료(22) 사이에 형성되는 공간이 상기 전자 부품(15)을 내포하도록 구성되어 있고,
상기 공간의 크기는, 상기 기판(14)의 전극과 상기 전자 부품(15)의 전극을 접속하는 도전성 재료(16)에 상기
고형의 수지 재료(22)가 접촉하지 않도록, 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 재료.
청구항 11
제 9항에 있어서,
상기 고형의 수지 재료(22)에 노치가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 재료.
명 세 서
발명의 상세한 설명
발명의 목적
발명이 속하는 기술 및 그 분야의 종래기술
기술분야<21>
본 발명은, 전자 부품을 기판상에서 수지 밀봉하는 수지 밀봉 방법 등에 관한 것이다.<22>
종래기술<23>
기판의 위에 전자 부품이 탑재된 수지 성형품의 한 예로서의 반도체 패키지를 제조하는 때에 이용되는 종래의<24>
수지 밀봉 방법의 개략을 설명한다.
종래의 수지 밀봉 방법에서는, 우선, 전자 부품의 한 예로서의 반도체 칩(이하, 단지「칩」이라고 한다)이 장착<25>
된 프린트 배선 기판(이하, 단지「기판」이라고 한다)을 준비한다. 다음에, 하나의 금형과 다른 금형이 서로 대
향하도록 배치된 금형 쌍 중 한쪽의 금형에 기판을 부착한다. 다음에, 금형 쌍을 클로징한다. 그 후, 수지 유로
를 경유하여, 금형 쌍 중 다른쪽의 금형에 마련된 캐비티 내에 용융 수지를 주입한다. 이 때, 용융 수지는 가압
된다.
그 후, 주입된 용융 수지는 경화한다. 그로 인해, 수지 성형품이 형성된다. 다음에, 금형 쌍을 오프닝한다. 그<26>
후, 수지 성형품을 한쪽의 금형으로부터 꺼낸다. 그 후, 수지 성형품을 복수의 반도체 패키지의 각각으로 분할
하기 위한 다이싱을 행한다. 그로 인해, 최종 제품인 반도체 패키지가 완성된다.
한편, 근래에는, 종래와 비교하여, 반도체 칩의 단자 수가 증가하고 있다. 또한, 반도체 칩이 기판의 위에 적층<27>
된 구조가 사용되고 있다. 또한, 반도체 패키지의 박형화가 도모되고 있다.
또한, 반도체 칩과 기판을 전기적으로 접속하는 와이어의 길이가 종래의 것보다 길게 되어 있다. 또한, 서로 이<28>
웃하는 와이어 끼리의 간격이 좁아져 있다. 그 결과, 상기 종래의 수지 성형 방법에 의하면, 다음과 같은 문제
가 발생할 우려가 있다.
우선, 캐비티(cavity) 내에 주입된 용융 수지가 유동함에 의해, 와이어가 변형 또는 절단될 우려가 커지고<29>
있다. 또한, 서로 이웃하는 와이어 끼리가 접촉할 우려가 커지고 있다. 이들 문제에 대처하는 방법으로서는, 용
융 수지를 캐비티 내에 주입하는 속도를 작게 하는 것이 생각된다. 그러나, 용융 수지의 주입 속도를 작게
하면, 주입되는 용융 수지의 점성이 커진다. 그 때문에, 용융 수지 내의 가스가 외부로 방출되기 어렵게 된다.
그 결과, 성형된 경화 수지의 내부에, 보이드(기포) 또는 미충전부가 발생하기 쉽게 되어 있다.
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또한, 근래, 반도체 제품의 비용 절감을 위해 기판의 대형화의 요구가 강해지고 있다. 대형의 기판상에서 전자<30>
부품을 수지 밀봉하는 경우에는, 소형의 기판상에서 전자 부품을 수지 밀봉하는 경우와 비교하여, 용융 수지의
유동 거리가 길어진다. 그 때문에, 더욱, 상기한 보이드 또는 미충전부의 발생의 문제가 발생하기 쉽게 되어 있
다.
또한, 수지 유로에서, 수지가 경화하여 버리는 일이 있다. 수지 유로에서 경화한 수지는 폐기되는 것이다. 그<31>
때문에, 종래의 수지 밀봉 방법에 의하면, 필요없은 수지 재료가 발생하여 버린다는 문제도 있다.
발명이 이루고자 하는 기술적 과제
본 발명은, 상술한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 기판에 장착된 전자 부품을 수지 밀봉하는 때에, 수<32>
지 성형품에 불량이 발생할 우려를 저감함과 함께, 수지 재료를 유효하게 이용하는 것을 목적으로 한다.
