적층 방법 및 적층 장치(LAMINATION DEVICE AND LAMINATION METHOD)

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 등록특허공보(B1)
(45) 공고일자 2013년09월04일
(11) 등록번호 10-1301524
(24) 등록일자 2013년08월23일
(51) 국제특허분류(Int. Cl.)
H01L 21/50 (2006.01)
(21) 출원번호 10-2012-0026498
(22) 출원일자 2012년03월15일
심사청구일자 2012년03월15일
(65) 공개번호 10-2013-0056153
(43) 공개일자 2013년05월29일
(30) 우선권주장
JP-P-2011-253800 2011년11월21일 일본(JP)
(56) 선행기술조사문헌
JP08332646 A*
JP2004299147 A*
KR1020000076785 A*
JP2008012918 A
*는 심사관에 의하여 인용된 문헌
(73) 특허권자
가부시키가이샤 메이키 세이사쿠쇼
일본 아이치켄 오오후시 기다사키죠 오네 2반지
(72) 발명자
히로세 토모아키
일본 아이치켄 오오후시 기다사키죠 오네 2반지
가부시키가이샤 메이키 세이사쿠쇼 내
야마모토 타카유키
일본 아이치켄 오오후시 기다사키죠 오네 2반지
가부시키가이샤 메이키 세이사쿠쇼 내
(74) 대리인
송봉식, 정삼영
전체 청구항 수 : 총 4 항 심사관 : 이명진
(54) 발명의 명칭 적층 방법 및 적층 장치
(57) 요 약
간단한 구성으로, 피적층체의 돌출부를 가지는 면에 적어도 필름형상 적층체를 관통시켜 확실하게 적층하고, 보
이드를 발생시키지 않고 균일한 두께로 성형한다.
적층 장치는 적어도 절연성 수지 필름(F)을 가열하는 가열 수단(1, 2)과, 개폐 가능하게 설치되고, 닫았을 때에
밀폐된 챔버(34)를 형성하는 상측반(3), 하측반(4)과, 상측반(3)에 설치되고 반도체 웨이퍼(W)의 범프(B)가 형성
되어 있는 측에 중합된 절연성 수지 필름(F)과 대향되는 탄성을 가지는 받이 부재(5)와, 하측반(4)에 설치되고
절연성 수지 필름(F)이 중합된 반도체 웨이퍼(W)와 대향되는 탄성막체(6)와, 챔버(34) 내를 진공흡인하는 진공흡
인 수단(7)과, 탄성막체(6)를 팽대시켜 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)을, 받이 부재(5)와의 사이에서
가압하는 가압 수단(8)을 구비하고 있다.
대 표 도 - 도1
등록특허 10-1301524
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특허청구의 범위
청구항 1
돌출부를 가지는 피적층체와, 필름형상 적층체를 중합하여 가열 및 가압함으로써 상기 돌출부가 적어도 필름형
상 적층체를 관통하도록 적층하는 방법으로서,
상기 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측과 상기 필름형상 적층체를 대향시켜, 피적층체와 필름형상 적층체
를 서로 중합하고,
탄성을 가지는 받이 부재와 탄성막체와의 사이에, 상기 필름형상 적층체가 상기 받이 부재와 대향함과 아울러
상기 피적층체가 상기 탄성막체와 대향하도록, 상기 중합된 피적층체와 필름형상 적층체를 배치하고,
적어도 상기 피적층체와 필름형상 적층체와의 사이를 진공흡인한 상태에서, 상기 탄성막체를 팽대시킴으로써 상
기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 탄성막체와 받이 부재와의 사이에서 가압하고,
상기 받이 부재로서 상기 탄성막체의 경도보다 단단한 것을 배치하는 것을 특징으로 하는 적층 방법.
청구항 2
돌출부를 가지는 피적층체와, 필름형상 적층체를 중합하여 가열 및 가압함으로써 상기 돌출부가 적어도 필름형
상 적층체를 관통하도록 적층하는 방법으로서,
상기 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측과 상기 필름형상 적층체를 대향시켜, 피적층체와 필름형상 적층체
를 서로 중합하고,
탄성을 가지는 받이 부재와 탄성막체와의 사이에, 상기 필름형상 적층체가 상기 받이 부재와 대향함과 아울러
상기 피적층체가 상기 탄성막체와 대향하도록, 상기 중합된 피적층체와 필름형상 적층체를 배치하고,
적어도 상기 피적층체와 필름형상 적층체와의 사이를 진공흡인한 상태에서, 상기 탄성막체를 팽대시킴으로써 상
기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 탄성막체와 받이 부재와의 사이에서 가압하고,
상기 피적층체를 캐리어 필름에 재치하여, 중합된 상기 필름형상 적층체와 피적층체를 상기 받이 부재와 탄성막
체와의 사이에 반송하고,
상기 탄성막체가 상기 캐리어 필름을 통하여 상기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 받이 부재를 향하여 압압
하는 것을 특징으로 하는 적층 방법.
청구항 3
돌출부를 가지는 피적층체와, 필름형상 적층체를 중합하여 가열 및 가압함으로써 상기 돌출부가 적어도 필름형
상 적층체를 관통하도록 적층하는 장치로서,
적어도 상기 필름형상 적층체를 가열하는 가열 수단과,
개폐 가능하게 설치되고, 닫았을 때에 밀폐된 챔버를 형성하는 한 쌍의 반과,
이 반의 일방에 설치되고, 상기 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측에 중합된 상기 필름형상 적층체와 대향
되는 탄성을 가지는 받이 부재와,
상기 반의 타방에 설치되고, 상기 필름형상 적층체가 중합된 상기 피적층체와 대향되는 탄성막체와,
상기 챔버 내를 진공흡인하는 진공흡인 수단과,
상기 탄성막체를 팽대시켜, 상기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 받이 부재와의 사이에서 가압하는 가압 수
단을 구비하고,
상기 받이 부재로서 상기 탄성막체의 경도보다 단단한 것을 배치하는 것을 특징으로 하는 적층 장치.
