로터 고정용 수지 조성물, 로터, 및 자동차(RESIN COMPOSITION FOR ROTOR FIXING, ROTOR, AND AUTOMOTIVE VEHICLE)

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 공개특허공보(A)
(11) 공개번호 10-2014-0135958
(43) 공개일자 2014년11월27일
(51) 국제특허분류(Int. Cl.)
C08L 63/00 (2006.01) C08G 59/62 (2006.01)
C08K 3/00 (2006.01) C09J 163/00 (2006.01)
H02K 1/18 (2006.01)
(21) 출원번호 10-2014-7024056
(22) 출원일자(국제) 2013년02월28일
심사청구일자 없음
(85) 번역문제출일자 2014년08월27일
(86) 국제출원번호 PCT/JP2013/055487
(87) 국제공개번호 WO 2013/129598
국제공개일자 2013년09월06일
(30) 우선권주장
JP-P-2012-045885 2012년03월01일 일본(JP)
(71) 출원인
스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
일본 도쿄도 시나가와꾸 히가시시나가와 2쵸메 5
방 8고
(72) 발명자
기타다 데츠야
일본 도쿄도 시나가와꾸 히가시시나가와 2쵸메 5
방 8고 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 나
이
무토 고지
일본 도쿄도 시나가와꾸 히가시시나가와 2쵸메 5
방 8고 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 나
이
(74) 대리인
특허법인코리아나
전체 청구항 수 : 총 10 항
(54) 발명의 명칭 로터 고정용 수지 조성물, 로터, 및 자동차
(57) 요 약
본 발명의 로터 고정용 수지 조성물은, 에폭시 수지를 함유하는 열경화성 수지와, 경화제와, 무기 충전제를 함유
하고, 신장률 a 가 0.1 ％ 이상 1.7 ％ 이하이고, 상기 신장률 a 가 JIS K 7162 에 준하여, 시험편을 온도 120
℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간의 조건으로 인장 시험하는 것에 의해 얻어지고, 상기 시험편이, 상기 로터 고
정용 수지 조성물을 175 ℃ 에서 4 시간 가열 경화하고, 또한 JIS K 7162 에 준하여 덤벨 형상으로 성형하는 것
에 의해 제조된 경화물이다.
대 표 도 - 도1
공개특허 10-2014-0135958
- 1 -
특허청구의 범위
청구항 1
에폭시 수지를 함유하는 열경화성 수지와,
경화제와,
무기 충전제를 함유하는 로터 고정용 수지 조성물로서,
신장률 a 가 0.1 ％ 이상 1.7 ％ 이하이고,
상기 신장률 a 가 JIS K 7162 에 준하여, 시험편을 온도 120 ℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간의 조건으로 인장
시험하는 것에 의해 얻어지고,
상기 시험편이, 상기 로터 고정용 수지 조성물을 175 ℃ 에서 4 시간 가열 경화시키고, 또한 JIS K 7162 에 준
하여 덤벨 형상으로 성형하는 것에 의해 제조된 경화물이고,
상기 로터 고정용 수지 조성물이 로터에 있어서의 고정 부재의 형성에 사용되고,
상기 로터가,
회전 샤프트에 고정 형성되고, 상기 회전 샤프트의 주연부를 따라 복수의 구멍부가 형성되어 있는 로터 코어와,
상기 구멍부에 삽입된 자석과,
상기 구멍부와 상기 자석의 이간부에 형성된 고정 부재를 구비하는, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 2
제 1 항에 있어서,
신장률 b 가 0.1 ％ 이상 0.5 ％ 이하이고,
상기 신장률 b 가 시험편을 온도 25 ℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간의 조건으로 인장 시험하는 것에 의해 얻
어지는, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
120 ℃ 에 있어서의 상기 경화물의 탄성률이 0.8 × 10
4
㎫ 이상인, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에폭시 수지가 비페닐형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크
레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 비스나프톨형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시
수지, 디하이드로안트라센디올형 에폭시 수지, 및 트리페닐메탄형 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는
적어도 1 종을 함유하는, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경화제가 노볼락형 페놀 수지, 페놀아르알킬 수지, 나프톨형 페놀 수지, 및 하이드록시벤즈알데히드와 포
름알데히드와 페놀을 반응시켜 이루어지는 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는,
로터 고정용 수지 조성물.
청구항 6
공개특허 10-2014-0135958
- 2 -
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에폭시 수지가 결정성 에폭시 수지인, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
분말상, 과립상, 또는 태블릿상인, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
구멍부와 자석의 상기 이간부의 폭은 20 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인, 로터 고정용 수지 조성물.
청구항 9
회전 샤프트에 고정 형성되고, 상기 회전 샤프트의 주연부를 따라 복수의 구멍부가 형성되어 있는 로터 코어와,
상기 구멍부에 삽입된 자석과,
상기 구멍부와 상기 자석의 이간부에 형성된 고정 부재를 구비하는 로터로서,
상기 고정 부재가 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 로터 고정용 수지 조성물을 사용하여
형성되는, 로터.