발명의 구성 및 작용
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 수지 밀봉 방법으로서는, 한 국면의 방법 및 다른 국면의 방법이 생각<33>
된다. 어느 방법도, 상형 및 하형으로 이루어지는 금형 쌍을 이용하여, 기판의 주 표면에 장착된 전자 부품을
수지 밀봉하는 것이다. 이하, 본 발명의 한 국면의 방법 및 다른 국면의 방법을 설명한다.
본 발명의 한 국면의 수지 밀봉 방법에서는, 다음과 같은 공정이 실행된다. 우선, 상형에 기판이 부착된다. 그<34>
후, 하형에 마련된 캐비티 내에서 용융 수지가 생성된다. 다음에, 금형 쌍이 클로징된다. 그로 인해, 전자 부품
이 용융 수지 내로 잠긴다. 그 후, 캐비티 내에서 용융 수지가 경화한다. 그로 인해, 수지 성형품이 형성된다.
이 방법에 의하면, 용융 수지는, 기판에 평행한 면의 전역에 걸쳐서 거의 균일하게 유동함과 함께, 캐비티의 깊<35>
이 방향으로 매우 짧은 시간에 유동한다. 그 때문에, 경화 수지 내에 보이드가 잔존하는 것, 및, 수지 성형품에
경화 수지의 미충전부가 발생하는 것이 방지된다.
또한, 용융 수지를 생성하는 공정에서는, 캐비티 내에 설치된 고형의 수지 재료를 가열함에 의해, 용융 수지를<36>
형성하여도 좋다. 이 방법에 의하면, 수지 유로가 불필요해진다. 그 때문에, 수지 유로에 경화 수지가 형성되는
일이 없다. 그 결과, 수지 재료를 유효하게 이용하는 것이 가능해진다.
또한, 전술한 방법은, 기판의 전극과 전자 부품의 전극이 소정의 평면 내에서 루프 형상으로 형성된 도전성 재<37>
료에 의해 접속되어 있는 경우에 이용될 수 있다. 이 경우, 전자 부품을 용융 수지에 담그는 공정에서, 소정의
평면이 용융 수지의 주 표면에 대해 거의 수직한 상태로 이동하는 것이 바람직하다.
상기한 방법에 의하면, 용융 수지로부터 도전성 재료에 가하여지는 힘은, 도전성 재료를 변형시키기 쉬운 방향<38>
의 힘이 아니다. 그 때문에, 도전성 재료의 손상의 우려가 저하된다.
또한, 본 발명의 다른 국면의 수지 밀봉 방법에서는, 고형의 수지 재료가 사용되고, 다음과 같은 공정이 실행된<39>
다.
우선, 하형의 위에 기판이 설치된다. 다음에, 수지 재료가 기판의 전극과 전자 부품의 전극을 접속하는 도전성<40>
재료에 접촉하지 않도록, 기판의 주면상에 수지 재료가 재치된다. 그 후, 금형 쌍이 클로징된다. 다음에, 수지
재료가 가열된다. 그로 인해, 기판의 주면상에서 용융 수지가 생성된다. 또한, 전자 부품이 용융 수지 내로 포
함된다. 그 후, 용융 수지가 경화한다. 그로 인해, 수지 성형품이 형성된다.
이 방법에 의해서도, 한 국면의 수지 밀봉 방법에 의해 얻을 수 있는 효과와 거의 같은 효과를 얻을 수 있다.<41>
또한, 본 발명의 수지 밀봉 장치는, 상기 한 국면 및 다른 국면의 수지 밀봉 방법을 실행하는 수단을 구비한 것<42>
이다. 또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 하나 및 다른 국면의 수지 밀봉 방법을 이용한
것이다. 또한, 본 발명의 반도체 장치는, 전술한 제조 방법에 의해 제조된 것이다.
다음에, 본 발명의 수지 재료에 관해 설명한다.<43>
본 발명의 수지 재료는, 금형 쌍에 마련된 캐비티에서 생성된 용융 수지를 경화시킴에 의해, 기판의 주 표면에<44>
장착된 전자 부품을 수지 밀봉하는 때에 사용된다. 또한, 수지 재료는, 용융 수지의 원료로서 사용되는 고형의
것이다. 또한, 수지 재료는, 캐비티의 치수 및 형상에 대응하는 치수 및 형상을 갖고 있다.
이 수지 재료는, 캐비티를 구성하는 형면(型面)으로부터 열이 전달된다. 그 때문에, 전술한 다른 국면의 수지<45>
밀봉 방법에 이용하면, 형면으로부터 전달된 열을 유효하게 이용하여, 매우 짧은 시간에, 용융 수지를 생성할
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수 있다.
