M형 헥사페라이트 분말 또는 케이크의 제조 방법(METHOD FOR MAKING M-TYPE HEXAFERRITE POWDERS OR WAFERS)

공개특허 특2002-0026346

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 공개특허공보(A)
(51) 。Int. Cl.7
C01G 49/00
(11) 공개번호
(43) 공개일자
특2002-0026346
2002년04월09일
(21) 출원번호 10-2002-7000061
(22) 출원일자 2002년01월03일
번역문 제출일자 2002년01월03일
(86)국제출원번호 PCT/FR2000/01880 (87) 국제공개번호 WO 2001/02300
(86)국제출원출원일자 2000년07월03일 (87) 국제공개일자 2001년01월11일
(81) 지정국 국내특허 : 알바니아, 아르메니아, 오스트리아, 오스트레일리아, 아제르바이잔, 보스니아-
헤르체고비나, 바베이도스, 불가리아, 브라질, 벨라루스, 캐나다, 스위스, 중국, 쿠바, 체코,
독일, 덴마크, 에스토니아, 스페인, 핀랜드, 영국, 그루지야, 헝가리, 이스라엘, 아이슬란드,
일본, 케냐, 키르기즈, 북한, 대한민국, 카자흐스탄, 세인트루시아, 스리랑카, 라이베리아,
레소토, 리투아니아, 룩셈부르크, 라트비아, 몰도바, 마다가스카르, 마케도니아, 몽고, 말라
위, 멕시코, 노르웨이, 뉴질랜드, 슬로베니아, 슬로바키아, 타지키스탄, 투르크메니스탄, 터
어키, 트리니다드토바고, 우크라이나, 우간다, 미국, 우즈베키스탄, 베트남, 폴란드, 포르투
칼, 루마니아, 러시아, 수단, 스웨덴, 싱가포르, 아랍에미리트, 안티구아바부다, 코스타리카,
도미니카연방, 알제리, 모로코, 탄자니아, 남아프리카, 벨리즈, 모잠비크,
AP ARIPO특허: 케냐, 레소토, 말라위, 수단, 스와질랜드, 우간다, 시에라리온, 가나, 감비
아, 짐바브웨,
EA 유라시아특허: 아르메니아, 아제르바이잔, 벨라루스, 키르기즈, 카자흐스탄, 몰도바, 러
시아, 타지키스탄, 투르크메니스탄,
EP 유럽특허: 오스트리아, 벨기에, 스위스, 리히텐슈타인, 독일, 덴마크, 스페인, 프랑스,
영국, 그리스, 아일랜드, 이탈리아, 룩셈부르크, 모나코, 네덜란드, 포르투칼, 스웨덴, 핀랜
드, 사이프러스,
OA OAPI특허: 부르키나파소, 베넹, 중앙아프리카, 콩고, 코트디브와르, 카메룬, 가봉, 기
네, 말리, 모리타니, 니제르, 세네갈, 차드, 토고, 기네비쏘,
(30) 우선권주장 99/08886
99/10295
1999년07월05일
1999년08월04일
프랑스(FR)
프랑스(FR)
(71) 출원인 우기마그 에스.아.
다니엘 모리스
프랑스 에프-38830 셍-피에르-달레바르 아브뉘 뒤리쥬
(72) 발명자 모레 앙뜨와느
프랑스 에프-27000 에브래 뤼 두 발 플래리 25 어파트망 17
브랑도 에릭
미국 텍사스주 78045 라레도 버클리 로드 520
트노 필립
프랑스 에프-38190 베르닝 셰밍 두 카피투 148
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공개특허 특2002-0026346

(74) 대리인 신정건
김두규
심사청구 : 없음
(54) Ｍ형 헥사페라이트 분말 또는 케이크의 제조 방법
요약
본 발명은 a) 철 산화물 Fe2Ｏ3및 화합물 Ａ를 제공하며, 이들 철 산화물과 화합물을 몰비 n = Fe2Ｏ3/ＡO로 혼합하
는 단계와, b) 이 혼합된 혼합물을 성형해서 이를 오븐 속에서 소성 처리하는 단계와, c) 이 소성 처리된 괴상체를 분쇄
하여 미세한 페라이트 분말을 얻는 단계로 이루어진 방법에 관한 것이다. 이 방법은 1) 상기 혼합물을 5.7 ∼ 6.1의 범
위를 가진 비율 n 및 미리 결정된 균질도로 성형하는 단계와, 2) 상기 혼합물을 분쇄하는 단계와, 3) 상기 분쇄 이전에
또는 도중에, 상기 혼합물 속으로 미세 조직 제어제(ＡＣＭ)를 도입하는 단계로 이루어지는 것에 특징이 있다.
명세서
기술분야
본 발명은 Ｍ형 헥사페라이트, 다시 말해서 화학식이 ＡFe12 Ｏ19 인 마그네토플럼바이트(magnetoplumbite)의 입자로
구성된 분말 또는 케이크(cakes)의 분야에 관한 것이며, 상기 화학식에서, Ａ는 Ba, Sr, Ca, Pb를 나타내며, 원소 Ａ
및/또는 Fe는 다른 화학 원소에 의해 일부 치환될 수 있다.
상기 분말은 자기장 하에서 입자를 배향 및 압축하고 나서, 그 배향 및 압축된 입자를 소결함으로써 세라믹 자석을 제조
하는 데에 이용되고 있다.
또한, 이들 분말은 자기 기록 매체를 제조하는 데에도 이용될 수 있다.
배경기술
페라이트 분말을 제조하는 통상의 방법은 다음과 같다. 즉,
- 원료, 즉 통상적으로 철 산화물 Fe2Ｏ3와, Ａ가 Sr을 나타내는 경우 스트론튬 카보네이트 SrCＯ3을 분말의 형태로
공급하는 단계와,
- 이 분말을 페라이트의 화학식에 비교하여 과잉 상태이고, Ｍ형 화학식(SrFe12 Ｏ19 )에 대응하지만 가능하다면 첨가
제를 첨가한 후에 6 대신에 약 5.5의 Fe2Ｏ3/SrO의 몰비를 가지는 과잉 Sr과 혼합하는 단계와,
- 분말 혼합물을 대개 구상화 처리에 의해 또는 분말 압축에 의해 성형하는 단계와,
- Ｍ형 페라이트를 약 1200℃의 오븐에서 분말 알갱이를 소성 처리(하소)에 의해 성형하고, 냉각 후에는 5.11과 동일
한 밀도 ｄx를 가진 Sr의 Ｍ형 페라이트 기공율과 비교하여 통상 20% 이하의 기공율인 통상 겉보기 밀도 ｄa로서 적
어도 4를 가진 페라이트 알갱이를 얻는 단계와,
- 제1 거친 분쇄 후에 1회 또는 수회의 미세 분쇄가 행해지고, 입자 크기에 의한 분류 처리를 포함하고, 얻어진 최종
페라이트 분말은 1차 입자(기본 입자)로 구성된 어떤 큰 응집체(aggregrate), 심지어 미세한 응집체도 존재하지 않도
록 소성 처리된 알갱이를 다단계로 분쇄하는 단계를 포함한다.