청구항 10
제 9 항에 기재된 로터를 이용하여 제조된, 자동차.
명 세 서
기 술 분 야
본 발명은, 로터 고정용 수지 조성물, 로터, 및 자동차에 관한 것이다. [0001]
본원은 2012년 3월 1일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2012-045885호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용[0002]
을 여기에 원용한다.
배 경 기 술
자동차 등에 탑재되는 모터에 관하여, 그 강도 등을 향상시키기 위한 여러 가지 기술이 검토되고 있다. 특[0003]
허문헌 1 에 기재된 기술은, 모터의 봉지 (封止) 에 사용하는 모터 봉지용 수지 성형 재료에 관한 것이다.
즉, 특허문헌 1 에 기재된 성형 재료는, 모터를 봉지하는 하우징에 사용되는 것으로 생각된다.
특허문헌 2 ∼ 6 에는, 모터를 구성하는 로터에 관한 기술이 기재되어 있다. 로터는 구멍부를 갖는 로터 코[0004]
어와, 구멍부에 삽입된 영구 자석을 갖는다.
예를 들어 특허문헌 2 에 기재된 기술은, 영구 자석을 수용하기 위한 수용공에 연통하여 형성된 슬릿에 수지를[0005]
충전하는 것이다. 또한, 당해 슬릿은, 스테이터 (stator) 에 전달되는 자속량을 증가시키기 위해, 영구 자
석을 수용하기 위한 수용공의 둘레 방향에 있어서의 양단 부분에 형성되는 것이라고 기재되어 있다.
또, 특허문헌 3 ∼ 5 에는, 자석을 로터 코어에 접착하는 기술이 기재되어 있다. [0006]
특허문헌 3 에 기재된 기술은, 영구 자석에 직접 코팅된 접착제에 의해, 영구 자석과 로터 코어의 접착을 실시[0007]
하는 것이다. 특허문헌 4 에 기재된 기술은, 접착제를 넣은 로터 코어의 슬롯 내에 영구 자석을 삽입한 후,
상하를 역전시킨 상태에서 접착제의 열경화를 실시하는 것이다. 특허문헌 5 에 기재된 기술은, 마그넷 및
접착제를 삽입하는 슬롯의 내벽 또는 마그넷의 표면에 형성된 요조부 또는 철조부에, 경화된 접착제를 걸어맞춤
시키는 것이다.
또한, 특허문헌 6 에는, 자석을 삽입하기 위한 구멍부에 주입된 수지부에 의해 자석을 로터 코어에 고정시키는[0008]
기술이 기재되어 있다. 특허문헌 6 에 기재된 기술은, 구멍부에 매립 형성된 자석과 구멍부 사이에 형성되
공개특허 10-2014-0135958
- 3 -
는 충전부를, 구멍부의 개구에 있어서의 자석의 폭 방향의 중앙부에 면하는 부분으로부터 구멍부에 주입하여 형
성하는 것이다.
또한, 수지에 관한 기술로는, 예를 들어 특허문헌 7 에 기재된 것이 있다. 특허문헌 7 에 기재된 기술은,[0009]
과립상의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 그 입도 분포를 제어하는 것이다.
선행기술문헌
특허문헌
(특허문헌 0001) 일본 공개특허공보 2009-13213호 [0010]
(특허문헌 0002) 일본 공개특허공보 2002-359942호
(특허문헌 0003) 일본 공개특허공보 2003-199303호
(특허문헌 0004) 일본 공개특허공보 2005-304247호
(특허문헌 0005) 일본 공개특허공보 평11-98735호
(특허문헌 0006) 일본 공개특허공보 2007-236020호
(특허문헌 0007) 일본 공개특허공보 2010-159400호
발명의 내용
해결하려는 과제
로터 코어는, 고온하, 장시간에 걸쳐 고속 회전시켜 사용되는 것이다. 현재, 자동차 구동용 모터를 더욱 소[0011]
형화하는 것이 요구되고 있으며, 소형화를 달성하기 위해서는, 보다 고속 회전 가능한 모터로 하는 것이 필요해
진다. 이 때문에, 로터 코어에 대해서도, 고속 회전시에 있어서의 내구성의 향상이 강하게 요구되고 있다.

모터가 고속 회전하고 있을 때, 로터 코어 내부에 매립된 영구 자석에는 큰 원심력이 작용한다. 원심력이[0012]
작용했다고 해도, 자석의 위치 어긋남이나 자석의 변형이 일어나지 않는 구조로 하는 것이 요구된다. 이와
같은 구조의 실현에는, 자석을 로터 코어에 고정시키는 고정 부재를 최적으로 설계하는 것이 중요한 기술적 과
제가 되어 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 반복 사용에 견딜 수 있도록 내구성을 향상시킨 로터 코어를 얻기 위한 로터 고정용[0013]
수지 조성물, 및 당해 로터 고정용 수지 조성물을 사용하여 형성한 로터를 제공하는 것에 있다.
