유전 물질 및 BEOL 상호 접속 구조체(AN ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AS ANINTRALEVEL OR INTERLEVEL DIELECTRIC IN A SEMICONDUCTORDEVICE)

(19)대한민국특허청(KR)
(12) 등록특허공보(B1)

(51) 。Int. Cl.
H01L 21/31 (2006.01)
(45) 공고일자
(11) 등록번호
(24) 등록일자
2007년04월02일
10-0702508
2007년03월27일
(21) 출원번호 10-2004-7019929 (65) 공개번호 10-2005-0010867
(22) 출원일자 2004년12월07일 (43) 공개일자 2005년01월28일
심사청구일자 2005년01월24일
번역문 제출일자 2004년12월07일
(86) 국제출원번호 PCT/US2003/019183 (87) 국제공개번호 WO 2004/001815
국제출원일자 2003년06월18일 국제공개일자 2003년12월31일
(30) 우선권주장 10/174,749 2002년06월19일 미국(US)
(73) 특허권자 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
미국 10504 뉴욕주 아몬크 뉴오차드 로드
(72) 발명자 그릴알프레드
미국 10605 뉴욕주 화이트 플레인즈 오버룩 로드 85
파텔비쉬누브하이브이
미국 10598 뉴욕주 요크타운 하이츠 윌로웨이 스트리트 2289
(74) 대리인 김창세
장성구
김원준
(56) 선행기술조사문헌
US06,395,649 *
* 심사관에 의하여 인용된 문헌
심사관 : 김종희
전체 청구항 수 : 총 10 항
(54) 유전 물질 및 ＢＥＯＬ 상호 접속 구조체
(57) 요약
Si, C, O 및 H 원자를 포함하며, 공유 결합된 3차원 네트워크 구조체 및 2.6 이하의 유전 상수를 가진 열적으로 안정된 초
저 유전 상수 막이 제공된다. 이 유전 상수 막은 공유 결합된 링 네트워크를 추가로 가질 수 있다. 공유 결합된 3차원 네트
워크 구조는 Si-O, Si-C, Si-H, C-H 및 C-C 공유 결합을 포함하고, F 및 N을 선택적으로 포함할 수 있다. 이 막에서 Si원
자는 선택적으로 Ge원자로 치환될 수 있다. 유전 상수 막은 1.3마이크로미터 이하의 두께를 가지며, 초당 10-10미터 이하
의 수중 균열 전파 속도를 갖는다. BEOL 절연체, 덮개 또는 하드마스크 층으로서 개선된 유전막을 포함하는 BEOL 상호
접속 구조체가 더 제공된다.
등록특허 10-0702508
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대표도
특허청구의 범위
청구항 1.
Si, C, O 및 H 성분을 포함하는 유전 물질에 있어서,
공유 결합된 랜덤 3차원 네트워크 구조(a covalently bonded random tri-dimensional network structure)를 가지고,
2.6 이하의 유전 상수를 가지며, 다수의 나노미터 크기의 공극(pores)을 포함하며, 1000-1100㎝-1에서 두 개의 피크로
나누어지는 Si-O 흡수 대역을 갖고 2150-2250㎝-1에서 Si-H 흡수 대역이 없는 FTIR 스펙트럼을 가지는
유전 물질.
청구항 2.
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 상수는 1.6 내지 2.6인
유전 물질.
청구항 3.
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 상수는 1.8 내지 2.2인
유전 물질.
청구항 4.
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 상수는 2.2 이하인
등록특허 10-0702508
- 2 -
유전 물질.
청구항 5.
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 상수는 2.1 이하인
유전 물질.
청구항 6.
제 1 항에 있어서,
상기 공유 결합된 랜덤 3차원 네트워크 구조는 Si-O, Si-C, Si-H, C-H 및 C-C 결합을 포함하는
유전 물질.
청구항 7.
제 1 항에 있어서,
5와 40원자% 사이의 Si와,
5와 45원자% 사이의 C와,
0과 50원자% 사이의 O와,
10과 55원자% 사이의 H
를 포함하는 유전 물질.
청구항 8.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 물질은 공유 결합된 링 네트워크를 더 가지는
유전 물질.
청구항 9.
청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 물질은 적어도 350℃의 온도까지 열적으로 안정되는
등록특허 10-0702508
- 3 -
유전 물질.
청구항 10.
제 1 항에 있어서,
상기 Si는 적어도 부분적으로 Ge로 치환되는
유전 물질.
청구항 11.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 물질은 F, N 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 성분을 더 포함하는
유전 물질.
청구항 12.
삭제
청구항 13.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 나노미터 크기의 공극의 직경은 0.3과 50 나노미터 사이인
유전 물질.
청구항 14.
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 나노미터 크기의 공극의 직경은 0.4와 10 나노미터 사이인
유전 물질.
청구항 15.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 나노미터 크기의 공극은 상기 유전 물질 체적의 0.5%와 50% 사이의 체적을 차지하는
유전 물질.
등록특허 10-0702508
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청구항 16.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 물질은 1.3마이크로미터 이하의 두께 및 10-9 미터/초 이하의 수중 균열 전파 속도(a crack propagation
velocity in water)를 가지는
유전 물질.
청구항 17.
청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
제 1 항에 있어서,
상기 유전 물질은 1.3마이크로미터 이하의 두께 및 10-10 미터/초 이하의 수중 균열 전파 속도를 가지는
유전 물질.
청구항 18.
BEOL(back-end-of-the-line) 절연체, 덮개(cap) 층 또는 하드마스크 층으로서 유전 물질을 포함하는 BEOL 상호 접속
구조체에 있어서,
상기 유전 물질은
Si, C, O 및 H 성분을 포함하고,
공유 결합된 랜덤 3차원 네트워크 구조를 가지며,
다수의 나노미터 크기의 공극을 포함하며,
2.6 이하의 유전 상수를 가지고,
1000-1100㎝-1에서 두 개의 피크로 나누어지는 Si-O 흡수 대역을 갖고 2150-2250㎝-1에서 Si-H 흡수 대역이 없는
FTIR 스펙트럼을 가지는
BEOL 상호 접속 구조체.
명세서
기술분야
본 출원은 2001년 8월 24일에 출원된 Alfred Grill 등의 미국 특허 출원 제 09/938,949 호인 "An Improved Method for
Fabricating an Ultralow Dielectric Constant Material as an Intralevel or Interlevel Dielectric in a Semiconductor
Device"에 기초한 2001년 10월 25일에 출원된 PCT 출원 제 US01/50830 호인 "An Improved Method For Fabricating
An Ultralow Dielectric Constant Material As An Intralevel Or Interlevel Dielectric In A Semiconductor Device"의
일부 연속 출원이고, 상기 미국 특허 출원 제 09/938,949 호는 2001년 1월 25일에 출원된 Alfred Grill 등의 제09/
769,089호인 "An Ultralow Dielectric Constant Material as an Intralevel or Interlevel Dielectric in a Semiconductor
등록특허 10-0702508
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Device and Electronic Device Containing the Same"의 일부 연속 출원으로, 이는 2000년 10월 25일에 출원된 미국 가
출원 제60/243,169호인, "An Ultralow Dielectric Constant Material as an Intralevel or Interlevel Dielectric in a
Semiconductor Device Made"를 우선권으로 주장하고 있다.
배경기술
본 발명은 전체적으로 자신과 관련된 초저 유전 상수(또는 초저-k)를 가진 유전 물질을 제조하는 방법 및 이러한 유전 물
질을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. 더 상세하게는 본 발명은 극초 대규모 집적 회로(ultra large scale
integration:ULSI)의 BEOL(back-end-of-the-line) 기록 구조체에서 레벨내 유전체 또는 레벨간 유전체로서 사용되는
열적으로 안정된 초저-k 막을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제작된 전자 구조체에 관한 것이다.
최근 ULSI 회로에 사용되는 전자 장치의 치수가 계속해서 감소하고 있으며, 그 결과 BEOL 금속의 저항 및 레벨내 및 레벨
간 유전체의 캐패시턴스를 증가시킨다. 이 효과가 결합되어서 ULSI 전자 장치내의 신호 지연을 증가시킨다. 미래의 ULSI
회로의 스위칭 성능을 개선하기 위해서, 낮은 유전 상수(k)의 절연체 및 특히 실리콘 산화물보다 훨씬 낮은 유전 상수를 가
진 유전체가 캐패시턴스를 감소시키는데 필요하다. 낮은 k를 가진 유전 물질(즉, 유전체)이 상업적으로 이용되어 왔다. 예
컨대, 이러한 물질 중 하나가 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE)로, 2.0의 k값을 갖는다. 그러나, 이들 유전 물질은
300~350℃ 이상의 온도에 노출되면, 열적으로 안정되지 않는다. 이들 유전체를 ULSI 칩에 집적하기 위해서는 최소
400℃의 열 안정성을 필요로 한다. 결과적으로 이들 유전체는 집적 과정 동안 사용될 수 없다.