또한, 전술한 수지 재료는, 그 수지 재료가 기판의 주면상에 재치된 때에, 기판과 수지 재료와의 사이에 형성된<46>
공간이 전자 부품을 내포하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 전술한 공간의 크기는, 수지 재료가 기판의 전
극과 전자 부품의 전극을 접속하는 도전성 재료에 접촉하지 않도록, 설정되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 전술한 다른 국면의 수지 밀봉 방법에 있어서, 도전성 재료에 수지부재가 접촉함에 기인한<47>
도전성 재료 내의 응력의 발생이 방지된다. 그 결과, 수지 밀봉할 때에, 내부 응력의 발생에 의해 도전성 재료
가 손상되는 것이 억제된다.
또한, 수지 재료를 가열에 의해 용융시키는 때에 공간 내의 가스를 수지 재료의 외부로 유출시키기 위해, 수지<48>
재료에 노치가 마련되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 국면 및 이점은, 첨부한 도면과 관련하여 이해되는 본 발명에 관한 다음의<49>
상세한 설명으로부터 분명하게 될 것이다.
이하, 도면을 이용하여, 본 발명의 실시의 형태의 수지 밀봉 방법, 및 그것에 이용되는 수지 밀봉 장치, 그것을<50>
이용하는 반도체 장치의 제조 방법, 그로 인해 제조된 반도체 장치, 및 그것에 사용하는 수지 재료를 설명한다.
제 1의 실시예<51>
도 1 내지 도 3을 참조하여, 제 1의 실시예의 수지 밀봉 방법을 설명한다.<52>
도 1의 A 및 B에 도시된 바와 같이, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 이용되는 수지 밀봉 장치에는, 하형<53>
(lower mold; 1)과 상형(upper mold; 2)이 서로 대향하는 금형 쌍이 마련되어 있다. 또한, 수지 밀봉 장치에는,
하형(1)과 상형(2)을 클로징 및 오프닝하기 위한 프레스 수단(도시 생략)이 마련되어 있다.
또한, 도 1의 A에는, 하형(1)과 상형(2) 사이의 공간에 반송 유닛(3)이 위치하고 있는 상태가 도시되어 있다.<54>
반송 유닛(3)은, 도시되지 않은 구동 기구의 기능에 의해, 하형(1)과 상형(2) 사이의 공간에 삽입된 상태로 된
다. 또한, 구동 기구의 기능에 의해, 반송 유닛(3)을, 하형(1)과 상형(2) 사이의 공간으로부터 그 공간의 외측
으로 꺼내는 것이 가능하다. 또한, 판 형상으로 성형된 수지 재료(4)는, (진공 작용으로) 흡착됨에 의해, 반송
유닛(3)에 대해 고정된다. 또한, 반송 유닛(3)은, 구동 기구의 기능에 의해, 수지 재료(4)를 지지한 상태에서,
아래쪽으로 이동하는 것이 가능하다. 따라서 본 실시의 형태의 수지 밀봉 장치는, 반송 유닛(3)을 이용하여, 하
형(1)의 캐비티(5) 내로 수지 재료(4)를 공급하는 것이 가능하다.
하형(1)에는, 수지 재료(4)가 끼워넣어지는 캐비티(5)가 마련되어 있다. 이 캐비티(5) 내에는, 후술하는 바와<55>
같이, 용융 수지가 충전된다. 또한, 하형(1)에는 수지 저장부(6)가 마련되어 있다. 수지 저장부(6)와 캐비티
(5)는 연통하고 있다. 또한, 수지 저장부(6)는, 기체 유로(gas flow path; 7)에 연통하고 있다. 이 기체 유로
(7)는, 배관 및 밸브를 통하여 감압 펌프(모두 도시 생략)에 접속되어 있다. 또한, 기체 유로(7)는, 필요에 따
라, 압축 공기 탱크와 같은 가압원(도시 생략)에 접속되어 있어도 좋다. 또한, 하형(1)의 내부의 캐비티(5)의
부근에는, 캐비티(5)의 주변부를 가열하기 위한 히터(8)가 마련되어 있다.
수지 재료(4)는, 가열됨에 의해 경화하는 열경화성 수지로 이루어진다. 또한, 수지 재료(4)의 형상 및 치수는,<56>
캐비티(5)의 치수 및 형상에 대응하고 있다. 즉, 캐비티(5)의 형면의 형상과 수지 재료(4)의 외형은, 거의 일치
한다. 환언하면, 캐비티(5)의 형면의 모든 면과 수지 재료(4)의 표면은, 접촉하던지 또는 접근하는 상태로
된다. 또한, 도 1A에 도시한 바와 같이, 캐비티(5)의 상부의 클로징부(9)에 단차부(10)가 마련되어 있다. 수지
재료(4)는, 단차부(10)에 대응한 형상으로 형성되어 있다. 따라서 수지 재료(4)와 캐비티(5) 사이에 간극이 형
성되지 않도록, 수지 재료(4)가 캐비티(5)에 끼워넣어진다. 즉, 도 1의 A에 도시한 수지 재료(4)의 측면 및 하
면의 전체가, 캐비티(5)의 형면의 전체와, 실질적으로 접촉한다.