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이 공정에서는 과잉 Sr이 이용되고 있다는 것에 주목해야 하며, 이러한 과잉 Sr은 제2 액상의 형성을 유도하고, 소성
처리 반응을 촉진시키고, 공정의 실시를 덜 어렵게 한다. 그러나, 이 경우에 실리카를 첨가하여 결정 성장을 억제하는
것이 일반적으로 필요하다.
이 후에, 자석을 제조하는 경우, 얻어진 미세한 분말을 분산시킨 후에 자기장 하에서 1차 입자를 배향 및 압축함으로써,
이 분말을 최종 자석의 형태로 성형한다.
압축된 제품은 다음에 건조, 소결 및 필요한 경우 요구 치수까지 기계 가공된다.
발생 가능한 문제점
통상적으로 잔류 자기 Br 또는 보자력 HcJ인 획득된 최종 성능 또는 최종 자기 특성은 특히 페라이트 입자의 조직학에
직접 의존하며, 잔류 자기 Br은 구체적으로는 1차 입자의 평행한 정렬 능력에 의존하며, 보자력 HcJ는 구체적으로 입
자의 크기 및 형상에 의존한다.
따라서, 불규칙하게 정렬된 1차 입자로 구성된 응집체가 존재하면, 높은 자기 특성을 획득하는 데에 크게 손해가 되며,
이 응집체는 다결정이며, 무질서하게 배향된 입자로 구성되어 있다.
따라서, 종래 기술의 방법 중에서 분쇄 단계는 중요한 단계인데, 그 이유는 투자를 포함하여 분쇄 처리 길이 및 분쇄 처
리 비용 양자 때문에, 그리고 자석의 최종 특성에 관련된 분쇄 결과 때문이다.
이 분쇄 처리와 관련된 주된 문제점은 다음과 같다.
- 한편, 소성 처리(하소)된 페라이트를 분쇄하는 것이 어렵기 때문에, 분쇄 장비의 현저한 마모가 관찰되고, 또 분쇄
매체로부터 나오는 부수 요소에 의한 페라이트 오염도 관찰되며, 이는 자기 특성에 부정적인 효과를 미친다.
- 다른 한편, 기본 입자를 분리하는 것이 매우 어렵기 때문에, 최종 분쇄 단계는 매우 길어지며, 결론적으로 자석을 성
형하기 위한 페라이트 분말의 형상 조정 및 이러한 작은 치수 입자를 자기장 하에서 정렬할 가능성 모두와 관련하여, 더
나아가 소입자의 재괴상화의 가능성, 소결 중에 재결정화의 높은 가능성과 관련하여, 부정적인 효과를 미치는 높은 비
율의 소입자(입자 크기가 0.3㎛ 이하인 입자)가 존재한다.
그 결론에 의하면, 최종 자기 특성의 악화, Br 및 ＨcJ의 값의 감소, 탈자화 곡선의 사각형 외관의 왜곡 중에서 적어도
하나가 발생한다.
또한, 페라이트 분쇄 처리의 어려움을 감안한다면, 이 분쇄 단계에서는 분쇄 처리 중에 기본 입자의 크기 및/또는 형상
을 개선하는 것은 더 이상 가능하지 않다.
따라서, 본 출원인은 여전히 현재 기술 수준 근처에 머물고 있지만, 보다 경제적이면서 효과적인 통상의 제조 방법을 사
용하는 수단을 찾았다.
발명의 상세한 설명
본 발명에 따르면, Ａ 및 Fe 중 적어도 하나는 다른 화학 원소에 의해 일부 치환될 수 있고, 여기에서 Ａ는 Ba, Sr, Ca,
Pb 또는 이들의 혼합물 중에서 선택된 금속을 나타내는 ＡFe12 Ｏ19 를 화학식으로 가지며,
a) 일반적으로 철 산화물 Fe2Ｏ3및 화합물 Ａ를 분말의 형태로 제공하며, 상기 철 산화물 및 화합물 Ａ로부터 몰비 n
= Fe2Ｏ3/ＡＯ를 가진 혼합물을 제조하는 단계와,
b) 상기 혼합물을 소성 처리 단계에 적합한 형상 및 크기의 괴상체의 형태로 성형하고, 이 괴상체를 대개 1100℃ ∼ 1
300℃의 범위에 있는 오븐 속에서 상기 Ｍ형 페라이트를 성형하는 그런 방식으로 소성 처리하는 단계와,
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c) 상기 소성 처리된 괴상체를 분쇄하여 미세한 페라이트 분말을 획득하는 단계를 포함하는, Ｍ형 헥사페라이트 분말
또는 케이크를 제조하는 방법에 있어서,
- 상기 소성 처리에 선행하는 단계 a)에서
1) 상기 혼합물을 5.7 ∼ 6.1 범위를 가진 비율 n으로 성형하며,
2) 상기 혼합물의 성형과 동시에 또는 후에, 상기 혼합물을 미리 결정된 한계값과 적어도 동일한 균질도와, 0.25㎛ ∼
1.0㎛ 범위를 가진 미리 결정된 값의 평균 입자 크기 양자를 가지도록 분쇄하며,
3) 상기 분쇄 이전에 또는 도중에, 상기 혼합물에 미세 조직 제어제(ＡＣＭ)를 도입하며,
- 단계 b)에서, 상기 ＡＣＭ의 특성 및 함량과 함께 상기 소성 처리 조건을 선택하여 상기 소성 처리 단계의 말기에 이
하의 특성, 즉
* 95% 이상의 결정화된 Ｍ형 페라이트로의 변태 수율,
* 3.5 이하, 바람직하게는 3 이하의 겉보기 밀도 ｄa또는 30% 이상, 바람직하게는 40% 이상의 기공율, 및
* 단계 c)의 분쇄 처리를 상기 케이크의 단순 분산 처리로 대체하기 위해 높은 취성에 이르는 1차 입자 사이의 결정립
계에서의 낮은 응집 에너지를 가진 다공성 케이크의 형태로 된 페라이트 재료를 획득한다.