ULSI 장치에 적용하는 것으로 고려되어 온 로우-k 물질은 메틸실록산, 메틸실세퀴옥산, 및 다른 유기 및 무기 중합체와 같
은 Si, C, O 및 H를 함유하는 중합체를 포함한다. 예컨대, 문헌(N. Hacker 등의 "Properties of new low dielectric
constant spin-on silicon oxide based dielectrics" Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 476(1997):25)은 열 안정성 조건을 만
족시키는 것으로 나타난 물질을 설명하고 있지만, 막이 스핀온 기술로 마련되는 경우, 상호 접속 구조체에서의 집적에 필
요한 두께에 이르게 되면 물질 중 일부가 균열을 쉽게 전파시키는 경향이 있다. 또한, 전구체 물질은 매우 고가여서 대용량
으로 사용하기에는 무리가 있다. 또한, 이와는 달리, VLSI 및 ULSI 칩은 플라즈마 강화 화학 또는 물리 증기 증착 기술에
의해 수행된다. 용이하게 입수가능한 처리 장비를 사용해서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착("PECVD") 기술로 로우-k 물질
을 제조하는 능력은 집적 공정에서의 물질의 집적을 간소화시켜서, 제조 비용을 감소시키고, 유해 쓰레기를 덜 배출한다.
본 발명과 함께 동일 양수인에게 양도되었고, 그 전체 내용이 여기에 참조로서 포함되는, 함께 계류중인 "Hydrogenated
Oxidized Silicon Carbon Material"라는 명칭으로 1998년 6월 19일에 미국 출원된 미국 특허 출원 제 09/107,567 호는
3.6 이하의 유전상수를 갖고 있고, 매우 느린 균열 전파 속도를 나타내는 Si, C, O 및 H 원자로 이루어진 초저 유전 상수 물
질을 개시하고 있다.
본 발명과 함께 동일 양수인에게 양도되었고, 그 전체 내용이 여기에 참조로서 포함되며, 함께 계류중인, "Multiphase Low
Dielectric Constant Material and Method of Deposition"라는 명칭으로 1999년 5월 16일에 미국 출원된 미국 특허 제
09/320,495호에는 Si, C, O 및 H 원자로 이루어진 매트릭스, 주로 C 및 H 원자로 이루어진 상(a phase) 및 3.2 이하의 유
전 상수를 갖고 있는 이중 상(a dual-phase) 물질을 개시하고 있다. 이러한 물질의 유전 상수가 계속해서 감소함으로써 이
러한 물질을 포함하는 전자 장치의 성능이 더 증가할 것이라는 점에 주의한다.
위의 설명의 견지에서, 약 2.6 이하의 유전 상수를 가져서, 균열을 방지하는 유전 물질을 개발할 필요성이 항상 존재하고
있다.
발명의 상세한 설명
따라서, 본 발명의 목적은 2.6 이하의 유전 상수를 갖는 초저 유전 상수 물질을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 더 상세
하게는, 초저 k 물질의 유전 상수는 약 1.6 내지 약 2.6의 범위에 있고, 가장 바람직하게는 그 유전 상수는 약 1.8 내지 약
2.2의 범위에 있다. 모든 유전 상수는 별도로 특정되지 않는 경우에는 진공 상태에 대한 것이라는 것에 주의한다.
본 발명의 다른 목적은 적어도 2개의 전구체의 혼합물로부터 Si, C, O 및 H를 함유하는 초저 유전 상수 물질을 제조하는
방법을 제공하는 것으로, 여기서 제 1 전구체는 SiCOH 혼합물을 포함하는 링 구조를 가진 분자로부터 선택되고, 제 2 전
구체는 링 구조를 가진 분자로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기 분자이다.
등록특허 10-0702508
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본 발명의 또 다른 목적은 Si, C, O 및 H를 함유하며, 공유 결합된 3차원 네트워크 구조를 가진 열적으로 안정된 초저 유전
상수 물질을 제공하는 것으로, 이는 적어도 Si-O, Si-C, Si-H, C-H 및 C-C 결합과 같은 공유 결합을 포함한다. 개선된 물
질은 중합체가 아니라 대신에 적어도 위의 공유 결합을 가진 랜덤 3차원(즉, 3차원) 구조를 포함한다.
본 발명의 다른 목적은 평행 플레이트 플라즈마 강화 화학 기상 증착("PECVD") 반응기에서 초저 유전 상수 막을 제조하는
방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 CO2 또는 CO2 및 O2가 존재하는 중에서 기판 상에 막을 증착시킴으로써 초저 유전 상수 물질을
제조하는 개선된 방법을 제공하는 것으로, 이로써 증착된 막의 균일성을 개선하고 PECVD 반응기 내의 플라즈마를 안정화
시킬 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 BEOL 상호 접속 구조에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 전자 구조체에서 사용되는 초저 유전 상
수 물질을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 낮은 내부 응력 및 약 2.6 이하의 유전 상수를 가진 열적으로 안정적인 초저 유전 상수 물질을 제공
하는 것이다. 더 바람직하게는, 초저 k 물질의 유전 상수는 약 1.6 내지 약 2.6이고, 가장 바람직하게는 유전 상수는 약 1.8
내지 약 2.2이다.
본 발명의 또 다른 목적은 BEOL 배선 구조체에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 물질의 층을 포함하는 전자 구조체
를 제공하는 것으로, 여기서 적어도 2개의 절연 물질층이 본 발명의 초저 유전 상수 물질을 포함한다.
본 발명의 또 다른 목적은 BEOL 배선 구조체에서 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 새로운 초저 유전 상수 물질의 층을 구
비하며, 반응성 이온 에칭("RIE") 마스크 폴리싱 차단제 또는 확산 장벽으로서 적어도 하나의 유전체 덮개 층을 더 포함하
는 전자 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라서, Si, C, O 및 H 원자를 포함하며, Si-O, Si-C, Si-H, C-H 및 C-C 공유 결합을 포함하면서 나노기공성
(nanoporosity)의 원자 레벨을 가진 공유 결합된 3차원 네트워크 구조체를 포함하는 매트릭스를 가진 열적으로 안정된 유
전 물질을 제조하는 방법이 제공된다. 유전 물질은 선택적으로 F 및 N을 더 포함할 수 있고, 적어도 부분적으로 Ge로 치환
되는 Si 원자를 가질 수 있다. 또한, 유전 물질은 공유 결합된 링 네트워크를 가질 수 있다. 바람직한 실시예에서, 유전 물질
은 기본적으로 Si, C, O 및 H로 이루어진 매트릭스를 구비하고 있다. 본 발명은 Si, C, O 및 H의 원자를 포함하는 제 1 전
구체 가스, C, H의 원자를 포함하고, 선택적으로 O, F 및 N의 원자를 포함하는 제 2 전구체 가스 및 선택적으로는 Ge를 포
함하는 제 3 전구체 가스를 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 반응기에서 반응시킴으로써 유전 물질을 제조하는 방법을
더 포함한다. 본 발명은 또한 제 1 전구체 가스를 CO2와 혼합하거나 제 1 및 제 2 전구체 가스를 CO2 및 O2와 혼합함으로
써, PECVD 반응기 내에서 플라즈마를 안정시키고, 기판 상에 증착되는 유전막의 균일성을 개선시킨다. 본 발명은 또한
BEOL 배선 구조체에서 사용되는 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 물질의 층을 가진 전자 구조체(즉, 기판)를 더 제공
하며, 여기서 절연 물질은 본 발명의 초저 k막이 될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 반응기를 마련하는 단계와, 이 반응기에 전자 구조체(즉, 기
판)를 위치시키는 단계와, Si, C, O 및 H의 원자를 포함하는 제 1 전구체 가스를 이 반응기에 송풍하는 단계와, C, H 및 선
택적으로는 O, F 및 N을 포함하는 제 2 전구체 가스 혼합물을 이 반응기에 송풍하는 단계를 포함하고, 선택적으로는 Ge를
포함하는 제 3 전구체 가스를 송풍하는 단계를 더 포함하며, 초저 k 막을 기판에 증착시키는 단계를 포함하는 열적으로 안
정된 초저 유전 상수(초저 k)막을 제조하는 방법이 제공된다. CO2 또는 CO2 및 O2가 존재하는 중에서 증착 단계가 수행될
수 있다. 바람직하게는, 제 1 전구체는 1,3,5,7-TMCTS(tetramethylcyclotetrasiloxane) 또는 C4H1604Si4와 같은
SiCOH 성분을 포함하는 링 구조체를 가진 분자로부터 선택된다. 제 2 전구체는 링 구조체를 가진 분자로 이루어진, 바람
직하게는 분자에 하나 이상의 링이 존재하는 그룹으로부터 선택된 유기 분자가 될 수 있다. 적어도 하나가 헤테로원자, 바
람직하게는 산소를 포함하는 퓨즈된 링(fused ring)을 포함하는 종류가 특별히 사용되기도 한다. 이런 종류 중에서, 대부
분이 상당한 링 응력을 전하는 크기의 링, 즉 3 또는 4 원자 및/또는 7이상의 원자의 링을 포함한다. 특히 사이클로펜텐 산
화물("CPO" 또는 "C5H8O")과 같은 옥사바이사이클릭(oxabicyclic)이라고 알려진 혼합물의 일종의 멤버가 특히 선호된다.