청구항 4
돌출부를 가지는 피적층체와, 필름형상 적층체를 중합하여 가열 및 가압함으로써 상기 돌출부가 적어도 필름형
등록특허 10-1301524
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상 적층체를 관통하도록 적층하는 장치로서,
적어도 상기 필름형상 적층체를 가열하는 가열 수단과,
개폐 가능하게 설치되고, 닫았을 때에 밀폐된 챔버를 형성하는 한 쌍의 반과,
이 반의 일방에 설치되고, 상기 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측에 중합된 상기 필름형상 적층체와 대향
되는 탄성을 가지는 받이 부재와,
상기 반의 타방에 설치되고, 상기 필름형상 적층체가 중합된 상기 피적층체와 대향되는 탄성막체와,
상기 챔버 내를 진공흡인하는 진공흡인 수단과,
상기 탄성막체를 팽대시켜, 상기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 받이 부재와의 사이에서 가압하는 가압 수
단 및
캐리어 필름을 구비하고,
상기 피적층체를 상기 캐리어 필름에 재치하여, 중합된 상기 필름형상 적층체와 피적층체를 상기 받이 부재와
탄성막체와의 사이에 반송하고,
상기 탄성막체가 상기 캐리어 필름을 통하여 상기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 받이 부재를 향하여 압압
하는 것을 특징으로 하는 적층 장치.
명 세 서
기 술 분 야
본 발명은 적층 방법 및 적층 장치에 관한 것으로, 특히, 예를 들면 범프를 가지는 전자 부품 등, 돌출부(突[0001]
部)를 가지는 피적층체와, 예를 들면 수지층 등의 필름형상 적층체를 중합(重合)하여 가열 및 가압(加壓)함으로
써 상기 돌출부가 적어도 필름형상 적층체를 관통하도록 적층하는 방법과 그 장치에 관한 것이다.
배 경 기 술
돌출부를 가지는 전자 부품 등의 피적층체로서, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 표면에는, 예를 들면 땜납이나, 구[0002]
리, 금 등의 금속으로 이루어지는 범프가 형성되어 있다. 이 범프는 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 돌출되어
있고, 일반적으로, 선단이 구면에 가까운 원기둥형상 또는 계란형으로 성형되어 있으며, 높이(돌출량)가
0.01~0.04mm이며, 직경이 0.01~0.04mm정도로 되어 있다. 또, 서로 인접하는 범프와의 간격은
0.03~0.10mm이다. 이러한 범프의 형성에는 도금법이나, 페이스트 인쇄법, 볼 탑재법 등이 채용되어 있다.
이러한 범프가 형성되는 반도체 웨이퍼는 일반적으로 실리콘에 의해 구성되어 있으며, 원형으로 성형되고, 직경[0003]
이 4, 8, 12, 16인치의 규격으로 되어 있고, 두께가 0.025~0.800mm로 되어 있다.
한편, 필름형상 적층체로서 절연성 수지 필름은 일반적으로 예를 들면 에폭시 등의 열경화성 수지를 주성분으로[0004]
하여 구성되어 있다. 또, 절연성 수지 필름은 열가소성 수지나, 열경화성 수지와 열가소성 수지의 혼합체에 의
해 구성되는 경우도 있다. 그리고, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 연성 수지 필름(F)은 일반적으로 양면에
예를 들면 PET 등으로 이루어지는 보호 필름(P1, P2)이 적층되어 있고, 반도체 웨이퍼(W)와 적층될 때에는 도 3
의 (b)에 나타내는 바와 같이 일방의 보호 필름(P2)이 박리되고, 또 적층후의 예를 들면 실장품을 실장할 때에
는, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이 타방의 보호 필름(P1)도 박리된다. 절연성 수지 필름(F)의 두께는, 예를
들면 0.01~0.06mm정도이다. 범프(B)의 선단이 관통하여 도 3의 (c)에 나타낸 바와 같이 타방의 보호 필름(P1)
이 박리되었을 때에 절연성 수지 필름(F)의 표면으로부터 노출하도록 일반적으로 선정된다.
이러한 돌출부(B)를 가지는 피적층체(W)와 필름형상 적층체(F)를 적층하기 위한 종래의 기술로서 특허문헌 1~4[0005]
가 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 도전성 범프를 형성한 도전성박과 절연성 수지층을 적층하여, 평면 프레스기
의 프레스판 사이에서 가열·가압함으로써, 도전성 범프를 절연성 수지층에 관통시키는 것이 개시되어 있다
(0012 등). 또, 특허문헌 1에는 도전성박과 절연성 수지층과 이형 시트를 한 쌍의 롤 사이에 통과시켜 가압함
과 아울러 가열하여, 도전성 범프가 절연성 수지층을 관통하는 것도 개시되어 있다(0064 등).
또, 특허문헌 2에는, 지지기체의 도체 범프에 합성 수지계 시트를 대향시켜 금속성 롤러와 유연성 고무 롤러로[0006]
구성하는 롤러에 통과시키고, 1차 가압하여 도체 범프를 합성 수지계 시트에 관통시키는 것이 개시되어 있다
등록특허 10-1301524
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(0020 등).
또, 다른 종래의 기술로서, 특허문헌 3에는, 고무 등의 탄성 부재에 의해 구성되고, 그 하면측은 중앙부가 외주[0007]
부보다 하방에 위치하는 만곡 혹은 경사면형상으로 설치된 압압(押壓) 수단이 개시되어 있으며, 이 형상에 의해
웨이퍼(W)에 접착 시트(S)를 첩부할 때에, 접착 시트(S)와 웨이퍼(W)와의 사이에 존재하는 공기를 외측으로 내
몰면서 첩부할 수 있도록 되어 있는 것이 기재되어 있다(0017). 또, 특허문헌 3에는, 이 압압 수단을 중공의
탄성 부재로 하고, 압축 에어나 감압 분위기에 의해 당해 탄성 부재를 팽창시켜 접착 시트를 웨이퍼에 첩부하는
것 같은 구성으로 해도 되는 것이 기재되어 있다(0036). 그리고, 특허문헌 3에서는, 반도체 웨이퍼와 링 프레
임을 지지 수단에 재치(載置)함과 아울러, 이들의 상방에 접착 시트를 위치시키고, 압압 수단에 의해 접착 시트
를 끼우도록 하여 반도체 웨이퍼와 링 프레임에 대하여 압압한다.
또 다른 종래의 기술로서, 특허문헌 4에는, 범프를 구비하는 도전성 지지체와 합성 수지계 시트와의 사이의 에[0008]
어를 강제적으로 흡인 배출시킨 상태에서, 도전성 지지체에 합성 수지계 시트를 적층하고 가압함으로써 합성 수
지계 시트에 범프의 선단을 관통, 노출시키는 제1 적층 가압 공정을 행하고, 이어서, 합성 수지계 시트에 도전
성 지지체를 적층하여 가압함으로써 합성 수지계 시트로부터 노출된 범프의 선단을 도전체층에 압착하는 제2 적
층 가압 공정을 행하는 것이 개시되어 있다. 그리고, 특허문헌 4에는, 승강이 자유로운 상판과, 이 상판에 의
해 기밀하게 폐색되는 수용실과, 수용실의 바닥부에 설치된 한 쌍의 고무제의 압압 부재를 구비한 가압 장치가
개시되어 있다(0019).