따라서, 본 발명은 필수 수단의 조합에 관한 것이다.

제1 필수 수단은 통상적으로 사용된 값, 즉 5.5 보다 훨씬 높은 몰비 n의 선택이다. 이 몰비 만큼 낮은 n 값이 사용되면,
제2 액상(液相)이 과잉 Sr(Sr 페라이트의 경우)에 의해 형성되고, 이러한 제2 액상의 형성은 페라이트의 전체 형성 반
응 및 우수한 이방성을 제공하는 페라이트의 결정화를 촉진시키고, 이것에 의해 공업적인 규모로 상기 공정 실시를 비
교적 용이하게 만든다. 그러나, 이와는 반대로, 이러한 제2 액상은 차후 분쇄 처리를 길어지게 하면서도 어렵게 하는 1
차 입자를 함께 결합시키는 경향을 가진다.

보통 값 보다 높은 n 값과 관련된 위험은 페라이트의 불량한 결정화 및 불완전한 반응이다.
따라서, 본 발명의 수단은 화학양론(stoichiometry)에 가까운 몰비 n(n=6)를 획득할 수 있는, 다시 말해서 제2 액상
의 존재를 최소로 감소시킬 수 있으면서도,획득된 페라이트 입자에 대하여 높은 이방성을 부여하기에 충분한 결정화 및
높은 페라이트 변태 수율을 여전히 획득할 수 있다.
제2 수단은 미리 결정된 고도의 균질도를 가진 화합물 Ａ 및 Fe2Ｏ3의 혼합물의 형성, 즉 제3 분쇄 수단과 가장 빈번
하게 결부된 혼합물로 이루어져 있다. 실제, 일반적으로는 분쇄 처리 도중에 이들 혼합물 중에서 수개, 통상 3개의 샘플
을 선택하고, 이들 샘플을 표준 실험실 조건 하에서 소성 처리하였다.
이러한 표준 조건 하에서 미리 결정된 결정화 페라이트 수율을 획득한 경우에, 혼합물은 만족스러운 것으로 본다. 예컨
대, 1125℃에서 30분 동안 소성 처리한 결정화된 페라이트 중에서 적어도 80%의 수율에 이른 샘플은 공업적인 소성
처리 조건 하에서 적어도 95%의 수율에 도달한다는 것이 테스트에 의해 증명될 수 있다.
대부분의 경우, 구체적으로는 작은 입자 크기(0.6㎛ 또는 그 미만)의 철 산화물을 얻고자 하는 경우, 본 발명에 따른 균
질도의 기준은 분쇄 처리 중에 상기 입자 크기에 대한 기준 보다 더욱 신속하게 만족된다.
제3 수단은 1차 입자의 평균 입자 크기는 0.25㎛ ∼ 1.0㎛ 범위를 가진 미리 결정된 값을 가지도록 상기 혼합물의 분쇄
단계로 구성되어 있다.
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초기 원료의 다소간의 미세한 정도에 따라, 분쇄 가공은 더 길거나 짧아지는 것이 자명하다. 미크론 이하의 철 산화물을
제공하고, 이 산화물을 본 발명에 따라 분쇄하여 그 평균 입자 크기를 수십분의 1㎛ 정도로 감소시킴으로써 원하는 평
균 입자 크기를 얻는 것이 유리하다.
특히, 분쇄 처리의 말기에는 입자 크기 분포도, 즉 단일 형태이면서 1차 입자의 평균 크기에 맞추어지고, 한 집단의 1차
입자 및 1차 입자의 크기 보다 통상 5 ∼ 10배 더 큰 크기로 이루어진 다른 집단의 1차 입자의 응집체를 가진 2가지 형
태가 아닌 분포도를 얻는 것이 필요하다.
따라서, 분쇄 처리는 1차 입자의 크기를 원하는 수준 이하로 감소시키고, 또 1차 입차의 응집체를 억제하는 모두의 경
향이 있다.
분쇄 처리의 말기에, 2가지 기준, 즉 화합물 Ａ 및 Fe2Ｏ3의 균질도에 대한 기준과, 화합물 Ａ 및 Fe2Ｏ3입자의 크기
에 대한 기준은 충족되어야 한다.
제4 수단은 상기 분쇄 처리 이전에 또는 도중에 ＡＣＭ으로서 약칭되는 미세조직 방해용 제어제를 상기 혼합물에 도입
하는 것으로 이루어져 있다.
이 작용제를 소성 처리 도중에 결정질 페라이트 조직 속으로 주입하고 나서, 결정립계로 석출시킬 수 있으며, 이것은 본
출원인이 관찰한 바에 따르면 취성을 촉진시킨다. 또한, 이것은 입자 또는 페라이트 결정의 표면에서 분산된 형태로 발
생할 수 있어서, 소성 처리 중에 페라이트 입자의 조밀화를 방해할 수 있다.
따라서, 이것은 결정립계에서 입자의 응집 감소 및/또는 소성 처리 중에 조밀화를 방해할 수 있기 때문에, 취성 케이크
형태의 소성 처리된 생성물을 얻는 중요한 수단이다. 테스트한 바에 따르면, 실제 소성 처리 중에 1차 페라이트 입자들
사이에서 이들 입자의 소결을 제한하는 역할을 하며, 이에 따라 1차 입자로 이루어진 괴상체의 응집력을 감소시키는 것
이 가능하였다.
이하에서 증명되는 바와 같이, 분쇄된 혼합물의 소성 처리 조건은 평범하지는 않지만, 본 발명의 목적을 달성하기 위해
선택될 수 있는 것이 유리하다.

이들 모든 수단을 단지 조합하는 것에 의해 드러난 문제점이 해결될 수 있고, 본 발명의 다수의 목적, 즉 한편으로는 필
연적으로 제조 비용 및 투자 비용의 감소, 구체적으로는 분쇄 시간의 감소와, 다른 한편으로는 1차 입자로 이루어진 보
다 적은 양의 응집체를 가진 더욱 균질한 페라이트 분말을 얻는 새로운 가능성을 통해 자기 특성의 개선과, 마지막으로
고전적인 방법에서와 같이 소성 처리 단계 후가 아닌 직전(直前)에 원료의 입도 측정값(granulometry)에 보다 긴밀하
게 개입함으로써 제조 방법을 조절할 가능성이 달성될 수 있다.