제 3 전구체는 수소화 게르만 또는 소스 Ge를 포함하는 임의의 다른 반응액으로 이루어질 수 있다.
등록특허 10-0702508
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선택적으로, 본 발명의 증착막은 적어도 약 0.25 시간 동안, 약 300℃ 이하의 온도에서 열처리될 수 있다. 이 방법은 평행
플레이트 반응기를 제공하는 단계를 더 포함하되, 이는 약 300㎠와 약 700㎠ 사이의 기판 척의 도전성 영역 및 기판과 상
부 전극 사이에 약 1㎝와 약 10㎝ 사이의 갭을 갖는다. 고주파 RF 전력이 약 12㎒와 15㎒ 사이의 주파수로 전극 중 하나에
인가된다. 선택적으로는, 추가적인 저주파수 전력이 전극 중 하나에 인가될 수 있다. 열처리 단계는 제 1 시간 동안 약
300℃ 이하의 온도에서 수행되고, 제 2 시간 동안 380℃ 이상의 온도에서 더 수행될 수 있으며, 제 2 시간은 제 1 시간보
다 더 길다. 제 2 시간은 제 1 시간의 적어도 약 10배가 될 수 있다.
본 발명의 초저 유전 상수 막의 증착 단계는 기판 온도를 약 25℃와 약 400℃ 사이로 설정하는 단계와, 고주파 RF 전력 밀
도를 약 0.05W/㎠와 약 2.0W/㎠ 사이로 설정하는 단계와, 제 1 전구체의 유량을 약 5sccm과 약 1000sccm 사이로 설정
하는 단계와, 제 2 전구체의 유량을 약 5sccm과 약 1000sccm 사이로 설정하는 단계와, 반응기 압력을 약 50mTorr와 약
5000mTorr 사이로 설정하는 단계와, 고주파 RF 전력을 약 15W와 약 500W 사이로 설정하는 단계를 포함한다. 선택적으
로, 약 10W와 약 300W 사이의 초저 주파수 전력이 플라즈마에 추가될 수 있다. 기판 척의 도전성 영역이 X만큼 변화되면,
기판 척에 인가되는 RF 전력도 X만큼 변화된다.
다른 바람직한 실시예에서, 플라즈마 강화(enhancement)를 가진 평행 플레이트 타입 화학 기상 증착 반응기를 마련하는
단계와, 약 300㎠와 약 700㎠ 사이의 도전성 영역을 가진 기판 척 상에 전처리된 웨이퍼를 위치시키고, 웨이퍼와 상부 전
극 사이의 갭을 약 1cm와 약 10cm 사이로 유지하는 단계와, 사이클릭 실록산 분자를 포함하는 제 1 전구체 가스를 반응기
에 송풍하는 단계와, C, H 및 O 원자를 포함하는 링 구조체를 가진 유기 분자를 포함하는 적어도 제 2 전구체 가스를 송풍
하는 단계와, Ge를 포함하는 제 3 전구체 가스를 송풍하는 단계와, 초저 k막을 웨이퍼 상에 증착시키는 단계를 포함하는
초저 k막을 제조하는 방법이 제공된다. 증착 단계는 CO2 또는 CO2와 O2의 존재 하에서 수행될 수 있다. 이 처리는 증착 단
계 이후에 약 300℃ 이상의 온도에서 적어도 약 0.25시간 동안 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 처리는 RF 전력
을 웨이퍼에 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 열처리 단계는 약 300℃ 이하의 온도에서 제 1 시간 동안 수행되고, 이후
에 약 380℃ 이상의 온도에서 제 2 시간 동안 수행될 수 있으며, 제 2 시간은 제 1 시간보다 더 길다. 제 2 시간은 제 1 시
간의 적어도 약 10배가 될 수 있다.
사용되는 사이클릭 실록산 전구체는 TMCTS(tetramethylcyclotetrasiloxane) 이고, 유기 전구체는 사이클로펜텐 산화물
(CPO)이 될 수 있다. 초저 k 막 증착 단계는 웨이퍼 온도를 약 25℃와 약 400℃ 사이로 설정하는 단계와, RF 전력 밀도를
약 0.05W/㎠와 약 2.0W/㎠ 사이로 설정하는 단계와, 사이클릭 실록산 전구체의 유량을 약 5sccm과 약 1000sccm 사이로
설정하는 단계와, 유기 전구체의 유량을 약 5sccm과 약 1000sccm 사이로 설정하는 단계와, 제 3 전구체의 유량을 약
5sccm과 약 1000sccm 사이로 설정하는 단계와, 반응기 압력을 약 50mTorr와 약 5000mTorr 사이로 설정하는 단계를
포함한다. 또한, 증착 단계는 사이클로펜텐 산화물 대 TMCTS의 유량비를 약 0.1과 약 0.7 사이로 바람직하게는, 0.2와
0.4 사이로 설정하는 단계를 더 포함한다. 기판 척의 도전성 영역이 X만큼 변화될 수 있다면, RF 전력도 같은 X만큼 변화
된다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 평행 플레이트 타입의 플라즈마 강화 화학 기상 층착 반응기를 마련하는 단계와, 약 300㎠
와 약 700㎠ 사이의 도전성 영역을 가진 기판 척 상에 웨이퍼를 위치시키고, 웨이퍼와 상부 전극 사이의 갭을 약 1cm와 약
10cm 사이로 유지하는 단계와, 사이클릭 실록산과 사이클릭 유기 분자 및 Ge의 전구체 가스 혼합물을, 약 100mTorr와
5000mTorr 사이의 반응기 압력으로, 실온과 약 400℃ 사이, 바람직하게는 약 60℃와 약 200℃ 사이의 온도를 유지하면
서, 약 25sccm과 약 500sccm 사이의 전체 유량으로, 반응기 압력을 약 100mTorr과 약 5000mTorr 사이로 유지하면서
반응기 내의 웨이퍼에 송풍하는 단계와, 약 0.25W/㎠와 약 0.8W/㎠ 사이의 RF 전력 밀도하에서 웨이퍼 상에 유전체 막을
증착시키는 단계와, 약 300℃ 이상의 온도에서 적어도 약 0.25시간 동안 초저 k막을 어닐링하는 단계를 포함하는 열적으
로 안정된 초저 k 유전체 막을 제조하는 방법에 제공된다. 증착 단계는 CO2 또는 CO2와 O2의 존재하에서 수행된다. 개선
된 방법은 제 1 시간 동안 약 300℃ 이하의 온도에서 어닐링하고, 제 2 시간 동안 380℃ 이상의 온도에서 어닐링하는 단계
를 더 포함할 수 있으며, 여기서 제 2 시간은 제 1 시간보다 더 길다. 제 2 시간은 제 1 시간의 적어도 약 10배가 될 수 있
다. 사이클릭 실록산 전구체는 TMCTS가 될 수 있고, 사이클릭 유기 전구체는 사이클로펜텐 산화물(CPO)이 될 수 있다.
본 발명은 또한 BEOL 상호접속 구조체내의 레벨내 또는 레벨간 유전체로서 절연 물질의 층을 가진 전자 구조체에 관한 것
으로, 이 상호접속 구조체는 절연 물질의 제 1 층에 내장된 금속의 제 1 영역과, 개선된 초저 k 유전체의 절연 물질의 제 2
층에 내장된 도체의 제 1 영역과, 도체의 제 1 영역과 전기적으로 교통되고, 개선된 초저 k 유전체를 포함하는 절연물질의
제 3 층에 내장된 도체의 제 2 영역을 가진 전처리된 반도체 기판으로, 초저 k 유전체는 Si, C, O 및 H를 포함하고, 공유 결
합된 3차원 네트워크 구조체 및 2.6 이하의 유전 상수를 가지며, 절연 물질의 제 2 층은 절연 물질의 제 1 층과 기밀하게
접촉하고, 도체의 제 1 영역은 금속의 제 1 영역과 전기적으로 교통하며, 절연 물질의 제 3 층은 절연 물질의 제 2 층과 기
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밀하게 접촉한다. 전자 구조체는 절연 물질의 제 2 층과 절연 물질의 제 3 층 사이에 위치되는 유전 덮개층을 더 포함할 수
있다. 전자 구조체는 절연 물질의 제 2 층과 절연 물질의 제 3 층 사이의 제 1 유전 덮개층 및 절연 물질의 제 3 층 상에 제
2 유전 덮개층을 더 포함할 수 있다.