선행기술문헌
특허문헌
(특허문헌 0001) 일본 특허 공개 평11-4076호 공보 [0009]
(특허문헌 0002) 일본 특허 공개 평9-307230호 공보
(특허문헌 0003) 일본 특허 공개 2009-32853호 공보
(특허문헌 0004) 일본 특허 공개 2005-150273호 공보
발명의 내용
해결하려는 과제
상기 특허문헌 1에 있어서, 평면 프레스기를 사용하는 경우에 있어서는, 양 프레스판을 평행하게 유지하기 위한[0010]
기계적인 평행도를 정확하게 유지할 수 없고, 또는 양 프레스판의 가압면 자체의 평행도를 정확하게 유지할 수
없다는 이유 등으로부터, 피적층체에 적층되는 필름형상 적층체를 균일한 두께로 성형할 수 없다는 문제나, 부
분적으로 강하게 가압되어 범프 등의 돌출부가 찌그러지거나, 필름형상 적층체가 설정된 두께보다 얇아지는 등
의 문제가 있었다.
또, 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같이, 한 쌍의 롤러 사이에서 가압·가열하는 경우에 있[0011]
어서는, 도 4에 나타내는 바와 같이 피적층체(W)와 필름형상 적층체(F)를 중합하여 이송 방향 전방(도 4에 있어
서는 왼쪽)으로부터 순차적으로 롤러(R1, R2) 사이에서 가압·가열하기 때문에, 피적층체(W)와 필름형상 적층체
(F)에 대한 롤러(R1, R2)의 접촉이 선접촉이 되고, 또, 롤러(R1, R2)의 회전에 따라 피적층체(W)와 필름형상 적
층체(F)를 순차적으로 가압하는 것이기 때문에, 피적층체(W)와 필름형상 적층체(F)를 전체에 걸쳐 일정 시간 이
상 가압할 수 없다. 또, 돌출부(B)의 선단이 이송 방향 후방(도 4에 있어서는 오른쪽)을 향하여 넘어지도록 변
형되거나, 돌출부(B)가 찌그러지는 경우가 있다. 또한, 롤(R1, R2) 사이에서 가압하는 경우에는, 피적층체(W)
와 필름형상 적층체(F)의 가압되는 개소가 이동하게 되고, 가압 시간이 짧은 점에서 도 5에 나타내는 바와 같이
필름형상 적층체(F)의 매립 부족이 발생하여, 그 결과, 피적층체(W)와 필름형상 적층체(F) 사이의 특히 돌출부
(B) 주위에 보이드(K)가 발생한다. 또한, 피적층체(W)가 반도체 웨이퍼와 같이 원형으로 성형되어 있는 것인
경우에는, 롤러(R1, R2)에 대한 피적층체(W)와 필름형상 적층체(F)의 이송 위치에 의해, 롤러(R1, R2)가 피적층
체(W)와 필름형상 적층체(F)에 대하여 선접촉하는 길이가 상이하게 되기 때문에, 면압이 일정하게 되지 않고 변
화된다.
등록특허 10-1301524
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특허문헌 3에 있어서는, 압압 수단의 하면의 형상만에 의해 접착 시트와 웨이퍼 사이에 존재하는 공기를 외측에[0012]
내몰면서 첩부하는 것이기 때문에, 피적층체와 필름형상 적층체 사이에 공기가 확실하게 존재하지 않게하면서
피적층체의 돌출부를 관통시키도록 필름형상 적층체를 매립 적층할 수는 없다. 또한, 특허문헌 3에서는, 반도
체 웨이퍼와 링 프레임을 지지 수단에 재치함과 아울러, 이들의 상방에 접착 시트를 위치시켜, 접착 시트를 끼
우도록 하여 반도체 웨이퍼와 링 프레임에 대하여 압압하는 것이기 때문에, 접착 시트의 표면이 평탄하게 되지
않아, 두께가 균일하게 되지 않는다. 그 때문에, 특허문헌 3을 돌출부를 가지는 피적층체의 돌출부를 가지는
면에 필름형상 적층체를 균일한 두께로 적층하는 것에는 적용할 수 없다.
특허문헌 4에 있어서는, 코어 기판과 프리프레그계 시트를, 한 쌍의 고무제의 압압 부재를 통하여 상판과 수용[0013]
실의 바닥부와의 사이에서 가압하는 것이기 때문에, 특허문헌 1의 평면 프레스기의 양 프레스판과 마찬가지로,
평행도를 보장할 수 없고, 프리프레그계 시트를 균일한 두께로 적층할 수 없다. 또, 특허문헌 4에서는, 어떻게
하여 상판을 하강시키는지 명확히 기재되어 있지 않지만, 수용실의 에어를 배출함으로써 상판을 하강시키는 것
이라면, 코어 기판과 프리프레그계 시트 사이의 공기를 충분히 흡인하기 전에 코어 기판과 프리프레그계 시트의
가압이 시작되기 때문에, 범프를 구비하는 도전성 지지체와 합성 수지계 시트와의 사이의 에어를 확실하게 흡인
배출시킨 상태에서, 도전성 지지체에 합성 수지계 시트를 적층하고 가압할 수 없다. 또, 진공 흡인만에 의해
고무제의 압압 부재에 의해 가압을 행하므로, 충분한 가압력을 확보할 수 없는 경우도 있다.