게다가, 분쇄 처리 또는 분산 처리를 위한 시간 및 수단의 현저한 감소는 페라이트 분말에 있어서 전통적인 공정에 따른
철제 또는 강제 볼을 이용하여 분쇄하는 데에 원인이 있는 Fe2 이온 함량을 현저하게 감소시킬 수 있다는 것에 주목해
야 한다.
본 발명에 따르면, ＡＣＭ 첨가제는 소성 처리 단계 중에 기상으로 Fe3 이온을 운반할 수 있고, 통상적으로는 FeCl3
이고 중량 단위로 0.1 ∼ 0.5% 범위의 함량을 가진 혼합물 속으로 첨가될 수 있다. 이 첨가제는 조밀화에 작용하는 Ａ
ＣＭ이다. 본 출원인의 가정에 따르면, 이 첨가제는 가장 활성적인 자리(날카로운 모서리)를 비활성 상태로 만들고, 이
에 따라 소성 처리 중에 얻어진 페라이트 재료의 조밀화를 방해하는 경향을 가지고 있다.
또한, 본 출원인은 소성 처리 후에 취성 케이크를 얻고 나서, ＡＣＭ으로서 상기 혼합물에 첨가하는 것이 유리한 것으로
밝혀졌으며, 이 ＡＣＭ은 통상적으로 상기 혼합물의 0.1 ∼ 0.5 중량% 범위의 함량을 가지며, 소성 처리 중에 Fe2Ｏ3
또는 화합물 Ａ로 치환될 수 있는 휘발성 산화물, 즉 통상적으로는 Bi2Ｏ3, V2Ｏ5또는 기타 휘발성 산화물이며, 상기
휘발성 산화물의 첨가는 과잉 전하의 경우원자가(原子價) 균형을 보장하기 위해 Fe3 이온을 치환하는 2가 금속의 다
른 첨가에 의해 보상된다.
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공개특허 특2002-0026346

본 발명에 따르면, 상기 혼합물은 2개의 단계, 즉
- 5분 미만 동안 1225℃ 이상의 온도 T1에서,
- 그 후에, 적어도 30분 동안 1150℃ 이하의 온도 T2에서 소성 처리될 수 있다.
본 출원인이 주목했던 바와 같이, 단기간의 소성 처리가 취성 케이크를 제조하는 데에 유리하지만, 이것은 불완전한 반
응 및 불충분하게 결정화된 헥사페라이트 입자를 가질 우려를 제한하기 위해 " 완전한" 혼합물을 각 알갱이의 규모로
요구하기 때문에, 결정의 이방성은 충분하게 형성되지 못한다.
본 출원인이 설정한 가정에 따르면, 본 발명에 따른 2단계 소성 처리의 경우, 가능한 적은 양의 제2 액상이 온도 T1이
상에서 형성되어, 초단시간에 Fe2Ｏ3입자에 대해 확산하고, 이어서 T2이하에서 제2 액상이 응고하여 반응 뿐만 아니
라 결정화를 입자 크기의 변형 또는 결정립계의 강화를 유발하는 일없이 계속할 수 있다.
그러나, 30 ∼ 90분 범위의 지속 시간 동안, 1200℃ ∼ 1300℃ 범위, 바람직하게는 1220℃ ∼ 1250℃ 범위에서 단일
단계로 실시하는 것도 역시 가능하다.
본 발명에 따르면, 상기 분쇄 처리는 건식 분쇄 처리 또는 습식 분쇄 처리로 이루어질 수 있고, 이 건식 또는 습식 분쇄
처리를 ZrO2또는 텅스텐 카바이드 ＷＣ로 이루어진 부하 인가형 막대 또는 볼인 금속 또는 세라믹 분쇄 요소를 이용하
여 실시하고, 상기 혼합물의 0.05 ∼ 0.5 중량% 범위를 가진 통상적인 저함량의 Zr 또는 Ｗ가 상기 막대 또는 볼의 마
모 및 마찰에 의해 상기 혼합물로 전달되거나, 또는 상기 혼합물에 첨가되며, 미세하게 분산된 형태로 ＡＣＭ 작용제로
서의 기능을 한다.

이제, 본 출원인이 말하는 놀라운 효과가 있는 바, 즉 Zr 또는 텅스텐 W는 어떤 결정립에서 다른 결정립으로의 물질 운
반에 대해 반작용하며, 그에 따라 소결 위험을 감소시키는 것으로 보인다는 점이다. 또한, ＡＣＭ의 존재는 화학양론에
대해 조성물의 다양성(divergence)과 독립적으로 되는 것을 가능하게 하고, 몰비 n이 예컨대 5.8 ∼ 6 범위에 있는 경
우 약간의 제2 액상을 허용함으로써 공정을 더욱 맹렬하게 한다. 통상적으로, 제1 건식 분쇄 처리는 볼을 이용한 분쇄
기에서 분쇄되고 나서, 통상적으로는 여과에 의해 물 성분을 부분적으로 제거한 후에, 이 여과된 케이크가 성형되어 소
성 처리 오븐 속으로 투입된다.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 평균 입자 크기를 0.25㎛ ∼ 1㎛ 범위로 가지는 철 산화물 Fe2Ｏ3이 제공될 수 있
고, 이 경우에 단계 2)의 분쇄는 억제되거나, 건식 혼합 처리 또는 습식 분산 처리로 대체된다.
실제, 입자 크기의 문제에 관한 한, 가장 중요한 것은 소성 처리에 앞서 혼합물의 최종 분포도와 입자 응집체의 소실이
며, 이것을 얻기 위해 어떤 수단을 사용했던 간에, 즉 철 산화물 입자의 입자 크기 감소가 본 발명에 따른 공정의 범위
내에서 실시되었건, 또는 철 산화물의 공급 전에 실시되었건간에 불문한다.

상기 몰비 n은 6 ±0.1와 동일한 값으로 취해질 수 있다. 이 경우, 매우 적은 양의 제2 액상 및 최소량의 과잉 화합물
Ａ가 형성되며, 이는 다공성 및 취성 케이크의 형성에 유리하다. 그러나, 몰비 n이 이론적인 값인 6에 근접할수록, 혼합
물은 매우 소량으로 더욱 균질하게 되어야만 하는데, 그 이유는 페라이트 형성을 위한 반응의 구성 인자가 국부적으로
존재해야만 하기 때문이다. 실제, 본 출원인이 실시한 테스트에 따르면, 소성 처리 단계에 앞서 분쇄 단계의 병합은 이
러한 결과를 달성하는 것을 가능하게 해주는 여러 수단 중 하나를 구성하는 것으로 밝혀졌으며, 더군다나, 그 결과는 당
해 기술 분야의 숙련자도 쉽게 접근할 수 없는 것처럼 보였다.