유전 덮개 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 옥시니트라이드, 내화 금속 실리콘 질화물(내화 금속은 Ta, Zr,
Hf 및 W로 이루어진 그룹으로부터 선택된다), 탄화 실리콘, 탄소 도핑된 산화물 또는 SiCOH 및 수소화 화합물 중에서 선
택될 수 있다. 제 1 및 제 2 유전 덮개 층이 같은 유전 물질의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 절연 물질의 제 1 층은 실리콘
산화물 또는 실리콘 질화물 또는 PSG(phosphorus silicate glass) 또는 BPSG(boron phosphorus silicate glass)과 같은
이들 물질의 도핑된 변형물이 될 수 있다. 전자 구조체는 절연 물질의 제 2 및 제 3 층 중 하나 위에 증착된 유전 물질의 확
산 장벽층을 더 포함할 수 있다. 전자 구조체는 절연 물질의 제 2 층 상에 반응성 이온 에칭(RIE) 하드 마스크 및 폴리싱 차
단층의 역할을 하는 유전체를 더 포함하고, 이 유전체 RIE 하드 마스크와 폴리싱 차단층 상에는 유전체 확산 장벽층을 더
포함할 수 있다. 전자 구조체는 절연 물질의 제 2 층 상에 제 1 유전체 RIE 하드 마스크/폴리싱 차단층, 제 1 유전체 폴리싱
차단층 상에 제 1 유전체 RIE 하드 마스크/확산 장벽층, 절연 물질의 제 3 층 상에 제 2 유전체 RIE 하드 마스크/폴리싱 차
단층, 제 2 유전체 폴리싱 차단층 상에 제 2 유전체 확산 장벽층을 더 포함할 수 있다. 전자 구조체는 초저 k 유전체의 레벨
간 유전체와 초저 k 유전체의 레벨내 유전체 사이에, 위에 설명한 바와 같은 물질의 유전체 덮개 층을 더 포함할 수 있다.
실시예
본 발명은 평행 플레이트 플라즈마 장화 화학 기상 증착(PECVD) 반응기에서 열적으로 안정된 초저 유전 상수 막을 제조
하는 방법을 개시하고 있다. 바람직한 실시예에 개시되는 물질은 공유 결합된 3차원 네트워크로 Si, C, O 및 H를 포함하
고, 2.6 이하의 유전 상수를 가진 수소화된 산화 실리콘 탄소(hydrogenated oxidized silicon carbon:SiCOH)의 매트릭스
를 포함한다. 이 물질은 공유 결합된 링 네트워크를 구비할 수 있다. 이 물질은 부분적으로 F 및 N원자를 포함하고, 선택적
으로는 Ge 원자로 치환되는 Si원자를 가질 수 있다. 이 물질은 바람직하게는 직경이 약 0.3과 약 50 나노미터 사이인, 더
바람직하게는 직경이 약 0.4와 10 나노미터 사이인 분자 크기의 보이드(voids)(즉, 나노미터 크기의 공극)를 포함하며, 유
전 상수를 약 2.0 이하의 값으로 감소시킨다. 나노미터 크기의 공극은 물질의 체적의 약 0.5%와 약 50% 사이의 체적을 차
지한다. 더 바람직하게는 초저 k 막의 유전 상수는 약 1.6 내지 약 2.6이고, 가장 바람직하게는 유전 상수는 약 1.8 내지 약
2.2 사이이다. 개선된 막은 바람직하게는 1.3마이크로미터 이하의 두께를 갖고 있고, 초당 10-9미터 이하의 크랙의 수중
투과 속도를 갖고 있다. 가장 바람직하게는 이 막은 초당 10-10미터 이하의 크랙의 수중 투과 속도를 갖고 있다.
초저-k의 열적으로 안정된 막을 생성하기 위해서, 특정 성장 상태를 가진 증착 반응기의 특정 형상이 필요하다. 예컨대, 평
행 플레이트 반응기에서, 기판 척의 도전성 영역은 약 300cm2와 약 700cm2 사이가 되어야 하며, 기판과 상부 전극 사이의
갭은 약 1㎝과 약 10㎝ 사이이다. RF 전력이 기판에 인가된다. 본 발명에 따라서, 초저 유전 상수 막은 특별히 구성된 반응
기에서 특정 반응 상태에서 TMCTS와 같은 사이클릭 실록산 전구체 및 제 2 전구체의 혼합 가스로 이루어지며, 제 2 전구
체는 유기 분자로, 사이클로펜텐 산화물과 같은 링 구조체를 가진 분자로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. Ge를 함유하
는 제 3 전구체는 선택적으로는 초저 유전 상수 막이 형성되는 가스 혼합물을 형성하는 데 사용될 수 있으며, 이로써 Ge원
자를 Si원자로 치환한다.
본 발명의 다른 실시예에 따라서, 초저 유전 상수 막이 CO2 또는 CO2와 O2의 존재하에 형성될 수 있다. 본 발명의 초저 유
전 상수 막은 약 300℃ 이상의 온도에서 적어도 약 0.25 시간동안 열처리되어서 유전 상수를 감소시킬 수 있다. 이 열처리
단계 동안, 탄소 및 수소 원자를 포함하며, 선택적으로는 산소 원자를 포함하는 제 2 전구체 가스(또는 가스 혼합물)로부터
유도된 분자 조각은 열적으로 분해되거나 막으로부터 분리된 더 작은 분자로 변환될 수 있다. 선택적으로 이 변환 및 분자
조각의 분리 과정에 의해서 막에 보이드가 더 생길할 수 있다. 따라서 막 밀도가 감소된다.
본 발명은 초저 유전 상수, 즉 2.6 이하를 가진 물질을 준비하는 방법을 제공하는 것으로, 이는 BEOL 배선 구조체에서 집
적하기에 적합하다. 더 바람직하게는, 개선된 초저 k 막의 유전 상수는 약 1.6 내지 약 2.6이고, 가장 바람직하게는 유전 상
수는 약 2.0 내지 약 2.2이다. 개선된 막은 적어도 2개의 적절한 전구체 및 위에 설명한 바와 같은 특정한 처리 파라미터의
조합에 의해 마련될 수 있다. 바람직하게는, 제 1 전구체는 1,3,5,7-TMCTS(tetramethylcyclotetrasiloxane) 또는
C4H16O4Si4) 또는 OMCTS(octamethylcyclotetrasiloxane) 또는 C8H24O4Si4와 같은 SiCOH 혼합물을 포함하는 링 구조
체를 가진 분자로부터 선택될 수 있다. 더 일반적으로 제 1 전구체는 교번해서 결합된 같은 수의 Si 및 O 원자를 포함하는
링 구조를 포함하는 사이클릭 알킬실록산(cyclic alkylsiloxane)의 일종으로, 알킬기(메틸, 에틸, 프로필 또는 이보다 더 고
차의 혹은 분기된(branched) 것들 혹은 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 타리클로헥실 및 이보다 고차의 것들과 같은 사이
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클릭 하이드로카본)가 실리콘 원자 중 적어도 하나에 공유 결합되는 데, 모든 실리콘 원자에 2개의 알킬기가 부착되어 있
는 경우도 있다. 이러한 아킬기는 유사할 수도 유사하지 않을 수도 있다. 또한, 이러한 사이클릭 실록산의 실리콘 원자는
수소로 결합될 수 있고, 이 경우, 이들 화합물은 부분적으로 알킬화된 하이드로실록산이 될 수 있다.