본 발명은 상기 서술한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 간단한 구성으로, 피적층체의 돌출부를 가지는 면에[0014]
필름형상 적층체를 관통시켜 확실하게 적층하고, 보이드를 발생시키지 않고 균일한 두께로 성형할 수 있는 방법
및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제의 해결 수단
청구항 1의 적층 방법에 따른 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해서, 돌출부를 가지는 피적층체와, 필름형상 적[0015]
층체를 중합하여 가열 및 가압함으로써 상기 돌출부가 적어도 필름형상 적층체를 관통하도록 적층하는 방법으로
서, 상기 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측과 상기 필름형상 적층체를 대향시켜, 피적층체와 필름형상 적
층체를 서로 중합하고, 탄성을 가지는 받이 부재와 탄성막체와의 사이에, 상기 필름형상 적층체가 상기 받이 부
재와 대향함과 아울러 상기 피적층체가 상기 탄성막체와 대향하도록, 상기 중합된 피적층체와 필름형상 적층체
를 배치하고, 적어도 상기 피적층체와 필름형상 적층체와의 사이를 진공흡인(眞空引き)한 상태에서, 상기 탄성
막체를 팽대(膨大)시킴으로써 상기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 탄성막체와 받이 부재와의 사이에서 가
압하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2의 적층 방법에 따른 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 받[0016]
이 부재로서 상기 탄성막체의 경도보다 단단한 것을 배치하는 것을 특징으로 한다.
청구항 3의 적층 방법에 따른 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 1 또는 2의 어느 한 항에 기재된 발[0017]
명에 있어서, 상기 피적층체를 캐리어 필름에 재치하여, 중합된 상기 필름형상 적층체와 피적층체를 상기 받이
부재와 탄성막체와의 사이로 반송하고, 상기 탄성막체가 상기 캐리어 필름을 통하여 상기 피적층체와 필름형상
적층체를 상기 받이 부재를 향하여 압압하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 4의 적층 장치에 따른 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해, 돌출부를 가지는 피적층체와, 필름형상[0018]
적층체를 중합하여 가열 및 가압함으로써 상기 돌출부가 필름형상 적층체를 관통하도록 적층하는 장치로서, 적
어도 상기 필름형상 적층체를 가열하는 가열 수단과, 개폐 가능하게 설치되고, 닫았을 때에 밀폐된 챔버를 형성
하는 한 쌍의 반(盤)과, 이 반의 일방에 설치되고, 상기 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측에 중합된 상기
필름형상 적층체와 대향되는 탄성을 가지는 받이 부재와, 상기 반의 타방에 설치되고, 상기 필름형상 적층체가
중합된 상기 피적층체와 대향되는 탄성막체와, 상기 챔버 내를 진공흡인하는 진공흡인 수단과, 상기 탄성막체를
팽대시켜, 상기 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 받이 부재와의 사이에서 가압하는 가압 수단을 구비하고 있
는 것을 특징으로 한다.
발명의 효과
청구항 1의 적층 방법에 의하면, 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측의 면과 필름형상 적층체를 대향시켜 서[0019]
로 중합하여, 필름형상 적층체가 받이 부재와 대향하고 피적층체가 탄성막체와 대향하도록 탄성을 가지는 받이
부재와 탄성막체와의 사이에 배치하고, 이들의 주위를 둘러싸도록 하여 설치된 챔버 내를 감압하거나 하여 적어
도 피적층체와 필름형상 적층체 사이를 진공흡인하고, 이 상태에서 탄성막체를 팽대시킴으로써 피적층체와 필름
등록특허 10-1301524
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형상 적층체를 받이 부재에 누르도록 하여 가압한다. 적어도 피적층체와 필름형상 적층체와의 사이를 진공흡인
한 상태하에서, 피적층체의 돌출부가 탄성막체에 압압되어 필름형상 적층체를 받이 부재를 향하여 누르기 때문
에, 필름형상 적층체는 피적층체의 돌출부가 관통되어, 보이드를 발생시키지 않고 균일한 두께로 확실하게 피적
층체와 적층된다.
청구항 2의 발명에 의하면, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 탄성막체보다 단단한 받이 부재를, 피적층체와[0020]
중합된 필름형상 적층체와 대향시키도록 배치해 두는 것에 의해, 탄성막체를 팽대시켜 가압했을 때에, 적어도
필름형상 적층체에 피적층체의 돌출부를 관통시켜, 보이드를 발생시키지 않고 균일한 두께로 필름형상 적층체를
피적층체와 적층하는 것을 구현할 수 있다.
청구항 3의 발명에 의하면, 청구항 1 또는 2의 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 피적층체를 캐리어 필름에[0021]
재치함으로써, 중합된 필름형상 적층체와 함께 받이 부재와 탄성막체와의 사이로 용이하게 반송할 수 있고, 또,
탄성막체에 의해 피적층체와 필름형상 적층체를 상기 받이 부재를 향하여 압압하여 가압할 때에, 캐리어 필름이
개재되어 있기 때문에, 필름형상 적층체가 탄성막체에 부착되는 일이 없다. 또한, 피적층체와 중합된 필름형상
적층체 상에도 캐리어 필름을 배치하는 경우에는, 필름형상 적층체가 받이 부재에 부착되는 것도 방지할 수 있
다.
또, 청구항 4의 적층 장치에 따른 발명에 의하면, 피적층체의 돌출부가 형성되어 있는 측의 면과 필름형상 적층[0022]
체를 대향시켜 서로 중합하여, 필름형상 적층체가 일방의 반에 설치된 받이 부재와 대향하고 피적층체가 타방의
반에 설치된 탄성막체와 대향하도록 탄성을 가지는 받이 부재와 탄성막체 사이에 배치하고, 양쪽 반을 상대적으
로 근접시켜 밀폐된 챔버를 형성하고, 진공흡인 수단에 의해 챔버 내를 진공흡인한다. 이 상태에서, 탄성막체
를 팽대시켜 피적층체와 필름형상 적층체를 받이 부재에 누르도록 하여 가압하고 가열 수단에 의해 가열한다.
진공흡인한 분위기하에서 피적층체의 돌출부가 탄성막체에 눌러져 필름형상 적층체를 받이 부재를 향하여 누르
기 때문에, 필름형상 적층체는 피적층체의 돌출부가 관통되어, 보이드를 발생시키지 않고 균일한 두께로 확실하
게 피적층체와 적층된다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명의 적층 장치의 실시의 일 형태를 설명하기 위해서 개략적으로 나타낸 단면도이다.[0023]
도 2는 본 발명에 의해 피적층체와 필름형상 적층체를 적층하는 상태를 설명하기 위해서 나타낸 부분 확대 단면
이다.
도 3은 피적층체와 필름형상 적층체를 적층하기 위한 일반적인 순서를 설명하기 위해서 나타낸 단면도이다.