또한, 상기 몰비 n은 5.9 ±0.1과 동일한 값으로 취해질 수 있고, 이 경우에 상기 혼합물 외에도, 입자 크기 제어제(약
칭하여, ＡＣＴＰ), 통상적으로는 실리카, 실리카 유도제, 또는 통상적으로는 CaSiＯ3인 실리카 및 석회석의 조합물이
첨가될 수 있으며, 이때 균등한 실리카의 함량은 상기 혼합물의 0.1 ∼ 1 중량% 범위를 가지고 있는 상태이다.
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실제, 본 출원인이 주목한 것은, 상기 혼합물의 조성물이 n = 6의 값을 벗어날수록, 소성 처리 단계에 의해 분쇄로부터
얻어진 1차 입자의 입자 크기 분포도가 현저하게 손상 당하지 않는 그런 방식으로 ＡＣＴＰ를 도입하는 것이 더욱 더
유리하다는 점이다.
본 발명의 방법에 대한 다른 실시 형태에 따르면, 몰비 n = 5.85 ±0.15가 선택될 수 있고, 전술한 바와 같이, 이 경우
에는 전술한 경우에서 보다 더 많은 양으로 ＡＣＴＰ를 첨가하는 것이 유리하다.
몰비 n의 값에 따라, 제2 액상이 다소간에 형성되고 나서, ＡＣＴＰ의 특성 또는 함량에 의하든, 또는 소성 처리 자체의
조건에 의하든 간에, 이러한 액상의 출현을 방해하는 것이 필요하다.
그럼에도 불구하고, ＡＣＭ 및 ＡＣＴＰ의 양은 제한되어야 하며, 이 ＡＣＭ [또는, 소성 처리 후에 잔류하는 대응 금속
또는 반금속 원소(metalloid element)]의 양은 소성 처리된 케이크 중에 1 중량% 이하인 것인 바람직하고, ＡＣＴＰ
(또는, 소성 처리 후에 잔류하는 대응 금속 또는 반금속 원소)의 양은 소성 처리된 케이크 중에 2 중량% 이하인 것이
바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 혼합물 속으로는, Bi, La 및 희토류 중에서 선택되고 통상적으로 산화물의 형태인 Ａ의 치환용
3가 생성물 B과, Ni, Co, Mg, Cd, Cu, Zn 중에서 선택된 Fe3 이온의 치환용 2가 생성물 C를, x가 0.05 ∼ 0.45 범
위인 통상적으로 화학식 Ａ1-x ＢxＣxＦe12-x Ｏ19 의 페라이트를 형성하는 데에 선택된 함량에서 원자가의 균형을
맞추는 그런 방식으로 첨가될 수 있다.
종래 기술에서 알려진 바와 같이, 결정 조직에서 생성물 Ａ2 를 치환하는 생성물 Ｂ3 의 첨가가 가능하려면, 구체적
으로는 과잉 전하가 결정 조직에서 Fe3 이온의 치환을 위해 Ni2 , Zn2 , Mn2 , Co2 등의 형태를 가진 2 이온의
첨가에 의해 보상되어야 하는 것을 필요로 한다.
게다가, 본 출원인은 저함량에서, Ａ의 치환용 생성물 Ｂ, 구체적으로는 La가 ＡＣＭ 효과를 증명했다고 하는 확실한
작용에 주목했다. 저함량이 의미하는 바는, 중량 단위로 1% 이하의 백분율을 의미하고, 다시 말해서 그 함량은 화학식
Ａ1-x ＢxＣxＦe12-x Ｏ19 에서 0.01 이하의 x에 대응하는 것이다. 그러나, 이 경우 본 출원인에 따르면, 적어도 냉각
후에는 생성물 Ｂ가 결정 조직에 일체화되지 않고 결정립계에 집중하며, 따라서 ＡＣＭ과 같은 작용을 할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명에 따른 방법에 의해 얻어진 헥사페라이트에 있으며, 이 헥사페라이트는 3 이하의 겉보
기 밀도를 나타내고, 그 1차 입자는 0.25 ∼ 1㎛ 범위로 이루어진 평균 입자 크기를 가진다. 이 겉보기 밀도는 육안 관
찰의 어떤 체적에대응하는 질량체로부터 얻어진 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 본 발명에 따라 얻어진 헥사페라이트 케이크의 분산에 의해 얻어진 미세한 헥사페라이트 분
말에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 본 발명에 따라 얻어진 미세한 헥사페라이트 분말로부터 얻어진 자석에 있다.
추가의 목적은 본 발명에 따라 얻어진 분말로부터 얻어진 자기 기록 매체를 포함한다.
실시예
모든 테스트에서는, 즉 본 발명에 따른 테스트와 본 발명을 벗어난 비교 테스트 양자에 있어서는, 페라이트로 이루어진
케이크 및 미세 분말을 제조하여 모든 테스트에 공통하는 아래의 조건에 따라 측정을 실시하였다.
a) 원료에 대하여
- Fe2Ｏ3분말은 루테너 방법(Ruthner method)에 의해 획득되고, 0.8㎛의 평균 입자 크기[피셔 테스트(Fisher tes
t)]의 분말이며,
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공개특허 특2002-0026346

- SrCＯ3분말(본 발명의 Ａ 성분)은 1.5㎛의 평균 입자 크기[공급자: 솔베이 그레이드 Ａ(Solvay grade Ａ)]의 분말
이며,
- ＡＣＴＰ를 사용하는 경우, CaSiＯ3를 사용하였다.
b) 본 발명에 따르면, 소성 처리(하소) 전에 실시되는 분쇄 처리를 0.6㎛의 평균 입자 크기(피셔 테스트)로 제조하는
데에 필요한 시간 동안 실시하였다. 이 분쇄 처리를 복수의 분쇄용 볼을 이용하여 습식으로(건식인 경우의 테스트 10을
제외) 실시하였다. 이들 볼의 직경 및 특성에 대해서는 표 1에 표시되어 있다.