제 2 전구체는 C, H 및 O 원자를 포함하고, 적어도 하나의 링을 포함하는 유기 분자로부터 선택될 수 있으며, 이들은 온도
및 압력의 증가에 의해 기체로서 증착 반응기에 도입되기에 적합한 속도를 갖고 있다. 또한, N, S, Si 또는 할로겐과 같은
다른 원자가 전구체 분자에 포함될 수 있다. 또한, 하나 이상의 링이 전구체 분자에 존재할 수 있다. 퓨즈된 링을 포함하는
종류가 특히 유용할 수 있으며, 이 링 중 적어도 하나는 헤테로원자 바람직하게는 산소를 포함한다. 이들 종류 중에서, 가
장 적절한 것은 큰 링 응력을 나타내는 크기의 링을 포함하는 것으로 즉 3 또는 4 원자 및/또는 7이상의 원자의 링을 포함
한다. 특히 옥사바이사이클릭이라고 알려진 혼합물의 일종의 멤버가 특히 선호된다. 쉽게 입수할 수 있는 이들의 예는, 6-
옥사바이사이클로[3.1.0] 헥산 또는 사이클로펜텐 산화물(760 mmHg에서 bp=102℃); 7-옥사바이사이클로[4.1.0] 헵
탄 또는 시클로헥센 산화물 (760 mmHg에서 bp=129℃); 9-옥사바이사이클로[6.1.0] 노난 또는 사이클로옥텐 산화물 (5
mmHg에서 bp=55℃); 및 7-옥사바이사이클로[2.2.1] 헵탄 또는 1,4-에폭시사이클로헥산(713 mmHg에서 bp=119℃)
이다. 더 일반적으로 도 1에 도시된 공식에 적합한 종류가 적절한 적으로 생각된다.
또한, 제 2 전구체는 9-옥사바이사이클로[6.1.0] 논-4-엔(760mmHg에서 bp=195℃) 또는 도 2에 도시된 일반적인 구조
의 화합물과 같은 불포화물 정도를 포함할 수 있다. 또한 제 2 전구체는 7-옥사바이사이클로[4.1.0]헵탄-2-온(15mmHg
에서 bp=77℃) 및 3-옥사바이사이클로[3.1.0]헥산-2,4-디온(5mmHg에서 bp=100℃) 등에서, 켑톤, 알데하이드, 아민,
아미드, 이미드, 에테르, 에스테르, 안하이드리드, 탄산염, 티올, 티오에테르(thioethers)등와 같은 추가 기능을 가질 수 있
지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
위에 설명한 바와 같이 개선된 막은 적어도 2개의 적절한 전구체를 선택함으로써 준비될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예
에서, Ge를 포함하는 제 3 전구체 물질이 초저 유전 상수 막을 형성하는 데 선택적으로 사용될 수 있다. 이러한 실시예에
서, Ge 원자는 부분적으로 개선된 막의 Si 원자로 치환될 수 있다.
또한, PECVD 반응기에서, 제 1 전구체는 캐리어 가스 또는 제 1 및 제 2 전구체 가스로서 CO2와 더 혼합될 수 있으며, 제
2 전구체 가스는 CO2와 또는 CO2 및 O2의 혼합물과 혼합될 수 있다. PECVD 반응기에서 캐리어 가스로서 CO2를 제 1 전
구체에 추가함으로써, 또는 CO2 또는 CO2와 O2의 혼합물을 제 2 및 제 2 전구체에 추가함으로써, PECVD 반응기에서 플
라즈마에 안정적인 효과를 제공할 수 있고, 기판에 증착된 막의 균일성을 개선할 수 있다. CO2가 제 1 및 제 2 전구체와 혼
합될 때, CO2의 양은 약 25sccm 내지 약 1000sccm이 될 수 있고, 더 바람직하게는 약 50sccm 내지 약 500sccm이 될 수
있다. CO2와 O2의 혼합물이 제 1 및 제 2 전구체와 혼합될 때, 혼합되는 CO2의 양은 약 25sccm 내지 약 1000sccm이 될
수 있고, O2의 양은 약 0.5sccm 내지 약 50sccm이 될 수 있다. 더 바람직하게는 CO2의 양은 약 50sccm 내지 약
500sccm이 될 수 있고, O2의 양은 약 1sccm 내지 약 30sccm이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 평행 플레이트 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 반응기(10)는 200mm 웨이퍼를 처리하
는 데 사용되는 타입이다. 반응기의 내부 직경(X)은 약 13인치이고, 높이 Y는 약 8.5인치이다. 기판 척(12)의 지름은 약
10.8인치이다. 반응 가스는 약 1인치의 갭(Z)만큼 기판 척(12)으로부터 공간적으로 이격된 가스 분배 플레이트(GDP:16)
를 통해서 반응기(10)에 도입되며, 3인치 배출구(18)를 통해서 반응기(10) 밖으로 배출된다. RF 전력(20)이 GDP(16)에
접속되며, 이는 반응기(10)로부터 전기적으로 절연되고, 기판 척(12)은 접지된다. 실용화를 위해서, 반응기의 모든 다른 부
분은 접지된다. 다른 실시예에서, RF 전력(20)은 기판척(12)에 접속될 수 있고, 기판(22)에 전송될 수 있다. 이 실시예에
서, 기판은 네거티브 바이어스를 획득하며, 그 값은 반응기 형상 및 플라즈마 파라미터에 따라 달라진다. 다른 실시예에서
하나 이상의 전기 전력 공급기가 사용될 수 있다. 예컨대, 2개의 전력 공급기가 같은 RF 주파수로 동작하거나, 하나는 낮은
주파수로 하나는 높은 주파수로 동작할 수 있다. 2개의 전력 공급기는 같은 전극 또는 별도의 전극에 접속될 수 있다. 다른
실시예에서, RF 전력 공급기는 증착하는 동안 펄스 온 및 펄스 오프될 수 있다. 로우 k막의 증착 동안 제어되는 처리 변수
는 RF 전력, 전구체 혼합물 및 유량, 반응기 압력 및 기판 온도이다.
반응기(10)의 표면(24)은 절연 코팅 물질로 코팅될 수 있다. 예컨대, 특정 한 종류의 코팅이 반응기 벽(24)에 수 밀리 두께
로 도포된다. 기판 척(12)에 사용될 수 있는 다른 타입의 코팅은 박막 알루티늄 코팅 혹은 산소 플라즈마 에칭에 대한 다른
절연체이다. 가열된 웨이퍼 척의 온도가 기판 온도를 제어한다.
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본 발명에 따라서, 여기 설명되는 적절한 제 1 및 제 2 전구체 및 처리 파라미터의 특정 조합은 바람직하게 마련된 개선된
초저 k 물질이 약 5 내지 약 40원자%의 Si, 약 5 내지 약 45원자%의 C, 0 내지 약 50원자%의 O 및 약 10 내지 약 55원
자%의 H를 포함하는 것으로 사용된다.
막의 증착 처리 동안 제어되는 주요 처리 변수는 RF 전력, 제 1 및 제 2 그리고 선택적으로는 제 3 전구체의 유량, CO2 또
는 CO2 및 O2의 유량, 반응기 압력 및 기판 온도이다. 본 발명에 따른 제 1 전구체 TMCTS 및 제 2 전구체 사이클로펜텐
산화물(CPO)을 사용하는 막의 증착, 및 CO2 또는 CO2 및 O2의 존재하에서 막의 증착의 다양한 예가 이하에 제공된다. 실
시예 1-2에서, He를 캐리어 가스로 사용해서 TMCTS 전구체 증가가 반응기 내로 전달되고, 실시예 3에서는 TMCTS는
액체 전달 시스템에 의해 전달된다. 실시예 5-7에서, TMCTS 전구체 증가는 CO2를 캐리어 가스로 사용해서 반응기에 전
달되고, 실시예 8에서 TMCTS는 액체 전달 시스템에 의해 전달된다. 선택적으로, 이 막은 증착 후에 400℃로 열처리되어
서 k를 감소시킨다.
본 발명에 따른 제조 방법은 고유하게 정의된 성장 조건과 특정 형상 가진 증착 반응기를 사용함으로써만 가능하다는 것에
주의해야 한다. 다른 형상의 반응기가 이 정해진 성장 조건 하에서 사용될 때, 생성되는 막은 초저 유전 상수를 달성할 수
없다. 예컨대, 본 발명에 따른 평행 플레이트 반응기는 약 300㎠ 내지 약 700㎠ 사이의 기판 척 면적을 갖고, 바람직하게는
약 500㎠ 내지 약 600㎠ 사이이다. 기판과 가스 분배 플레이트(또는 상부 전극) 사이의 갭은 약 1cm와 약 10cm 사이이고,
약 1.5 내지 약 7cm 사이이다. RF 전력은 약 12㎒ 와 약 15㎒ 사이의 주파수로 전극 중 하나에 도입되고, 바람직하게는 약
13.56㎒이다. 1㎒ 이하의 낮은 주파수에서, 전력은 선택적으로 RF 전력과 같은 전극에 인가되거나, 0 내지 0.3W/㎠의 전
력 밀도로 반대 전극에 인가된다.