도 4는 한 쌍의 롤러 사이에서 가압·가열하여 피적층체와 필름형상 적층체를 적층하는 경우의 종래의 기술을
설명하기 위해서 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4에 의해 피적층체와 적층된 필름형상 적층체에 보이드가 발생한 상태를 설명하기 위해서 나타낸 확
대 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 구체적인 내용
가장 먼저 본 발명의 적층 장치의 실시의 일 형태를 도 1 및 도 2에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실[0024]
시형태에서는, 돌출부를 가지는 피적층체가 범프(B)를 가지는 반도체 웨이퍼(W)(이하, 돌출부를 범프라고 하고,
피적층체를 반도체 웨이퍼라고 함)이며, 필름형상 적층체가 도 3에 나타낸 바와 같이, 적어도 반도체 웨이퍼
(W)와 적층할 때에 그 적층되는 면과 반대측의 면에 보호 필름(P1)이 설치된 절연성 수지 필름(이하, 필름형상
적층체를 절연성 수지 필름이라고 함)(F)인 경우로 설명한다.
본 발명의 적층 장치는 개략적으로 범프(B)를 가지는 반도체 웨이퍼(W)와, 절연성 수지 필름(F)을 중합하여 가[0025]
열 및 가압함으로써 범프(B)가 적어도 절연성 수지 필름(F)을 관통하도록 적층하기 위한 것으로, 적어도 절연성
수지 필름(F)을 가열하는 가열 수단(1, 2)과, 개폐 가능하게 설치되고, 닫았을 때에 밀폐된 챔버(34)를 형성하
는 상측반(3) 및 하측반(4)과, 이 상측반(3)에 설치되고, 반도체 웨이퍼(W)의 범프(B)가 형성되어 있는 측에 중
합된 절연성 수지 필름(F)과 대향되는 탄성을 가지고 표면이 대략 평면으로 이루어지는 받이 부재(5)와, 하측반
(4)에 설치되고, 절연성 수지 필름(F)이 중합된 반도체 웨이퍼(W)와 대향되는 탄성막체(6)와, 챔버(34) 내를 진
공흡인하는 진공흡인 수단(7)과, 탄성막체(6)를 팽대시켜, 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)을, 받이 부
재(5)와의 사이에서 가압하는 가압 수단(8)을 구비하고 있다.
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상측반(3)은 하측반(4)과 대향하는 하면의 주위가 프레임형상으로 돌출하도록 성형된 판형상의 것으로, 프레임[0026]
형상으로 돌출하는 부분(30)의 내측에는 도시하지 않는 단열재와, 가열 수단(1)을 통하여 받이 부재(5)가 설치
되어 있다. 가열 수단(1)은 예를 들면 강철제의 표면이 평활한 블록으로 이루어지는 상측열판 내에 카트리지
히터가 설치되거나, 상측열판의 표면에 판형상의 고무 히터를 설치함으로써 구성할 수 있다. 이하의 설명에서
는, 가열 수단(1)을 상측열판(1)이라고 한다. 받이 부재(5)는 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)보다 큰
면적을 가지고 있으며, 예를 들면 실리콘 고무나 불소 고무 등 내열성을 가지는 고무 소재에 의해 구성되어 있
고, 두께가 0.5~4.0mm(더욱 바람직하게는 1.0~4.0mm)이며, 경도(JIS K-6253에 의한 측정)가 듀로미터 타입A 경
도(쇼어A 경도)가 20~70도(더욱 바람직하게는 45~60도)로 되어 있다. 받이 부재(5)는 상측열판(1)이 평활한 표
면에 첩착되어 있다. 또한, 받이 부재(5)를 상측열판(1)의 표면에 설치하기 때문에, 반드시 첩착하는 것에 한
정되지는 않는다.
하측반(4)은 상측반(1)과 대향하는 상면의 주위에, 탄성막체(6)의 둘레 가장자리부를 끼우도록 하여 유지하는[0027]
프레임체(40)가 부착되어 있다. 프레임체(40)의 내측은 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)보다 큰 면적
을 가지고 있고, 프레임체(40)의 내측으로서 하측반(4)의 상면에는 도시하지 않는 단열재와, 가열 수단(2)이 프
레임체(40)에 의해 유지된 탄성막체(6)에 덮이도록 설치되어 있다. 프레임체(40)의 상면에는 상측반(3)과 하측
반(4)을 닫았을 때에 상측반(3)의 둘레 가장자리에 돌출하는 프레임형상의 부분(30)과 접하여 기밀하게 폐색되
는 O링 등의 시일 부재(41)가 설치되어 있다. 가열 수단(2)은 상측 열반(1)과 마찬가지로, 예를 들면 강철제의
표면이 평활한 블록으로 이루어지는 하측열판 내에 카트리지 히터가 설치되거나, 하측열판의 표면에 판형상의
고무 히터를 설치함으로써 구성할 수 있다. 이하의 설명에서는, 가열 수단(2)을 하측열판(2)이라고 한다. 탄
성막체(6)는 받이 부재(5)와 마찬가지로, 예를 들면 실리콘 고무나 불소 고무 등 내열성을 가지는 고무 소재에
의해 구성되어 있고, 두께가 1.5~5.0mm(더욱 바람직하게는 2.0~4.0mm)이며, 경도(JIS K-6253에 의한 측정)가 듀
로미터 타입A 경도(쇼어A 경도)가 10~40도(더욱 바람직하게는 15~30도)로 되어 있다. 또한, 탄성막체(6)는 전
체적으로 동일한 경도의 단층의 고무층에 의해 구성할 수 있지만, 본 발명은 이 실시형태에 한정되는 것은 아니
며, 중앙부만 경도를 낮게(부드럽게) 설정함과 아울러, 프레임체(40)에 의해 고정되는 둘레 가장자리 부분의 경
도를 높게(단단하게) 설정해도 되고, 또, 전체를 경도가 높은 고무(예를 들면 40~60도)로 구성하고, 또한 그 상
면에 경도가 낮은(예를 들면 20도 정도)의 고무를 첩합시킨 복층에 의해 구성할 수도 있다.
또한, 받이 부재(5)와 탄성막체(6)의 표면에는, 후술하는 챔버(34) 내의 진공흡인시의 에어 빼기나 성형후의 캐[0028]
리어 필름(C1, C2)과의 박리를 용이하게 하기 위해서, 미세한 요철을 형성할 수도 있다. 또한, 받이 부재(5)는
그 표면에 예를 들면 0.5~2.0mm정도의 두께를 가지는 탄성 변형 가능한 스테인레스판을 첩합시킨 것으로 할 수
도 있고, 또, 탄성막체(6)와 마찬가지로 팽출시킬 수 있도록 구성할 수도 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 이
실시형태에서는, 반도체 웨이퍼(W) 위에 절연성 수지 필름(F)을 적층하도록 배치하기 위해서, 상측반(3)에 받이
부재(5)를 설치함과 아울러 하측반(4)에 탄성막체(6)를 설치하는 것으로 하고 있지만, 반도체 웨이퍼(W) 밑에
절연성 수지 필름(F)을 적층하도록 배치하는 경우에는, 하측반(4)에 받이 부재(5)를 설치함과 아울러 상측반
(1)에 탄성막체(6)를 설치하는 등, 이 실시형태에 한정되지는 않는다.