일반적으로 테스트 1 내지 15의 경우에, 0.6㎛의 평균 입자 크기와 필요한 균질도의 수준을 얻는 데에 소요된 분쇄 시
간의 길이는 통상적으로 1 ∼ 2시간의 범위이었다.
복수의 테스트(테스트 1 내지 15)의 분쇄 처리 조건 하에서는, 혼합물의 균질도에 관련된 본 발명의 테스트는 0.6㎛의
평균 입자 크기를 달성하기 전에 충족되었다는 것에 주목하였다.
c) 미세 조직 제어제 ＡＣＭ에 대한 특성 및 함량에 대해서는 표 1에 있다. 대부분의 경우에, 상기 ＡＣＭ을 포함하거
나 이것으로 구성된 매체 또는 분쇄 요소를 소량의 ＡＣＭ이 정상적인 마멸에 의해 페라이트 결정 표면에 퇴적되는 그
런 방식으로 사용하였다.
d) 표 1에 상세하게 제시된 온도 Tc에서 가스 오븐 내의 공기 분위기(Ｏ2함량 9%)에서 실시하였고, 달리 제시되지 않
은 경우라면 1시간 동안 그렇게 실시하였다.
e) 자석을 성형하는 데에 이용할 수 있는 미세한 페라이트 분말로 소성 처리된 페라이트의 변형에 대하여, 10㎡/gm의
BET 비표면적을 얻는 데에 필요한 시간 동안 연속적으로 작동하는 실험실 타입의 애트리터(R) 분쇄기에서 상기 소성
처리된 페라이트를 분쇄하였다. 이 시간은 표 2에서 취성에 대한 측정 수단으로서 보여준다.
사실, 현재 기술 수준에 따른 방법에서는, 이러한 변형은 특정 시간 동안 철제 볼을 이용하여 실시되었던 페라이트 입자
의 입자 크기의 감소가 따르는 분쇄 처리이며, 이에 반해 본 발명의 발명에 따르면 이러한 변형은 무엇보다도 얻어진 취
성 케이크의 분산 처리이며, 따라서 비교적 낮은 수준의 소입자 함량에 이른다.
f) 측정을 다음과 같이 진행하였다.
- 실리카 볼을 갖춘 기공율 측정기를 이용하여 겉보기 밀도 ｄa를 측정하였으며, 그 이유는 실리카 볼이 케이크의 기공
속으로 들어갈 수 없기 때문이었다. 밀도 엔벌로프(density envelope)를 측정하였다.
- 전술한 바와 같이, 분쇄 테스트를 이용하여 케이크의 취성 F를 평가하였으며, 연속적으로 작동하는 애트리터(R) 타
입의 실험실 분쇄기에서 소성 처리된 페라이트를 분쇄함으로써 10㎡/gm의 BET 입도 측정값(granulometry)을 얻는
데에 필요한 시간(h)을 측정하였다.
- 2 T(tesla)의 자기장 하에서 비자화도(specific magnetisation) Ms(Aㆍ㎡／㎏)를 제로 자기장에서 추출법(ext
raction)에 의해 측정하였다. 이것에 의해 Ｍ 상(相)의 특성, 다시 말해서 Ｍ 중의 원료의 변태 수율이 평가될 수 있다.
- 소성 처리 후에 얻어진 케이크 형태로 된 페라이트의 보자력 HcJ의 값을 보자력 측정기(coercimeter)로 측정하였
으며, 이것에 의해 케이크에서 결정립의 미세한 정도가 상정될 수 있고, 즉 HcJ의 값이 높을수록 결정립의 크기는 더욱
더 미세하다.
- Fe2 이온, Cl 및 Zr의 함량 W를 습식 화학 측정법에 의해 얻고, X선 형광에 의해 Bi, La, Co 및 Zn의 함량을 얻었
다.
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- 미세한 페라이트 분말로부터 제조된 자석의 잔류 자기 Br 및 보자력 HcJ의 값을 IEC 표준 404-5에 따라 측정하였
고, 그 자석은 압력 P = 30㎫(300㎏/㎠) 및 1 T의 축방향 자기장 하에서 BET = 10㎡/gm에서 페이스트(paste)의
압축에 의해 이어서 1235℃의 온도에서 공기 분위기에서 1시간의 방치 시간 동안 전기 소결을 함으로써 획득된 원통형
형상(φ= 30㎜ 및 e = 8㎜)을 가진다.
- 화학식 " IP = Br 0.5 HcJ(SI 단위)" 에 의해 계산된 성능 지수가 지수 IP이며, 이것에 의해 상대적인 결과가 B
r 및 HcJ 사이의 균형과는 독립적으로 비교될 수 있고, 이는 첨가제에 의해, 그리고 소성 처리 조건에 의해 모두 통제된
다.
[표 1]
테스트 번
호
n 기타 성분 중량% ACTP중량
%
분쇄매체/크기(본 발
명)
Tc ℃ 분쇄매체/크기(비교
예)
ＡＣＭ 중량%
A 5.5
5
1 1290 Fe 볼/4mm
B 6.0 La2Ｏ3=5.2%Co3Ｏ4=
2.3%
1230 Fe 볼/4mm
C 6.0 La2Ｏ3=5.2%ZnＯ=2.
3%
1230 Fe 볼/4mm
1 5.8
5
1 WC 볼/4mm 1230 W0.1
2 5.8
5
ZrＯ2볼/4mm 1250-3분 1140-
60분
Zr0.4
3 5.8
5
1 Fe 볼/4mm 1240
4 6.0 ZrＯ2볼/4mm 1230 Zr0.4
5 5.8
5
Fe 볼/4mm 1250-3분1140-
60분

6 5.9
0
1 ZrＯ2볼/4mm 1230 Zr0.4
7 5.5
5
2 Fe볼/4mm 1230
`8 5.8
5
ZrＯ2볼/4mm 1230 FeCl3/ZrＯ20.4
/0.4
9 6.0 Fe 볼/4mm 1250
10 5.8
5
1 ZrＯ2볼/20mm건식
분쇄
1230 Zr0.4
11 6.1
0
Bi2Ｏ3/Zr ZrＯ2볼/4mm 1230 0.4/0.4
12 5.9
5
Fe 볼/4mm 1290
13 5.8
5
1 Fe 볼/20mm 건식 분
쇄
1130
14 6.0 La2Ｏ3=5.2%Co3O4=
2.3%
ZrＯ2볼/4mm 1230 Zr0.2
15 6.0 La2Ｏ3=5.2%ZnＯ=2.