상형(2)에는, 오목 형상의 기판 유지부(11)가 마련되어 있다. 기판 유지부(11)의 저면(도 1A에서는 윗면)에는,<57>
흡착용 오목부(12)가 마련되어 있다. 흡착용 오목부(12)에는 기체 유로(13)가 연통하고 있다. 기체 유로(13)는,
배관 및 밸브를 통하여 감압 펌프(모두 도시 생략)에 접속되어 있다. 감압 펌프의 기능에 의해, 흡착용 오목부
(12) 내의 공기가, 기체 유로(13)를 통하여, 감압 펌프 내로 흡인된다. 그로 인해, 흡착용 오목부(12) 내가 부
압으로 된다. 그 결과, 흡착 기판 유지부(11)에 기판(14)이 흡착된다.
여기서, 기판(14)의 주 표면이 격자 형상의 가상선에 의해 복수의 가상 영역으로 분할된 상태를 생각한다. 그<58>
복수의 가상 영역 각각 내의 기판(14)에는 칩(15)이 하나 장착되어 있다. 또한, 기판(14)과 복수의 칩(15)의 전
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극(모두 도시 생략) 각각은, 와이어(16)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서 후술하는 바와 같이, 가상선
을 다이싱함에 의해, 하나의 칩(15)이, 분할된 기판(14)의 하나의 절단편에 탑재된, 반도체 패키지가 복수 형성
된다.
이하, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법을 설명한다. 우선, 도 1의 A에 도시한 바와 같이, 하형(1)과 상형(2)을<59>
오프닝한다. 다음에, 기판 반송 수단(도시 생략)을 이용하여 기판 유지부(11)에 기판(14)을 설치한다. 그 후,
감압 펌프를 이용하여, 기체 유로(13)를 통하여 흡착용 오목부(12) 내의 에어를 흡인한다. 그로 인해, 기판(1
4)은, 기판 유지부(11)에 흡착된다.
또한, 반송 유닛(3)은, 수지 재료(4)가 반송 유닛(3)에 흡착된 상태로, 캐비티(5)의 바로 위까지 이동한다. 그<60>
후, 수지 재료(4)는, 반송 유닛(3)으로부터 떼내어내진다. 그로 인해, 수지 재료(4)가 캐비티(5) 내로
낙하한다. 그 결과, 수지 재료(4)가 캐비티(5) 내로 끼워넣어진다. 또한, 반송 유닛(3)이 캐비티(5)의 윗쪽으로
부터 캐비티(5)의 부근으로 강하한 후, 반송 유닛(3)이 수지 재료(4)를 놓음에 의해, 수지 재료(4)가 캐비티(5)
내로 끼워넣어져도 좋다.
다음에, 히터(8)에 의해 하형(1)을 가열한다. 그로 인해, 하형(1) 내를 전도한 열이 하형(1)으로부터 수지 재료<61>
(4)로 전달된다. 따라서 수지 재료(4)가 가열된다. 그 결과, 수지 재료(4)가 용융한다. 그로 인해, 도 1의 B에
도시한 바와 같이, 용융 수지(17)가 생성된다. 그 후, 와이어(16)가 용융 수지(17)의 표면 부근에 위치하기까지
상형(2)을 하강시킨다. 또한, 기체 유로(7)를 통하여 하형(1)과 상형(2) 사이의 공간의 에어를 감압 펌프 내로
보내주면서, 즉, 하형(1)과 상형(2) 사이의 공간의 감압을 행하면서, 상술한 일련의 수지 성형을 위한 순서를
실행한다.
도 2의 A에 도시한 바와 같이, 상형(2)을 더욱 하강시킨다. 그로 인해, 하형(1)과 상형(2)의 클로징이<62>
완료된다. 이로써, 칩(15)과 와이어(16)가 용융 수지(17) 중에 잠긴다. 이 때, 기판(14)의 칩(15)이 장착되어
있는 부분의 주위도, 용융 수지(17)에 잠긴다. 또한, 캐비티(5)를 포함하는 공간은 감압되어 있다. 캐비티(5)
내에 존재하는 기체가 용융 수지(17) 내로 혼입되는 것이 방지된다. 그 때문에, 용융 수지(17) 중에 보이드가
발생하는 것이 억제된다. 또한, 캐비티(5)로부터 넘친 용융 수지(17)는, 수지 저장부(6) 내로 흘러 들어간다.
그 후, 도 2의 B에 도시한 바와 같이, 용융 수지(17)가 경화한다. 그 결과, 캐비티(5) 내에 경화 수지(18)가 형<63>
성된다. 이 경화 수지(18) 및 기판(14)에 의해, 도 2의 A에 도시한 칩(15) 및 와이어(16)가 내포된다. 그 결과,
수지 성형품(19)이 완성된다.