사용되는 증착 조건도 본 발명에 따른 증착 처리의 성공 적인 수행을 가능하게 하는데 중요하다. 예컨대 약 25℃ 내지 약
325℃ 사이의 웨이퍼 온도, 바람직하게는 약 60℃ 내지 약 200℃ 사이의 웨이퍼 온도가 사용된다. 약 0.05W/㎠와 약
1.0W/㎠ 사이의 바람직하게는, 약 0.25W/㎠와 약 0.8W/㎠ 사이의 RF 전력 밀도가 사용된다. 약 5sccm과 약 1000sccm
사이의, 바람직하게는 약 25sccm과 약 200sccm 사이의 TMCTS의 에칭액 가스 유량이 사용된다. 약 5sccm과 약
1000sccm 사이의, 바람직하게는 약 10sccm과 약 120sccm 사이의 CPO의 에칭액 가스 유량이 사용된다. Ge의 에칭액
유량은 약 5sccm과 약 1000sccm 사이, 바람직하게는 약 5sccm과 약 50sccm 사이이다. CO2가 캐리어 가스로 사용되는
TMCTS-CO2의 전체 에칭액 가스 유량은 약 25sccm 내지 약 1000sccm이고, CO2 및 O2혼합물의 유량은 각각 CO2의 경
우 약 25sccm 내지 약 1000sccm이고, O2의 경우 약 0.5sccm 내지 약 50sccm이며, CO2의 경우 약 15sccm 내지 약
1000sccm이다. CO2가 캐리어 가스로 사용되는 TMCTS-CO2의 전체 에칭액 가스 유량은 바람직하게는 약 50sccm 내지
약 500sccm이고, CO2 및 O2혼합물의 유량은 바람직하게는 각각 CO2의 경우 약 50sccm 내지 약 500sccm이고, O2의 경
우 약 1sccm 내지 약 30sccm이며, CO2의 경우 바람직하게는 약 50sccm 내지 약 500sccm이다. 약 50mTorr과 약
5000mTorr 사이의 바람직하게는, 약 100mTorr과 약 3000mTorr 사이의 증착 과정 동안의 반응액 압력이 사용된다.
기판 척의 면적이 X만큼 변화되면, 즉 약 300㎠ 내지 약 700㎠ 사이에서의 값의 변화는 RF 전력을 이전에 정의된 값으로
부터 X만큼 변화시킬 것이다. 유사하게, 이전에 정의된 값으로부터 기판 척의 면적이 Y만큼 변화하고, 가스 분배 플레이트
와 기판 척 사이의 갭이 Z만큼 변화하면, 가스 유량은 이전에 정의된 값으로부터 YZ 만큼 변할 것이다. 멀티스테이션 증착
반응기가 사용되는 경우, 기판의 면적은 각각의 개별적인 기판 척이 되고, 가스의 유량은 하나의 개개의 증착 스테이션이
된다. 따라서, 따라서, 전체 유량 및 반응기에 입력되는 전체 전력은 반응기 내의 전체 증착 스테이션의 수만큼 배가된다.
증착되는 막은 후속하는 추가 집적 처리 이전에 안정화된다. 안정화 과정은 약 300℃ 내지 약 400℃에서 약 0.5 시간 내지
약 4시간 동안 노 어닐링 단계(a furnace-annealing step)에서 수행될 수 있다. 안정화 과정은 약 300℃ 이상의 온도에서
고속 열 어닐링 과정으로 수행될 수 있다. 본 발명에 따라 획득되는 막의 유전 상수는 약 2.6 이하이다. 본 발명에 따라 획
득된 막의 열적 안정성은 비산화 대기 중에서 적어도 약 400℃까지이다.
본 발명에 따라 형성된 전자 장치가 도 6 내지 9에 도시되어 있다. 도 6 내지 9에 도시된 장치가 단지 본 발명에 따른 실시
예로서 도시된 것이며, 많은 다른 장치가 본 발명에 따라 제조될 수 있다.
도 6은 실리콘 기판(32)상에 제조된 전자 장치(30)를 도시한다. 실리콘 기판(32) 위에는 절연 물질층(34)이 형성되며, 그
안에는 제 1 금속(36) 영역이 매립되어 있다. 제 1 금속 영역(36)에 화학 기계 폴리싱(CMP) 처리를 수행한 이후에, 초저 k
막(38)을 절연 물질(34)과 제 1 금속 영역(36) 상에 증착시킨다. 제 1 절연 물질층(34)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 이
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들 물질의 도핑된 변화물 또는 다른 임의의 적절한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 포토리소그래피 공정을 통해서 초저 k
막(38)을 패터닝하고, 도체층(40)을 그 안에 증착한다. 제 1 도체층(40)에 대해 CMP 공정을 수행한 이후에, 플라즈마 강
화 화학 기상 증착 과정에 의해서 초저 k 막(44)의 제 2 층을 제 1 초저 k 막(38)과 제 1 도체층(40) 상에 증착한다. 도체층
(40)은 금속 도체 물질 또는 비금속 도체물질로 증착될 수 있다. 예컨대, 알루미늄 또는 구리의 금속 도체 물질 또는 질화물
또는 폴리실리콘과 같은 비금속 물질이 사용될 수 있다. 예컨대, 도체(40)는 제 1 금속 영역(36)과 전기적으로 도통된다.
제 2 초저 k 막 층(44)에 대해 포토리소그래피 공정을 수행한 이후에 제 1 도체 영역(50)을 형성하고, 후속해서 제 2 도체
물질에 대해 증착 공정을 행한다. 제 1 금속층(40)을 증착할 때 사용했던 것과 유사하게, 제 2 도체(50)는 금속 물질 또는
비금속 물질로 증착할 수 있다. 제 2 도체 영역(50)은 제 1 도체 영역(40)과 전기적으로 교통하고, 제 2 초저 k 막(44) 층
내에 매립된다. 제 2 초저 k 막(44)은 제 1 절연 물질 층(38)과 기밀하게 접촉한다. 이 특정 실시예에서, 본 발명에 따른 초
저 k 물질인 제 1 절연 물질 층(38)은 레벨내 유전 물질의 역할을 하고, 제 2 절연 물질 층, 즉 초저 k 막(44)은 레벨내 및
레벨간 유전체 모두의 역할을 한다. 초저 k 막의 낮은 유전 상수에 기초해서, 제 1 절연층(38)과 제 2 절연층(44)에 의해 우
수한 절연 특성이 달성될 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 전자 장치(60)를 도시하고 있으며, 도 6에 도시된 전자 장치(30)와 유사하지만, 제 1 절연 물질층
(38)과 제 2 절연 물질 층(44) 사이에 추가 유전 덮개 층(62)이 추가되었다. 유전 덮개 층(62)은 실리콘 산화물, 실리콘 질
화물, 실리콘 옥시니트라이드, 탄화규소, 실리콘 탄화규소(SiCO), 변화된 초저 k 및 다른 수소화된 혼합물 및 내화 금속 실
리콘 질화물과 같은 물질로부터 적절하게 선택될 수 있고, 여기서 내화 금속은 Ta, Zr, Hf 및 W로 이루어진 그룹으로부터
선택된다. 추가 유전 덮개 층(62)은 제 1 도체 층(40)이 제 2 절연 물질 층(44)으로 또는 하부 층으로, 특히 층(34, 32)으로
확산하는 것을 방지하는 확산 장벽층의 기능을 한다.
도 8은 본 발명에 따른 전자 장치(70)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 전자 장치(70)에서, RIE 마스크 및 CMP(화학 기계
폴리싱) 폴리싱 차단층의 역할을 하는 2개의 추가 유전 덮개 층(72, 74)이 사용된다. 제 1 유전 덮개 층(72)은 제 1 절연 물
질층(38) 상에 증착된다. 유전층(72)의 기능은 제 1 도전층(40)을 평탄화할 때 사용되는 CMP 공정의 종단 점을 제공하는
것이다. 폴리싱 차단층(72)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 옥시니트라이드, 탄화규소, 실리콘 탄화규소(SiCO),
변화된 초저 k 및 다른 수소화된 혼합물 및 내화 금속 실리콘 질화물과 같은 물질로부터 적절하게 선택될 수 있고, 여기서
내화 금속은 Ta, Zr, Hf 및 W로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 유전층(72)의 상부 표면은 제 1 도전층(40)과 같은 레벨
에 있다. 제 2 유전층(74)은 같은 목적으로 제 2 절연 물질층(44)의 상부에 추가될 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 전기 장치(80)의 또 다른 실시예를 도시하는 도면이다. 이 실시예에서, 추가 유전층(82) 층이 증착
되고, 제 2 절연 물질층(44)을 2개의 별도의 층(84, 86)으로 분할한다. 따라서, 도 8에 도시된 레벨내 및 레벨간 유전층
(44)은 도 9에 도시된 바와 같이 상호 접속부(92, 94) 사이의 경계에서 레벨간 유전층(84) 및 레벨내 유전층(86)으로 나누
어진다. 상부 유전층(74) 상에 추가 확산 장벽층(96)이 더 증착된다. 전자 구조체(80)가 제공하는 다른 추가 이점은 유전층
(82)이 RIE 에칭 차단층의 역할을 해서 우수한 상호 접속 제어를 제공한다는 점이다.