3%
ZrＯ2볼/4mm 1230 Zr0.2
주석:
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- ＡＣＭ 및 ＡＣＴＰ는 혼합물(소성 처리 없음)의 중량%로 표현되어 있다.
- 테스트 B 및 테스트 14의 경우, 소성 처리된 케이크에서 La 및 Co의 중량%는 각각 3.9% 및 1.6%이다.
-테스트 C 및 테스트 15의 경우, 소성 처리된 케이크에서 La 및 Zn의 중량%는 각각 3.9% 및 1.7%이다.
[표 2]
테스트 번호(mT) da 취성 F(h) Ms A㎡/kg HcJkA/m 기공율 % Fe2 % 자기 특성
Br(mT) HcJ(kA/m) IP(mT)
A 4.32 20 68.1 272 16 2.7 410 270 545
B 4.14 22 68.4 375 22 2.6 412 346 585
C 4.12 21 69.5 252 21 2.3 421 192 517
1 2.72 14 68.1 332 43 0.3 418 293 564
2 2.72 14 68.1 332 44 0.1 420 292 566
3 2.72 32 68.1 332 44 0.1 401 188 495
4 2.65 13 68.4 330 48 0.3 420 296 568
5 2.20 6 59.1 253 55 0.1 382 193 479
6 2.80 14 68.3 331 45 0.3 418 293 564
7 2.30 8 64.1 350 55 0.2 385 210 490
8 2.68 14 68.4 342 47 0.3 419 290 564
9 3.48 18 66.9 285 32 1.3 420 210 525
10 2.72 15 68.1 332 43 0.3 419 294 566
11 2.70 13 68.2 325 47 0.3 420 298 569
12 4.10 21 68.1 265 19 0.3 405 268 539
13 2.3 6 57.6 355 55 0.1 378 200 478
14 2.73 12 68.5 395 48 0.3 421 362 602
15 2.84 12 69.2 231 46 0.3 432 182 523
테스트 3, 5, 7, 9, 12 및 13은 본 발명의 범위 내에서 실시한 비교예 테스트이지만, 이들은 본 발명의 필수 수단 중 적
어도 하나를 결여하고 있기 때문에 본 발명에 속하지 않는다.
테스트에 대한 결론
우선, 본 발명과 현재 기술 사이에는 분쇄 처리 또는 분산 처리를 위한 전체 시간의 현저한 이득이 있다는 것에 주목할
수 있다. 실제로, 실시한 테스트의 범위 내에서는, 종래 기술에 따른 22 시간 정도의 평균 분쇄 처리 시간은 케이크의
분산 처리를 위한 2 시간에 14 시간을 합한 시간, 즉 총 16시간의 평균 분쇄 처리 시간에 대응하며, 이 16시간은 심지
어 생성물 운송을 고려하더라도 적어도 10%의 생산성의 이득, 즉 공업적인 공정의 경우 대단히 중요한 이득을 보장한
다.
또한, 이들 테스트에 의하면, 본 발명에 따른 미세한 페라이트 분말을 이용하여 얻어진 자석의 자기 특성 및 성능은 개
선된 것을 나타내고 있다.
본 발명의 장점
본 발명의 여러가지 장점 중에서, 드러난 문제의 해결에 대응하는 장점 외에도, 특히 2가지 점에 강조를 두어야 한다.
즉,
- 한편으로는, 본 발명에 따른 방법에 의하면, 페라이트 분말 중에는 소입자의 존재가 제거될 수 있고, 이 소입자는 0.
3㎛를 필요로 하는 최소 크기 보다 더 작은 크기의 모든 입자이다.
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실제, 종래 기술 분말에서 얻어진 소입자는 소성 처리 후의 분쇄 처리에 원인이 있고, 불가능하지는 않지만 이 소입자를
페라이트 입자로부터 분리해 내는 데에 어려움이 있다.
이와 반대로, 본 발명에 따른 방법에 의하면, 소성 처리 전에 분쇄 처리하는 동안 생길 수 있었던 Fe2Ｏ3입자로 이루어
진 소입자는 보다 높은 반응성을 고려하여 소성 처리 중에 필연적으로 사라지게 된다.
- 다른 한편으로는, 본 발명에 따른 방법에 의하면, 최종 자기 특성에 부정적인 영향을 미치는 Fe2 이온 함량이 낮은
값으로 제한될 수 있다. 그러나, 현재 기술에 따른 분쇄, 통상적으로 철제 또는 강제 볼을 이용한 분쇄 처리에 의하면,
페라이트 분말 중의 Fe2 이온 함량은 훨씬 높고, 통상적으로는 2배 정도 높고, 이는 최종 자기 특성, 특히 IP를 현저
하게 증가시킨다. IP의 증가는 치환되지 못한 Sr 페라이트의 경우 20 mT로 평가되었다. 또한, La 및 Co 치환된 페라
이트의 경우 20 mT로 평가되었고, La 및 Zn 치환된 페라이트의 경우 6 mT로 평가되었다.
(57) 청구의 범위
청구항 1.
Ａ가 Ba, Sr, Ca, Pb 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 금속을 나타내는 ＡFe12 Ｏ19 의 화학식을 가진 Ｍ형 헥사페
라이트 분말의 제조 방법으로서,
a) 일반적으로 철 산화물 Fe2Ｏ3및 화합물 Ａ를 분말의 형태로 제공하며, 상기 철 산화물과 화합물 Ａ로부터 몰비 n
= Fe2Ｏ3/ＡO를 가진 혼합물을 제조하는 단계와,
b) 상기 혼합물을 소성 처리 단계에 적합한 형상 및 크기의 괴상체의 형태로 성형하고, 이 괴상체를 통상적으로 1100
℃ ∼ 1300℃의 범위에 있는 오븐 속에서 상기 Ｍ형 페라이트를 성형하는 그런 방식으로 소성 처리하는 단계와,
c) 상기 소성 처리된 괴상체를 분쇄하여 미세한 페라이트 분말을 얻는 단계를 포함하는, Ｍ형 헥사페라이트 분말의 제
조 방법에 있어서,
- 상기 소성 처리에 선행하는 단계 a)에서는
1) 상기 혼합물을 5.7 ∼ 6.1의 범위를 가진 비율 n으로 성형하고,
2) 상기 혼합물의 성형과 동시에 또는 후에, 상기 혼합물을, 미리 결정된 한계값과 적어도 동일한 균질성 정도와, 0.2
5㎛ ∼ 1㎛ 범위를 가진 미리 결정된 값의 평균 입자 크기 양자를 가지도록 분쇄하며,
3) 상기 분쇄 이전에 또는 도중에, 상기 혼합물에 미세 조직 제어제(ＡＣＭ)를 도입하며,
- 단계 b)에서는,
상기 ＡＣＭ의 특성 및 함량과 함께 상기 소성 처리 조건을 선택하여 상기 소성 처리 단계의 말기에 이하의 특성, 즉
* 95% 이상의 결정화된 Ｍ형 페라이트로의 변태 수율,
* 3.5 이하, 바람직하게는 3 이하의 겉보기 밀도인 ｄa또는 30% 이상, 바람직하게는 40% 이상의 기공율, 및
* 단계 c)의 분쇄 처리를 상기 케이크의 단순한 분산 처리로 대체하기 위해 높은 취성에 이르는 1차 입자 사이의 결정
립계에서의 낮은 응집 에너지
를 동시에 제공하는 다공성 케이크의 형태로 된 페라이트 물질을 얻는 것을 특징으로 하는 Ｍ형 헥사페라이트 분말의
제조 방법.