다음에, 도 3의 A에 도시한 바와 같이, 상형(2)을 상측으로 이동시킨다. 그로 인해, 하형(1)과 상형(2)을 오프<64>
닝한다. 그 후, 상형(2)으로부터 수지 성형품(19)을 꺼낸다. 또한, 필요에 따라, 가압 펌프로부터 기체 유로
(7)를 통하여 수지 저장부(6) 내로 압축 공기를 보내줌에 의해, 수지 저장부(6) 내에서 형성되어 버린 경화 수
지를 하형(1)으로부터 이형시켜도 좋다.
또한, 상형(2)으로부터 수지 성형품(19)을 꺼내는 때에는, 감압 펌프에 의한 흡착용 오목부(12) 내의 에어의 흡<65>
인을 정지한다. 그로 인해, 기판 유지부(11)에 흡착되어 있는 수지 성형품(19)은, 그 아래쪽의 공간에 삽입된
반송 유닛(3)상에 낙하한다. 그 후, 반송 유닛(3)은, 수지 성형품(19)을 트레이 등의 수납 수단이 존재하는 위
치 또는 다음 공정이 실행되는 위치로 반송한다. 그 후, 수지 성형품(19)이 다이서에 의해 절단된다. 그로
인해, 최종 제품인 반도체 패키지가 완성된다.
본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법의 하나의 특징은, 캐비티(5)의 치수 및 형상에 대응한 형상 및 치수를 갖는<66>
수지 재료(4)를 이용하는 것이다. 이에 의하면, 캐비티(5) 내에서 수지 재료(4)를 가열함에 의해, 용융 수지
(17)를 종래보다도 매우 짧은 시간에 형성할 수 있다.
또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법의 다른 특징은, 하형(1)과 상형(2)을 클로징하는 때에, 기판(14)에 장<67>
착된 칩(15)과 와이어(16)를 용융 수지(17) 중으로 서서히 담궈가는 것이다.
이에 의하면, 용융 수지(17)는, 기판(14)의 주 표면에 수직한 방향, 즉 캐비티(5)의 깊이 방향에서 매우 짧은<68>
시간만 유동한다. 또한, 용융 수지(17)는, 전체적으로 거의 균일하게 유동한다. 또한, 용융 수지(17)는, 루프
형상의 와이어(16)를 포함하는 면에 대해 수직한 방향으로는 거의 유동하지 않는다. 즉, 용융 수지(17)는 루프
형상의 와이어(16)를 쓰러뜨리는 방향 또는 변형시키기 쉬운 방향으로는 유동하기 어렵다. 환언하면, 용융 수지
(17)는, 루프 형상의 와이어(16)를 포함하는 면에 대해 평행한 방향으로 유동한다. 요컨대, 용융 수지(17)는,
루프 형상의 와이어(16)가 가장 변형하기 어려운 방향, 즉 루프 형상의 와이어(16)의 높이가 낮아지는 방향으로
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유동한다.
또한, 상술한 수지 밀봉 방법에 의하면, 캐비티(5)를 포함하는 공간을 감압하면서 칩(15) 및 와이어(16)를 용융<69>
수지(17) 내로 담그기 때문에, 용융 수지(17) 내에 기포가 혼입되기 어렵다. 그 때문에, 용융 수지(17) 내의 보
이드의 발생이 억제된다.
전술한 것을 정리하면, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 의하면, 용융 수지(17)는, 점성이 낮다, 즉 유동성<70>
이 높은 상태를 유지함과 함께, 수지 성형중에 와이어(16)에 대해 과대한 외력이 가해지지 않는다. 그 결과, 대
형의 기판상에서 전자 부품을 수지 밀봉하는 경우에도, 수지 내의 보이드의 형성, 수지의 미충전부의 형성, 및
와이어(16)의 변형 등의 불량의 발생이 방지된다.
또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 의하면, 수지 유로가 불필요하게 되기 때문에, 수지 유로에 불필요한<71>
경화 수지가 잔존하는 일이 없다. 그 때문에, 수지 재료의 유효 이용이 도모된다.
또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 성형 방법에서는, 캐비티(5)의 치수 및 형상에 대응한 치수 및 형상을 갖는<72>
수지 재료(4)가 사용된다. 그러나, 수지 재료(4) 대신에, 캐비티(5)에 소정량의 입자상 수지, 또는 액상 수지가
공급되는 수지 밀봉 방법이라도, 전술한 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 의해 얻을 수 있는 효과와 같은 효
과를 얻을 수 있다.
또한, 도 3의 B에 도시한 바와 같이, 상형(2)과 하형(1)에 의해 끼여진 공간의 기밀성을 유지하기 위해, 변형<73>
가능한 플라스틱 시트로 이루어지는 실 부재(20)가 클로징부(9)에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 실 부
재(20)로서는, 원형의 단면을 갖는 테두리 형상의 부재(O링)가 사용될 수 있다.