또, 이 실시형태에서는 상측반(3)의 외주 가장자리의 프레임형상으로 돌출한 부분(30)에 통로(31)가 형성되어[0029]
있고, 이 통로(31)에는 진공흡인 수단(7)으로서 진공 펌프(도시하지 않음)에 접속된 관로(70)가 접속되어 있다.
또, 이 실시형태에서는 하측반(4)과 도시하지 않는 단열재와 하측열판(2)에는 통로(42, 22)가 형성되어 있고,
하측반(4)의 통로(42)에는 가압 수단(8)으로서 에어 콤프레서 등에 접속된 관로(80)가 접속되어 있다. 또한,
챔버(34) 내를 진공흡인했을 때에 부주의하게 탄성막체(6)가 팽출하는 것을 방지하기 위해서, 관로(80)에는 에
어 콤프레서 등의 가압 수단(8)에 더해, 진공 펌프 등의 흡착 수단(도시하지 않음)을 교체 가능하게 접속해도
된다.
또한, 이 실시형태에서는, 상측반(3)이 고정되어 있고, 하측반(4)이 실린더 등에 접속되어 있으며, 상측반(3)에[0030]
대하여 하측반(4)이 개폐하도록 승강 이동 가능하게 구성되어 있다. 그러나, 하측반(4)을 고정함과 아울러 상
측반(3)을 승강 이동 가능하게 지지하고, 하측반(4)에 대하여 상측반(3)이 개폐하도록 구성해도 되고, 또 상측
반(3)과 하측반(4)의 양쪽을 승강 이동 가능하게 지지하여 서로 개폐 이동하도록 구성할 수도 있다.
이 실시형태에서는, 상측반(3)과 하측반(4)의 근방에, 절연성 수지 필름(F)이 중합된 반도체 웨이퍼(W)가 재치[0031]
되어 반송되는 캐리어 필름(C2)을 송출하기 위한 롤(10)과, 이 캐리어 필름(C2)을 권취하기 위한 롤(12)이 배열
설치되어 있고, 또한, 반도체 웨이퍼(W)에 겹쳐쌓인 절연성 수지 필름(F)과 접하도록 배치되고 하방의 캐리어
필름(C2)과의 사이에서 끼우도록 하여 반송하는 캐리어 필름(C1)을 송출하기 위한 롤(9)과, 이 캐리어 필름(C
1)을 권취하기 위한 롤(11)이 배열설치되어 있다. 그리고, 각 송출 롤(9, 10) 및 권취 롤(11, 12)과, 상측반
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(3) 및 하측반(4) 사이에는 캐리어 필름(C1, C2)의 방향을 변경하기 위한 핀치 롤러(13, 14, 15, 16)가 각각 설
치되어 있다. 하방의 캐리어 필름(C2)의 송출 롤(10) 및 권취 롤(12)과 핀치 롤러(14, 16)는 상방의 캐리어 필
름(C1)의 송출 롤(9) 및 권취 롤(11)과 핀치 롤러(13, 15)보다 상측반(3) 및 하측반(4)으로부터 떨어져 배치되
어 있다. 그 때문에, 하방의 캐리어 필름(C2)의, 상방에 캐리어 필름(C1)이 존재하지 않는 부분은 각각 반도체
웨이퍼(W)를 재치하여 절연성 수지 필름(F)을 중합하기 위한 세트 스테이지(도 1에 있어서의 오른쪽)(SS)와, 반
도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)의 적층품을 취출하기 위한 취출 스테이지(도 1에 있어서의 왼쪽)(TS)를
구성하고 있다. 각 송출 롤(9, 10) 및 권취 롤(11, 12)과 핀치 롤러(13, 14, 15, 16)는 상하의 캐리어 필름
(C1, C2)에 각각 적당한 장력을 부여하면서, 동기하여 반송 방향을 따라 송출할 수 있도록 구성되어 있다. 이
실시형태에서는, 상하의 캐리어 필름(C1, C2)은 일례로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지고, 그
두께는 0.02~0.10mm인 것이 사용된다.
다음에 본 발명의 적층 방법의 실시의 일 형태를, 상기 서술한 바와 같이 구성된 적층 장치를 사용하여, 돌출부[0032]
를 가지는 피적층체로서 범프(B)를 가지는 반도체 웨이퍼(W)와, 필름형상 적층체인 절연성 수지 필름(F)에 적층
후에 벗겨지는 보호 필름(P1)이 첩착된 필름을 적층하는 경우에 의해, 그 작동과 함께 상세하게 설명한다.
본 발명의 적층 방법은 개략적으로 범프(B)를 가지는 반도체 웨이퍼(W)와, 절연성 수지 필름(F)을 중합하여 가[0033]
열 및 가압함으로써 적어도 범프(B)가 절연성 수지 필름(F)을 관통하도록 적층하기 위한 것으로서, 반도체 웨이
퍼(W)의 범프(B)가 형성되어 있는 측의 면과 절연성 수지 필름(F)을 대향시키도록 하여 서로 중합하고, 절연성
수지 필름(F)이 받이 부재(5)와 대향함과 아울러 반도체 웨이퍼(W)가 탄성막체(6)와 대향하도록, 중합된 반도체
웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)을 탄성을 가지는 받이 부재(5)와 탄성막체(6) 사이에 배치한 상태에서 가열을
개시하고, 적어도 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F) 사이를 진공흡인한 상태에서, 탄성막체(6)를 팽대시
킴으로써 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)을 탄성막체(6)와 받이 부재(5) 사이에서 가압하고 가열하는
것이다. 또, 본 발명의 적층 방법은, 탄성막체(6)보다 경도가 단단한 받이 부재(5)를 준비해 두고, 이 받이 부
재(5)와 대향하도록, 반도체 웨이퍼(W)에 중합된 절연성 수지 필름(F)을 배치하는 것이다. 또한, 본 발명의 적
층 방법은, 반도체 웨이퍼(W)를 캐리어 필름(C2(C1))에 재치하여, 중합된 절연성 수지 필름(F)과 반도체 웨이퍼
(W)를 받이 부재(5)와 탄성막체(6) 사이에 반송하고, 캐리어 필름(C2(C1))을 통하여, 탄성막체(6)에 의해 받이
부재(5)에 대하여 압압하는 것이다.