다음 실시예들이 제공되어서 본 발명에 따른 초저 k 유전체 막의 제조를 나타내고, 이로써 획득될 수 있는 이점을 나타낸
다.
실시예 1
이 실시예에서, 도 3에 따라, 슬릿 밸브(14)를 통해서 웨이퍼를 반응기(10)로 도입하고, 아르곤 가스로 웨이퍼를 사전 에칭
함으로써 웨이퍼가 우선 마련된다. 이 웨이퍼 마련 과정에서, 웨이퍼 온도는 약 180℃로 설정되고, 아르곤 유량은 약
25sccm으로 설정되어서 약 100mTorr의 압력을 달성한다. RF 전력은 약 60 초 동안 약 125W로 턴온된다. 이후에 RF 전
력 및 아르곤 가스 흐름은 턴 오프된다.
TMCTS 전구체는 He를 캐리어 가스로 사용해서 반응기로 운반된다. He는 TMCTS 용기로의 주입구에서 약 5psig의 압
력에 있다. 본 발명에 따른 초저 k 막은 TMCTS He와 CPO의 가스 흐름을 원하는 유량 및 압력, 즉 약 20sccm의
TMCTS He 및 약 6sccm의 CPO 및 100mTorr으로 설정함으로써 증착될 수 있다. 이후에 RF 전력은 약 15W에서 약 50
분동안 턴 온된다. 이후에 RF 전력 및 가스 흐름은 턴오프된다. 이후에 웨이퍼는 반응기(10)로부터 제거된다.
증착된 막의 유전 상수를 낮추고, 이들의 열적 안정성을 개선하기 위해서, 즉 300℃ 이상의 온도에서 안정화시키기 위해
서, 막은 사후 어닐링되어서 휘발 성분을 기화시키고 막을 치수적으로 안정화시킨다. 사후 어닐링 과정은 다음 단계를 통
해서 어닐링 노에서 수행된다. 우선 약 10리터/분의 유량의 니트로겐을 사용해서 노를 약 5분 동안 세척한다(로드 스테이
션에 있는 막 샘플과 함께). 이후에 막 샘플을 노 반응기로 이송해서, 약 5℃/분의 가열 속도로 약 280℃까지 막을 가열하
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고, 약 280℃의 온도에서 약 5분 동안 유지하고, 약 5℃/분의 제 2 가열 속도로 약 400℃까지 2차 가열하고, 약 400℃에서
약 4시간 동안 유지하며, 노를 턴 오프하고, 막 샘플을 약 100℃ 이하의 온도까지 냉각시키는 사후 어닐링 사이클을 수행
한다. 적절한 제 1 유지 온도는 약 280℃와 약 300℃ 사이가 될 수 있고, 반면에 적절한 제 2 유지 온도는 약 300℃와 약
400℃ 사이가 될 수 있다.
제 1 실시예의 결과가 도 4 및 도 5를 참조로 논의된다. 도 4는 SiCOH 막의 퓨리에 변환 적외선(FTIR) 스펙트럼을 도시하
고 있다. 스펙트럼은 약 1000-1100㎝-1에서 강한 Si-O 흡수 대역, 약 1275㎝-1에서 Si-CH3 흡수 피크, 약 2150-2250
㎝-1에서 Si-H 흡수 대역 및 약 2900-3000㎝-1에서 작은 C-H 흡수 피크를 나타낸다. SiCOH 막의 SiO 피크에 비한 CH,
SiH 및 SiCH3피크의 상대적인 강도가 이하의 표 1에 도시되어 있다.
도 5는 본 발명에 따라서 (TMCTS He)와 CPO의 혼합물로부터 마련된 초저 k 막으로부터 획득된다. 스펙트럼은 도 4에
도시된 바와 같이 Si-O, Si-CH3 및 C-H 흡수 피크를 나타낸다. 그러나 Si-H 피크가 없어져 가면서, 약 2900-3000cm-1
에서 C-H 흡수 대역의 강도는 도 4에 도시된 SiCOH 막보다 초저 k 막에서 더 강하다. 이 막에 대해서 CH의 상대적인 강
도 및 SiO 피크에 비한 SiCH3 피크가 표 1에 표시되어 있다. 표 1에 특별히 도시되어 있는 바와 같이, 초저 k 막의 CH 피크
의 집적 영역은 Si-CH3 피크의 40%이고, 이는 SiCOH 막의 Si-CH3 피크의 2%만이다. 이는 초저 k 막이 SiCOH 상뿐 아
니라 2차 CHX(탄화수소) 상도 상당량 포함한다는 것을 분명히 나타낸다. 초저 k 막의 FTIR 스펙트럼의 다른 특성은 Si-O
피크가 도 5에 도시된 바와 같이 약 1139㎝-1 및 약 1056㎝-1의 2개의 피크로 나누어진다는 점이다.
표 1 FTIR 흡수 피크의 상대적인 집적 강도
실시예 2
실시예 1에서 설명된 바와 같이 웨이퍼가 마련되었지만, 웨이퍼 온도는 약 300℃로 설정되어 있다. 이후에 TMCTS 전구
체는 He를 캐리어 가스로 사용해서 반응기 내로 운반된다. He는 TMCTS 용기로의 주입구에서 약 5psig의 압력에 있다.
본 발명에 따른 초저 k 막은 TMCTS He와 CPO의 유량을 원하는 유량 및 압력, 즉 약 150sccm의 TMCTS He 및 약
50sccm의 CPO 및 2000mTorr으로 설정함으로써 증착될 수 있다. 이후에 RF 전력은 약 150W에서 약 10분 동안 턴 온된
다. 이후에 RF 전력 및 가스 흐름은 턴오프된다. 이후에 웨이퍼가 반응기(10)로부터 제거되고, 실시예 1에 설명한 바와 같
이 어닐링된다.
실시예 3
이 실시예에서, 6개의 증착 스테이션을 포함하는 반응기가 사용된다. 웨이퍼 척의 온도는 약 350℃로 설정된다. TMCTS
전구체는 고속 전달 시스템을 사용해서 약 5ml/min의 유량으로 반응기로 운반되고, CPO는 약 900sccm의 유량으로 반응
기로 운반되며, 압력은 약 3000mTorr에서 안정된다. 약 600W의 전체 RF 전력 및 약 300W의 낮은 주파수 전력이 반응기
에 인가된다. 각각의 스테이션에서 웨이퍼에 대해서 초저 k 막 증착이 수행되고, 미리 설정된 시간 이후에 웨이퍼는 다음
스테이션으로 이동한다. 최종 증착 스테이션을 지난 이후에 웨이퍼가 제거되며, 실시예 1에 설명된 바와 같이 어닐링된다.
다음 실시예에서, 플라즈마가 연속 모드로 동작된다. 다음의 실시예 4에서 플라즈마는 펄스 모드로 동작한다.
실시예 4
이 실시예에서, 실시예 1과 유사한 조건으로 증착을 수행하지만, 플라즈마는 펄스 모드로 즉, 약 50%의 듀티 사이클 및 약
50msec 내지 약 100msec의 플라즈마 온 시간으로 동작한다. 반응기(10)로부터 웨이퍼를 제거한 이후에, 증착된 막을 가
진 웨이퍼는 실시예 1에 설명된 바와 같이 어닐링된다.
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위에 설명된 바와 같이, 준비된 막은 약 1.8 내지 약 2.2의 유전 상수를 갖고 있다.
실시예 5
이 실시예에서, 도 3에 따라서 슬릿 밸브(14)를 통해서 웨이퍼를 반응기(10)로 도입하고, 아르곤 가스로 웨이퍼를 사전 에
칭함으로써 웨이퍼가 우선 마련된다. 이 웨이퍼 마련 과정에서, 웨이퍼 온도는 약 180℃로 설정되고, 아르곤 유량은 약
25sccm으로 설정되어서 약 100mTorr의 압력을 달성한다. RF 전력은 약 60 초 동안 약 125W로 턴온된다. 이후에 RF 전
력 및 아르곤 가스 흐름은 턴 오프된다.