제 2의 실시예<74>
다음에, 제 2의 실시예의 수지 밀봉 방법을, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 4의 A 내지 도 5의 B는,<75>
본 실시의 형태의 수지 밀봉 장치의 구성을 도시한 도면이다. 또한 도 4의 A 내지 도 5의 B의 각각에서는, 도 1
의 A 내지 도 3의 B를 이용하여 설명한 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 구성 요소와 동일한 명칭이 부여되어
있는 구성 요소에 관해서는, 제 1의 실시예에서 설명한 기능과 같은 기능을 갖기 때문에, 그 구성 요소의 기능
의 설명은 반복하지 않는다.
도 4의 A 내지 도 5의 B에 도시된 바와 같이, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 장치에서는, 하형(21)상에 기판(14)<76>
이 재치되어 있다. 기판(14)상에는 수지 재료(22)가 재치되어 있다. 수지 재료(22)는, 상형(25)에 마련된 캐비
티(후술)의 치수 및 형상에 대응한 치수 및 형상을 갖고 있다. 또한, 수지 재료(22)는, 평판부(23)와 에지부
(24)로 구성되어 있다. 도 4의 A 및 B에 도시한 바와 같이, 평판부(23)가 기판(14)에 대해 평행한 방향으로 늘
어나도록, 또한, 에지부(24)가 기판(14) 및 평판부(23) 각각에 대해 수직한 방향으로 늘어나도록, 수지 재료
(22)가 기판(14)의 위에 설치된다.
이 때, 도 4의 B에 도시한 바와 같이, 기판(14)의 주 표면에 대해 수직한 방향에 있어서, 평판부(23) 및 에지부<77>
(24)의 내측면과 기판(14)의 주 표면에 의해 구성되는 공간의 높이가 와이어(16)의 높이보다 높으면, 평판부
(23)가 와이어(16)에 접촉하는 것이 방지된다. 또한, 수지 재료(22)를 가열에 의해 용융시키는 때에 전술한 공
간 내의 가스를 수지 재료(22)의 외부로 유출시키기 위해, 에지부(24)에 노치를 마련하여 두는 것이
바람직하다.
또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 장치에서는, 도 5의 A에 도시한 바와 같이, 상형(25)의 내부에는, 히터(27)<78>
가 마련되어 있다. 또한, 상형(25)에는, 캐비티(26)가 마련되어 있다. 또한, 클로징부(28)의 상형(25)의 측에,
제 1의 실시예에서 나타낸 실 부재(20)(도 3B 참조)와 마찬가지의 실 부재가 마련되어도 좋다. 또한, 상형(25)
및 하형(21)의 어느 한쪽에, 제 1의 실시예의 수지 저장부(6) 및 기체 유로(7)(도 1의 A 및 B 참조)와 마찬가지
의 수지 저장부 및 기체 유로가 마련되어 있어도 좋다.
이하, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법을 설명한다. 우선, 도 4의 A에 도시한 바와 같이, 금형이 오프닝된 상<79>
태에서, 하형(21)상의 소정의 위치에 기판(14)을 재치한다. 이 상태에서는, 히터(8)에 의해 가열된 하형(21)이
기판(14)을 가열한다.
다음에, 도 4의 B에 도시한 바와 같이, 기판(14)상의 소정의 위치에 수지 재료(22)를 설치한다. 이 상태에서,<80>
수지 재료(22)에는 기판(14)이 발하는 열이 전달된다. 그로 인해, 수지 재료(22)가 가열된다. 이 열처리 공정이
시작되기 전에는, 전술한 바와 같이, 수지 재료(22)와 기판(14) 사이에 형성된 공간의 높이가, 와이어(16)의 높
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이보다도 충분히 높기 때문에, 수지 재료(22)가 와이어(16)에 접촉하는 일은 없다.
다음에, 도 5의 A에 도시한 바와 같이, 히터(27)에 의해 가열된 상형(25)을, 수지 재료(22)의 평판부(23)에 접<81>
근시킨다. 그로 인해, 수지 재료(22)를 더욱 가열한다. 그 결과, 상형(25) 및 하형(21)의 쌍방에 의해 가열된
수지 재료(22)는, 서서히 용융하기 시작한다. 이 상태에서는, 하형(21)과 상형(25)은, 아직 완전하게는 클로징
되어 있지 않다. 그 후, 수지 재료(22)가 용융되어 용융 수지(17)가 생성되어 감에 따라서, 상형(25)을 서서히
하형(21)을 향하여 하강시킨다. 상형(25)과 하형(21)이 접촉함에 의해, 클로징이 완료된다.