절연성 수지 필름(F)과 반도체 웨이퍼(W)를 적층함에 있어서, 가장 먼저 반도체 웨이퍼(W)의 범프(B)가 형성된[0034]
면을 위로 하여, 이 반도체 웨이퍼(W)의 범프(B)가 형성된 면 위에 한 변의 크기가 반도체 웨이퍼(W)의 직경보
다 큰 직사각형의 절연성 수지 필름(F)을 중합하고, 세트 스테이지(SS)의 하방의 캐리어 필름(C2) 상에 재치한
다. 이 때, 도 3의 (a)에 나타낸 바와 같이 절연성 수지 필름(F)의 양면에 보호 필름(P1, P2)이 설치되어 있는
경우에는, 하방에 위치하는 보호 필름(P2)을 벗기고, 이 실시형태에서는 절연성 수지 필름(F)의 상방에만 보호
필름(P1)이 첩부된 상태로 하고 나서, 반도체 웨이퍼(W) 상에 중합한다. 또한, 본 발명은 이 실시형태에 한정
되는 것은 아니며, 반도체 웨이퍼(W)를 세트 스테이지(SS)에서 하방의 캐리어 필름(C2) 상에 재치한 상태로 하
고 나서, 이 반도체 웨이퍼(W)에 절연성 수지 필름(F)을 중합시켜도 된다.
다음에, 도 1에 나타낸 바와 같이, 상측반(3)과 하측반(4)을 이간시킨 상태(열려 있는 상태)에서, 양 캐리어 필[0035]
름(C1, C2)을 동기시켜 송출하여 중합된 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)을 상측반(3)의 받이 부재(5)
와 하측반(4)의 탄성막체(6) 사이에 반송하고, 계속해서 상측반(3)과 하측반(4)을 근접시켜 닫은 상태로 하여,
밀폐된 챔버(34)를 형성한다. 이 때, 상측열판(1)과 하측열판(2)은 일례로서 바람직하게는 50~120℃로 가열되
어 있다. 이 가열 제어하기 위한 온도의 검출은 상측열판(1)과 하측열판(2)의 온도를 검출하는 것이어도 되고,
또, 반도체 웨이퍼(W) 등의 온도를 검출하는 것이어도 된다. 이 때, 양 캐리어 필름(C1, C2)은 상측반(3)의 둘
레 가장자리의 돌출된 프레임형상의 부분(30)과, 하측반(4)의 프레임체(40)에 설치된 시일 부재(41)와의 사이에
끼워지고, 또, 중합된 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)은 밀폐된 챔버(34) 내에 수용되어 있다. 그리
고, 절연성 수지 필름(F)이 보호 필름(P1) 및 상방의 캐리어 필름(C1)을 통하여 받이 부재(5)와 대향함과 아울
러, 반도체 웨이퍼(W)가 하방의 캐리어 필름(C2)을 통하여 탄성막체(6)와 대향하고 있다. 반도체 웨이퍼(W)에
중합된 절연성 수지 필름(F)은 상기 소정의 온도로 가열된 챔버(34) 내에 수용되고 나서, 상측열판(1)과 하측열
판(2)으로부터의 열전도가 개시되어, 용융하기 시작한다.
이 상태에서, 도 1에 나타낸 통로(31)를 통하여 관로(70)에 접속된 진공 펌프 등의 진공흡인 수단(7)에 의해 챔[0036]
버(34) 내를 진공흡인한다. 이 때의 챔버(34) 내의 진공도는 일례로서 0.1~10.0hPa가 바람직하고, 0.1~5.0hPa
가 더욱 바람직하다. 이 때, 챔버(34) 내의 진공흡인이 충분하지 않은 상태에서 탄성막체(6)가 부주의하게 팽
출하지 않도록, 통로(42)에 접속된 관로(80)를 통하여, 하측반(4)과 탄성막체(6) 사이의 공간을 진공흡인하고,
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탄성막체(6)를 하측열판(2)의 표면에 흡착시켜 두고, 상하의 캐리어 필름(C1, C2)과 탄성막체(6), 받이 부재
(5)를 비접촉 상태로 유지하는 것이 바람직하다. 챔버(34) 내를 진공흡인하는 결과, 적층되는 반도체 웨이퍼
(W)의 범프(B)가 형성된 면과 절연성 수지 필름(F) 사이도 공기가 흡인되어, 진공흡인한 상태로 된다. 또한,
이 때, 상측열판(1)과 하측열판(2)은 상기 소정 온도로 승온되어 있고, 그 열을 받이 부재(5)와 탄성막체(6)도
받음과 아울러, 챔버(34) 내도 승온되어 있다. 따라서, 절연성 수지 필름(F)의 용융이 진행한다.
이 상태에서, 도 2에 나타내는 바와 같이, 하측반(4)의 관로(80)에 대한 접속을, 도시하지 않는 진공 펌프 등의[0037]
흡착 수단으로부터 에어 콤프레서 등의 가압 수단(8)으로 전환하여, 관로(80)에 접속된 통로(42, 22)를 통하여
하측반(4)과 탄성막체(6) 사이의 공간에 압축 공기를 공급하고, 탄성막체(6)를 팽출시킨다. 또한, 본 발명은
탄성막체(6)를 팽출시키기 위해, 하측반(4)과 탄성막체(6) 사이의 공간에 압축 공기를 공급하는 것에 한정되는
것은 아니며, 하측반(4)과 탄성막체(6) 사이의 공간을 대기와 연통시켜 챔버(34) 내를 진공흡인하는 부압 등에
의해 탄성막체(6)를 팽출시킬 수도 있다. 이 때의 탄성막체(6)에 의한 가압력(면압)은 일례로서 0.1~1.5MPa가
바람직하고, 0.5~0.9MPa가 더욱 바람직하다. 또한, 가압력은 가압을 개시하고 나서 종료할 때까지의 동안에 일
정할 필요는 없고, 필요에 따라서 도중에 증가시키거나 감소시키는 등 변화시켜도 된다.