TMCTS 전구체는 CO2를 캐리어 가스로 사용해서 반응기로 운반된다. CO2는 TMCTS 용기로의 주입구에서 약 5psig의
압력에 있다. 본 발명에 따른 초저 k 막은 TMCTS CO2와 CPO의 가스 흐름을 원하는 유량 및 압력, 즉 약 20sccm의
TMCTS CO2 및 약 10sccm의 CPO 및 100mTorr으로 설정함으로써 증착될 수 있다. 이후에 RF 전력은 약 15W에서 약
50분동안 턴 온된다. 이후에 RF 전력 및 가스 흐름은 턴오프된다. 이후에 웨이퍼는 반응기(10)로부터 제거된다.
증착된 막의 유전 상수를 낮추고, 이들의 열적 안정성을 개선하기 위해서, 즉 300℃ 이상의 온도에서도 이들이 안정화되도
록, 막은 사후 어닐링되어서 휘발 성분을 기화시키고 막을 치수적으로 안정화시킨다. 사후 어닐링 과정은 다음 단계를 통
해서 어닐링 노에서 수행된다. 우선 약 10리터/분의 유량으로 니트로겐을 사용해서 노를 약 5분 동안 세척한다(로드 스테
이션에 있는 막 샘플과 함께). 이후에 막 샘플을 노 반응기로 이송해서, 약 5℃/분의 가열 속도로 약 280℃까지 막을 가열
하고, 약 280℃의 온도에서 약 5분 동안 유지하고, 약 5℃/분의 제 2 가열 속도로 약 400℃까지 2차 가열하고, 약 400℃에
서 약 4시간 동안 유지하며, 노를 턴 오프하고, 막 샘플을 약 100℃ 이하의 온도까지 냉각시키는 사후 어닐링 사이클을 수
행한다. 적절한 제 1 유지 온도는 약 280℃와 약 300℃ 사이가 될 수 있고, 반면에 적절한 제 2 유지 온도는 약 300℃와 약
400℃ 사이가 될 수 있다.
실시예 6
이 실시예에서, 도 5에 설명된 바와 같이 웨이퍼가 마련되지만, 웨이퍼 온도는 약 300℃로 설정된다. 이후에 TMCTS 전구
체는 CO2를 캐리어 가스로 사용해서 반응기로 운반된다. CO2는 TMCTS 용기로의 주입구에서 약 5psig의 압력에 있다.
본 발명에 따른 초저 k 막은 TMCTS CO2와 CPO의 가스 흐름을 원하는 유량 및 압력, 즉 약 150sccm의 TMCTS CO2
및 약 75sccm의 CPO 및 2000mTorr으로 설정함으로써 증착될 수 있다. 이후에 RF 전력은 약 150W에서 약 10분동안 턴
온된다. 이후에 RF 전력 및 가스 흐름은 턴오프된다. 이후에 웨이퍼는 반응기(10)로부터 제거되고, 실시예 5에 나타난 바
와 같이 어닐링된다.
위의 실시예에서, 플라즈마는 연속 모드로 동작된다. 이하 설명되는 실시예 3에서, 플라즈마는 펄스 모드로 동작한다.
실시예 7
이 실시예에서, 실시예 5와 유사한 조건 하에서 증착을 수행하지만, 플라즈마는 펄스 모드로 즉, 약 50%의 듀티 사이클 및
약 50msec 내지 약 100msec의 플라즈마 온 시간으로 동작한다. 반응기(10)로부터 웨이퍼를 제거한 이후에, 증착된 막을
가진 웨이퍼는 실시예 5에 설명된 바와 같이 어닐링된다.
실시예 8
이 실시예에서, 6개의 증착 스테이션을 포함하는 반응기가 사용된다. 웨이퍼 척의 온도는 약 350℃로 설정된다. TMCTS
전구체는 고속 전달 시스템을 사용해서 약 5ml/min의 유량으로 반응기로 운반되고, CPO는 약 250sccm의 유량으로 반응
기로 운반되며, 압력은 약 4000mTorr에서 안정된다. 약 5000sccm의 유량의 CO2와 약 250sccm의 유량의 O2가
TMCTS와 CPO의 가스 혼합물과 반응기에서 혼합된다. CO2와 O2의 혼합물에 추가는 플라즈마를 안정화시키고, 막 균일
도를 개선시킨다. 600W의 높은 주파수의 RF 전력과 300W의 낮은 주파수의 RF 전력 전체가 반응기에 인가된다. 초저 k
막 증착은 미리 설정된 시간 이후에 웨이퍼는 다음 스테이션으로 이동한다. 최종 증착 스테이션을 지난 이후에 웨이퍼가
제거되며, 웨이퍼는 선택적으로 실시예 5에 설명된 바와 같이 어닐링될 수 있다.
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초저 k 막을 안정화시키는데 고속 열 어닐링(RTA) 과정을 사용할수도 있다. 본 발명에 따라 획득된 막은 2.6 이하의 유전
상수 k 및 통상적으로 약 400℃까지의 온도로 처리되는 BEOL 상호 접속 구조에서 집적하는 데 열적으로 안정된 것을 특
징으로 한다. 따라서 본 발명의 교시는 로직 및 메모리 장치에 대한 BEOL 과정에서 레벨내 및 레벨간 유전체로서 막을 생
성하는데 쉽게 적용될 수 있다.
본 발명에 따라 제조되는 방법 및 전자 구조는 따라서 위의 설명 및 첨부된 도면 도 1 내지 도 9에 전체적으로 나타나 있다.
도 6-9에 도시된 전자 장치의 실시예는 많은 전자 장치의 제조에 적용될 수 있는 개선된 방법을 단지 예시하는 것으로 사
용되었다는 점을 강조한다.
본 발명이 예의 방법으로 설명되었지만, 사용되는 용어는 제한이 아닌 설명의 성격을 갖는 것이라는 것을 이해할 것이다.
또한, 본 발명이 바람직한 실시예 및 다수의 다른 실시예에 대해서 설명되었지만, 당업자는 본 발명의 사상 및 범주를 벗어
남없이 이 기술을 본 발명의 다른 가능한 변형에 쉽게 적용할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도면의 간단한 설명
본 발명의 이러한 목적, 특성 및 장점은 다음의 상세한 설명 및 첨부된 도면으로부터 자명해질 것이다.
도 1은 바람직한 제 2 전구체용 혼합물인 옥사바이사이클릭(oxabicyclic)이라고 알려진 바이사이클릭 에테르의 전체 전자
구조체를 도시하며, 개략적으로 이 혼합물은 2개의 링을 포함하되, 그 중 하나는 산소 원자를 함유하고, 각각의 링의 크기
는 각각의 사이클에서 반복되는 메틸렌 기의 수, m 및 n에 의해 결정되며, 특히 선호되는 사이클로펜텐 산화물의 경우에는
m=0이고, n=2인 도면,
도 2는 바람직한 제 2 전구체용 화합물인 불포화 옥사바이사이클릭으로도 알려진 불포화 바이사이클릭 에테르의 전체 전
자 구조체를 도시하며, 개략적으로 이 혼합물은 2개의 링을 포함하되, 그 중 하나는 산소 원자를 함유하며, 각각의 링의 크
기는 각각의 사이클에서 반복되는 메틸렌 기의 수, l, m 및 n에 의해 결정되되, 불포화 결합의 위치는 m 및 n에 의해 결정
되며, 9-바이사이클로[6.1.0] 논-4-엔에서, l=0, m=2, n=2인 도면,
도 3은 본 발명에 따른 평행 플레이트 화학 기상 증착 반응기의 단면도,
도 4는 TMCTS(tetramethylcyclotetrasiloxane)와 He의 혼합물로부터 증착된 SiCOH 막으로부터 획득된 퓨리에 변환
적외선(FTIR) 스펙트럼을 도시하는 도면,
도 5는 본 발명에 따른 TMCTS He와 사이클로펜텐 산화물의 화합물로부터 증착된 개선된 초저 k 물질로부터 획득된
FTIR 스펙트럼을 도시하는 도면,
도 6은 본 발명에 따른 초저 k 물질의 레벨내 유전층 밀 레벨간 유전체를 구비한 전자 장치의 확대 단면도,
도 7은 본 발명에 따른 초저 k 물질막 상에 추가 확산 장벽 유전체 덮개 층을 구비한 도 6의 전자 구조체의 확대 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 폴리싱 차단층 상에 추가 RIE 하드 마스크/폴리싱 차단 유전체 덮개 층 및 유전체 덮개 확산 장벽을
구비한 도 7의 전자 구조체의 확대 단면도,
도 9는 본 발명에 따른 레벨간 초저 k 상이 추가 RIE 하드 마스크/폴리싱 차단 유전층을 구비한 도 8의 전자 구조체의 확대
단면도.
도면
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도면1
도면2
도면3
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도면5
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