전술한 일련의 동작은, 하형(21)과 상형(25)에 의해 형성되는 공간을 감압하면서 행하여진다. 그 후, 도 5의 B<82>
에 도시한 바와 같이, 용융 수지(17)에 의해 캐비티(26)가 충전된 상태에서, 계속하여 용융 수지(17)를 가열한
다.
이하, 제 1의 실시예의 도 2의 B를 이용하여 설명된 공정과 마찬가지로, 용융 수지(17)를 경화시킨다. 그로 인<83>
해, 수지 성형품(19)이 형성된다. 다음에, 제 1의 실시예의 도 3의 A를 이용하여 설명된 공정과 마찬가지로, 수
지 성형품(19)을 꺼낸 후, 수지 성형품(19)을 트레이 등의 수납 수단이 존재하는 위치 또는 다음 공정이 실행되
는 위치로 반송하는 공정이 실행된다.
본 실시의 형태의 수지 밀봉 성형 방법의 특징의 하나는, 수지 재료(22)가 캐비티(26)의 치수 및 형상에 대응한<84>
치수 및 형상을 갖는 것이다. 또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 성형 방법의 다른 특징은, 와이어(16)와 수지
재료(22)가 접촉하지 않도록, 기판(14)과 수지 재료(22)에 의해 형성된 공간 내에 칩(15) 및 와이어(16)가 내포
되는 상태로 하는 것이다. 또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 성형 방법의 또한 다른 특징은, 기판(14)상에 재
치된 수지 재료(22)가, 상형(25)에 접근 또는 접촉함에 의해, 가열되어 용융하는 것이다.
전술한 특징을 갖는 본 실시의 형태의 수지 성형 방법에 의하면, 수지 재료(22)는, 그것이 용융하기 전의 고형<85>
의 상태에서는 와이어(16)에 접촉하지 않는다.
또한, 수지 재료(22)로부터 생성된 용융 수지(17)가, 기판(14)의 주면에 수직한 방향, 즉 캐비티(5)의 깊이 방<86>
향으로 매우 짧은 시간에 유동한다. 그로 인해, 기판(14)에 장착된 칩(15)과 와이어(16)가 용융 수지(17) 내로
매몰된다. 따라서 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 의하면, 제 1의 실시예의 수지 밀봉 방법과 마찬가지로,
수지 성형품의 경화 수지 내에 보이드가 형성되는 것, 수지 성형품에 수지가 미충전으로 되는 부분이 잔존하는
것, 및 와이어(16)가 변형하는 것 등의 부적당함의 발생이 방지된다. 또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에
의하면, 매우 짧은 시간에 수지 밀봉이 행하여진다.
또한, 수지 유로가 불필요하게 되어, 수지 유로에 경화 수지가 형성되는 일이 없어지기 때문에, 수지 재료가 유<87>
효하게 이용된다. 또한, 기판(14)을 상형(25)이 아니라 하형(21)에 재치하기 때문에, 기판(14)을 흡착하는 기구
가 불필요해진다. 그 결과, 수지 밀봉 장치의 기구가 간소화된다.
또한, 전술한 제 1의 실시예 및 2의 수지 밀봉 방법에서는, 수지 재료(4, 22)는 열경화성 수지로 이루어지는 것<88>
으로 하여, 그 설명이 이루어져 있다. 그러나, 수지 재료(4, 22)는, 열가소성 수지로 이루어지는 것이라도
좋다. 이 경우에는, 수지 재료(4, 22)를 가열함에 의해 용융시킴과 함께, 상형(2, 25)과 하형(1, 21)이 클로징
된 후에, 상형(2, 25) 및 하형(1, 21) 각각의 온도를 내림에 의해, 용융 수지(17)를 경화시키는 수법이 이용된
다.
또한, 전술한 제 1의 실시예 및 2의 수지 밀봉 방법에서는, 수지 밀봉 장치에 감압 펌프(도시 생략)가 마련되어<89>
있고, 감압 펌프에 의해 상형(2, 25)과 하형(1, 21)에 의해 형성되는 공간을 감압하는 수법이 이용되고 있다.
그러나, 수지 재료(4, 22)에 포함되는 가스의 량 및 수지 성형품(19)에 요구되는 품질 등에 대한 악영향을 억제
하기 위해, 감압 펌프를 사용하지 않는 수법이 사용되어도 좋다.
또한, 제 1의 실시예 및 2의 수지 밀봉의 대상 제품으로서는, 기판(14)의 전극과 칩(15)의 전극을 전기적으로<90>
접속하기 위한 도전성 재료가 와이어(16)인 제품이 사용되고 있다. 그러나, 기판(14)의 전극과 칩(15)의 전극이
직접 접속된 플립칩이 수지 밀봉의 대상품으로서 사용되어도 좋다.