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청구항 2.
제1항에 있어서, ＡＣＭ 으로서, 소성 처리 단계 중에 기상(氣相)으로 Fe3 이온을 운반할 수 있고, 통상 FeCl3이고
혼합물의 0.1 ∼ 0.5 중량% 범위의 함량을 가진 첨가제를 상기 혼합물 속으로 첨가하는 것인 Ｍ형 헥사페라이트 분말
의 제조 방법.
청구항 3.
제1항 또는 제2항에 있어서, ＡＣＭ으로서 통상적으로 상기 혼합물의 0.1 ∼ 0.5 중량% 범위의 함량에서, 상기 소성
처리 중에 Fe2Ｏ3또는 Ａ로 치환될 수 있고, 통상적으로 Bi2Ｏ3또는 V2Ｏ5인 휘발성 산화물을 상기 혼합물 속으로 첨
가하며, 상기 휘발성 산화물의 첨가는 과잉 전하의 경우원자가(原子價) 균형을 보장하기 위해 Fe3 이온을 치환하는
2가 금속의 추가적인 첨가에 의해 보상되는 것인 Ｍ형 헥사페라이트 분말의 제조 방법.
청구항 4.
제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물은,
- 2개의 단계로, 5분 미만 동안 1225℃ ∼ 1275℃의 범위를 가진 온도에서, 그 후에 30분 이상 동안 1100℃ ∼ 115
0℃의 범위를 가진 온도에서,
- 단일의 단계로, 30분 ∼ 90분의 범위의 시간 동안 1200℃ ∼ 1300℃의 범위를 가진의 범위를 가진 온도에서,
중에서 어느 하나로 소성 처리되는 것인 Ｍ형 헥사페라이트 분말의 제조 방법.
청구항 5.
제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 분쇄 처리는 건식 분쇄 처리 또는 습식 분쇄 처리를 포함하며, 상기
건식 또는 습식 분쇄 처리는 통상적으로 ZrＯ2또는 텅스텐 카바이드 WC로 이루어진 부하 인가형 막대 또는 볼인 금속
또는 세라믹 분쇄 요소를 이용하여 실시되며, 통상적으로는 상기 혼합물의 0.05 ∼ 0.5 중량% 범위의 저함량의 Zr 또
는 Ｗ가 상기 막대 또는 볼의 마모 및 마찰에 의해 상기 혼합물로 전달되거나, 또는 상기 혼합물에 첨가되며, 미세하게
분산된 형태로 ＡＣＭ 작용제로서의 역할을 하는 것인 Ｍ형 헥사페라이트 분말의 제조 방법.
청구항 6.
제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 평균 입자 크기가 0.25㎛ ∼ 1㎛의 범위를 가진 철 산화물 Fe2Ｏ3가 제
공되며, 상기 단계 2)를 포함한 단계 a)의 분쇄 처리를 건식 혼합 처리 또는 습식 분산 처리로 대체하는 것인 Ｍ형 헥사
페라이트 분말의 제조 방법.
청구항 7.
제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 통상적으로는 실리카, 칼슘 산화물, 실리카 유도제, 또는 통상적으로는 C
aSiＯ3인 실리카와 칼슘 산화물의 조합물인 입자 크기 제어제(약칭하여, ＡＣＴＰ)가 상기 혼합물 속으로 추가로 첨가
되며, 이때 균등한 실리카의 함량은 상기 혼합물의 0.1 ∼ 1 중량%의 범위를 가지고 있는 상태인 것인 Ｍ형 헥사페라
이트 분말의 제조 방법.
청구항 8.
제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 비율 n은 6 ±0.1와 동일한 것인 Ｍ형 헥사페라이트 분말의 제조 방
법.
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청구항 9.
제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 비율 n은 5.9 ±0.1와 동일하게 선택되는 것인 Ｍ형 헥사페라이트
분말의 제조 방법.
청구항 10.
제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 비율 n은 5.85 ±0.15와 동일하게 선택되는 것인 Ｍ형 헥사페라이
트 분말의 제조 방법.
청구항 11.
제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합물 속으로는, Bi, La 및 희토류 중에서 선택되고 통상적으로
산화물의 형태인 Ａ에 대한 치환용 3가 생성물 B와, Ni, Co, Mg, Cd, Cu, Zn 중에서 선택된 Fe3 이온에 대한 치환용
2가 생성물 C를, x가 0.05 ∼ 0.45 범위인 화학식 Ａ1-x ＢxＣxFe12-x Ｏ19 의 페라이트를 형성하는 데에 선택된 함
량을 이용하여 원자가의 균형을 맞추는 그런 방식으로 첨가되는 것인 Ｍ형 헥사페라이트 분말의 제조 방법.
청구항 12.
3 이하의 겉보기 밀도와, 0.25 ∼ 1㎛의 범위의 평균 입자 크기를 가지며, 제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 따른
방법에 의해 얻어지며, 상기 분산 처리는 상기 단계 c)의 분쇄 처리의 대체를 억제하는, 헥사페라이트 케이크.
청구항 13.
제12항의 케이크의 분산 처리에 의해 얻어진 헥사페라이트 미세 분말.
청구항 14.
제13항에 따른 분말로부터 얻어진 자석.
청구항 15.
제13항에 따른 분말로부터 얻어진 자기 기록 매체.
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