탄성막체(6)가 팽출함으로써, 반도체 웨이퍼(W)가 하방의 캐리어 필름(C2)을 통하여 압압되고, 이것에 중합된[0038]
절연성 수지 필름(F)이 보호 필름(P1)과 상방의 캐리어 필름(C1)을 통하여 받이 부재(5)에 대하여 압압된다.
즉, 중합된 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)은 각각 캐리어 필름(C1, C2)을 통하여 탄성막체(6)와 받이
부재(5) 사이에서 가압되어, 탄성막체(6)와 받이 부재(5)를 통하여 열에 의해 가열됨으로써 연화된 절연성 수지
필름(F)이 유동하여, 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 범프(B)가 절연성 수지 필름(F)을 관통하여 매립되고
적층되게 된다. 탄성막체(6)에 의한 가열은 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)의 각 영역에 대하여 균일
하게 행할 수 있고, 만일 상측반(3)과 하측반(4)의 평행도에 약간의 이상이 있었다고 해도 그 영향을 받지 않는
다. 또 대직경의 반도체 웨이퍼(W)를 1개씩 적층 성형하는 경우, 탄성막체(6)에 의한 가압 초기에 있어서는,
중앙부로부터 팽출하여 주변부를 향해서 탄성막체(6)의 팽출하는 영역이 넓어져 가므로, 반도체 웨이퍼(W)와 절
연성 수지 필름(F)의 중앙부로부터 주위에 걸쳐 가압 부분이 넓어지게 된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(W)와 절
연성 수지 필름(F) 사이에 만일 기포 등이 남아있었다고 해도, 그것들을 외측방향으로 몰아내는 힘이 작용하여,
기포 등이 생기기 어려워진다.
이 때, 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 범프(B)의 선단이 탄성을 가지는 받이 부재(5)에 진입 또는 받이 부[0039]
재(5)를 함몰시키도록 받이 부재(5)를 탄성 변형시키기 때문에, 범프(b)가 찌그러지지 않고, 또, 이 받이 부재
(5)의 범프(B)와 접하는 부분 이외의 표면이 절연성 수지 필름(F)(층)의 표면을 성형하게 된다. 이 때 범프
(B)의 선단은 도 2와 같이 절연성 수지 필름(F)은 관통하지만 보호 필름(P1)을 관통하지 않는 경우와, 양자(F,
P1)를 관통하는 경우가 상정된다. 그리고, 받이 부재(5)의 경도가 탄성막체(6)의 경도보다 높게(단단하게) 설
정되어 있기 때문에, 절연성 수지 필름(F)(층)의 표면을 평활하게, 절연성 수지 필름(F)(층)을 균일한 두께로
성형하게 된다. 그리고, 챔버(34) 내가 진공흡인되어 있고, 전체면에 걸쳐 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필
름(F)이 받이 부재(5)와 탄성막체(6) 사이에서 소정 시간 범프(B)의 돌출되는 방향을 따라 충분히 가압되기 때
문에, 도 4에 나타낸 종래의 기술과 같이 범프(B)가 기울어지도록 변형되거나, 도 5에 나타낸 바와 같이 절연성
수지 필름(F)에 보이드(K)가 발생하지 않는다. 또한, 가압 시간에 대해서는 일례로서 20~200초로 하는 것이 바
람직하다.
또한, 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)이 상하의 캐리어 필름(C1, C2)을 통하여 받이 부재(5)와 탄성막[0040]
체(6) 사이에서 가압되기 때문에, 가열됨으로써 연화되어 유동 가능하게 되어 있는 절연성 수지 필름(F)(층)이
주위에 유출되어 받이 부재(5)나 탄성막체(6)에 부착되어 오염시키는 것이 방지된다.
반도체 웨이퍼(W)에 절연성 수지 필름(F)이 적층되면, 상측반(3)과 하측반(4)을 상대적으로 이간시켜 열고, 양[0041]
캐리어 필름(C1, C2)을 동기시켜 송출하여 반도체 웨이퍼(W)와 절연성 수지 필름(F)이 적층되어 이루어지는 적
층품을 상측반(3)의 받이 부재(5)와 하측반(4)의 탄성막체(6) 사이에서 반출하여, 취출 스테이지(TS)에 반송한
다. 이 때, 다음에 적층하기 위해서 중합된 절연성 수지 필름(F)과 반도체 웨이퍼(W)를 동시에 상측반(3)의 받
이 부재(5)와 하측반(4)의 탄성막체(6) 사이에 반송해도 된다. 그리고, 취출 스테이지(TS)에 있어서, 또는 후
공정에서, 반도체 웨이퍼(W)에 적층된 절연성 수지 필름(F)의 잉여부가 절제된다. 그리고, 그 후에 보호 필름
(P1)이 박리되고, 필름형상 적층체인 절연성 수지 필름(F)의 층이 반도체 웨이퍼(W)에 최종적으로 적층된다.
본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 돌출부를 가지는 피적층체로서, 실리콘 관통 비아가 부착된[0042]
배선 기판(TSV)이나, 미소 전자 기계 시스템 웨이퍼(MEMS 웨이퍼) 등에도 적용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이
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퍼(W) 및 절연성 수지 필름(F)의 재질에 따라서는, 상기 실시형태에 기재한 조건(온도, 압력, 성형 시간 등)을
일탈하는 범위의 것도 상정된다. 또, 반도체 웨이퍼(W)에 절연성 수지 필름(F)을 적층했을 때에, 범프(B)가 절
연성 수지 필름(F)을 관통하는 것이 일반적이지만, 관통하지 않고 매립되는 것에 대해서도, 이 적층 장치를 사
용할 수 있다. 또, 필름형상 적층체로서, 예를 들면 포토레지스트층 등, 절연성 수지 필름(F) 이외의 것을 적
층하는 경우에도 적용할 수 있다. 또 절연성 수지 필름(F)은 상하의 캐리어 필름(C1, C2)과 마찬가지로 연속식
의 것이어도 된다.
부호의 설명
B…범프(돌출부)[0043]
W…반도체 웨이퍼(피적층체)
F…절연성 수지 필름(필름형상 적층체)
C1, C2…캐리어 필름
P1, P2…보호 필름
1…상측열판(가열 수단)
2…하측열판(가열 수단)
3…상측반(한 쌍의 반의 일방)
4…하측반(한 쌍의 반의 타방)
5…받이 부재
6…탄성막체
7…진공흡인 수단
8…가압 수단
34…챔버
도면
도면1
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도면2
도면3a
도면3b
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도면3c
도면4
도면5
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