또한, 기판(14)의 재질은, 리드 프레임과 같은 금속라도 좋음과 함께, 보통의 프린트 기판과 같은 수지 베이스<91>
의 재질이라도 좋다. 또한, 기판(14)은, 금속 베이스 기판 또는 세라믹 기판이라도 좋다. 또한, 기판(14)은, 실
리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 또는 SOI(Silicon On Insulator) 기판 등의 반도체 기판이고, 주 표면에 Cu 등
으로 이루어지는 배선이 프린트된, 소위 웨이퍼 레벨 패키지용의 기판이라도 좋다. 이 경우에는, 도 1의 수지
재료(4)가 캐비티(5)의 치수 및 형상에 대응한 평판 형상이고, 그 두께가 캐비티(5)의 깊이보다도 큰 것이 바람
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직하다.
또한, 기판(14)의 주 표면의 윗쪽에 설치되는 도 5의 A의 수지 재료(22)는, 캐비티(26)의 치수 및 형상에 대응<92>
한 형상인 것이 바람직하다. 이 경우, 수지 재료(22)의 두께가 캐비티(26)의 깊이보다도 큰 것이 바람직하다.
이에 의하면, 수지 재료(22)가, 기판(14) 및 상형(25)에 직접 접촉한다. 그 때문에, 수지 재료(22)는 상하 쌍방
향으로부터 가열된다. 따라서 종래의 방법에 비교하여 매우 짧은 시간에 수지 재료(22)를 용융시킬 수 있다.
또한, 기판(14)은, 반도체 기판 이외에, 예를 들면, 칩 콘덴서 등의 제조에 사용되는 기판이라도 좋다.<93>
본 발명을 상세히 설명하고 나타내어 왔지만, 이것은 예시를 위한 것으로, 한정하는 것이 아니며, 발명의 취지<94>
과 범위는 첨부한 청구의 범위에 의해서만 한정되는 것이 분명히 이해될 것이다.
발명의 효과
본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 의하면, 용융 수지(17)는, 점성이 낮다, 즉 유동성이 높은 상태를 유지함과<95>
함께, 수지 성형중에 와이어(16)에 대해 과대한 외력이 가해지지 않는다. 그 결과, 대형의 기판상에서 전자 부
품을 수지 밀봉하는 경우에도, 수지 내의 보이드의 형성, 수지의 미충전부의 형성, 및 와이어(16)의 변형 등의
불량의 발생이 방지된다.
또한, 본 실시의 형태의 수지 밀봉 방법에 의하면, 수지 유로가 불필요하게 되기 때문에, 수지 유로에 불필요한<96>
경화 수지가 잔존하는 일이 없다. 그 때문에, 수지 재료의 유효 이용이 도모된다.
도면의 간단한 설명
도 1의 A는 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 수지 재료가 캐비티 내에 설치되기 전의 상태<1>
를 도시한 도면.
도 1의 B는 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 용융 수지가 캐비티 내에서 생성된 후, 금형<2>
쌍이 클로징되기 전의 상태를 도시한 도면.
도 2의 A는 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 금형 쌍이 클로징됨에 의해 기판에 장착된 칩<3>
이 용융 수지 내에 잠긴 상태를 도시한 도면.
도 2의 B는 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 캐비티 내에서 경화 수지가 형성된 상태를 도<4>
시한 도면.
도 3의 A는 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 금형 쌍이 오프닝된 후, 수지 성형품이 상형으<5>
로부터 꺼내지기 전의 상태를 도시한 도면.
도 3의 B는 제 1의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 금형 쌍이 클로징되어 있는 때의 클로징부의<6>
상태를 도시한 도면.
도 4의 A는 제 2의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 수지 재료가 기판상에 설치되기 전의 상태를<7>
도시한 도면.
도 4의 B는 제 2의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 수지 재료가 기판상에 설치된 상태를 도시한<8>
도면.
도 5의 A는 제 2의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 상형이 수지 재료에 접촉함에 의해, 수지 재료<9>
가 가열되어 있는 상태를 도시한 도면.
도 5의 B는 제 2의 실시예의 수지 밀봉 장치의 부분 단면도로서, 금형 쌍이 클로징된 상태에서 수지 재료가 용<10>
융함에 의해, 용융 수지가 캐비티 내에 충전된 상태를 도시한 도면.
♠도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명♠<11>
1 : 하형 2 : 상형<12>
3 : 반송 유닛 4 : 수지 재료<13>
5 : 캐비티 6 : 수지 저장부<14>
7 : 기체 유로 8 : 히터<15>
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9 : 클로징부 10 : 단차부<16>
11 : 기판 유지부 12 : 흡착용 오목부<17>
13 : 기체 유로 14 : 기판<18>
15 : 칩 16 : 와이어<19>
17 : 용융 수지<20>
도면
도면1
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도면2
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도면3
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