과제의 해결 수단
본 발명자들은, 원심력이 작용했다고 해도, 자석의 위치 어긋남이나 변형을 억제하기 위해, 고정 부재의 탄성률[0014]
이나 강도 등을 향상시키는 것을 고려하여, 무기 충전제를 함유하는 고정용 수지 조성물을 고정 부재에 사용하
는 것을 검토하였다.
그러나, 상기 구조를 이용하여 단순히 고정 부재의 탄성률이나 강도 등을 높이는 것만으로는, 자석의 위치 어긋[0015]
남이나 변형을 충분히 억제할 수 없었다.
본 발명자들은, 이러한 구조를 실현하기 위한 설계 지침에 대하여 더욱 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명[0016]
자들이 고안한 특정 온도에 있어서의 고정 부재의 신장률이라는 척도가 이와 같은 설계 지침으로서 유효한 것을
알아내어 본 발명에 도달하였다.
본 발명은,[0017]
에폭시 수지를 함유하는 열경화성 수지와,[0018]
경화제와,[0019]
무기 충전제를 함유하는 로터 고정용 수지 조성물로서, [0020]
공개특허 10-2014-0135958
- 4 -
신장률 a 가 0.1 ％ 이상 1.7 ％ 이하이고, [0021]
상기 신장률 a 가 JIS K 7162 에 준하여, 시험편을 온도 120 ℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간의 조건으로 인장[0022]
시험하는 것에 의해 얻어지고,
상기 시험편이, 상기 로터 고정용 수지 조성물을 175 ℃ 에서 4 시간 가열 경화시키고, 또한 JIS K 7162 에 준[0023]
하여 덤벨 형상으로 성형하는 것에 의해 제조된 경화물이고,
상기 로터 고정용 수지 조성물이 로터에 있어서의 고정 부재의 형성에 사용되고, [0024]
상기 로터가,[0025]
회전 샤프트에 고정 형성되고, 상기 회전 샤프트의 주연부를 따라 복수의 구멍부가 형성되어 있는 로터 코어와,[0026]
상기 구멍부에 삽입된 자석과,[0027]
상기 구멍부와 상기 자석의 이간부에 형성된 고정 부재를 구비하는 로터 고정용 수지 조성물을 제공한다. [0028]
또한, 본 발명은,[0029]
회전 샤프트에 고정 형성되고, 상기 회전 샤프트의 주연부를 따라 복수의 구멍부가 형성되어 있는 로터 코어와,[0030]
상기 구멍부에 삽입된 자석과,[0031]
상기 구멍부와 상기 자석의 이간부에 형성된 고정 부재를 구비하는 로터로서, [0032]
상기 고정 부재가 상기 로터 고정용 수지 조성물을 사용하여 형성되는 로터를 제공한다. [0033]
또한, 본 발명은, 상기 로터를 이용하여 제조되는 자동차를 제공한다. [0034]
발명의 효과
본 발명에 의하면, 로터 코어의 내구성을 측정하는 척도로서 특정 온도 (고온) 에 있어서의 신장률을 이용하고[0035]
있다. 이 신장률 a 가 온도 120 ℃ 에 있어서, 0.1 ％ 이상 1.7 ％ 이하의 범위에 있는 고정 부재를 사용함
으로써, 고온하, 장시간에 걸쳐 고속 회전시키는 환경하에 있어서, 충분한 내구성을 나타내는 로터 코어를 실현
할 수 있다.
도면의 간단한 설명
상기 서술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 바람직한 실시형태, 및 그것에 부수되는[0036]
이하의 도면에 의해 더욱 명백해진다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 로터를 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 로터를 나타내는 단면도이다.
도 3 은 도 1 에 나타내는 로터를 나타내는 단면 확대도이다.
도 4 는 도 1 에 나타내는 로터를 구성하는 로터 코어의 제 1 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 5 는 도 1 에 나타내는 로터를 구성하는 로터 코어의 제 2 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 6 은 도 1 에 나타내는 로터를 구성하는 로터 코어의 제 3 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 7 은 도 1 에 나타내는 로터의 일부를 나타내는 평면 확대도이다.
도 8 은 도 1 에 나타내는 로터를 나타내는 단면도이다.
도 9 는 도 1 에 나타내는 로터의 일부를 나타내는 평면 확대도이다.
도 10 은 인서트 성형에 사용하는 인서트 성형 장치의 상형을 나타내는 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 구체적인 내용
이하, 본 발명의 일 실시형태에 대하여 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성[0037]
요소에는 동일한 부호를 부여하고, 적절히 설명을 생략한다.
공개특허 10-2014-0135958
- 5 -
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 로터 (100) 를 나타내는 평면도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타내는 로터[0038]
(100) 를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1 및 도 2 는 로터 (100) 를 나타내는 모식도이고, 본 실시형태에
관련된 로터 (100) 의 구성은 도 1 및 도 2 에 나타내는 것에 한정되지 않는다.
로터 (100) 는 로터 코어 (110) 와 자석 (120) 과 고정 부재 (130) 를 구비한다. 로터 코어 (110) 에는 구[0039]
멍부 (150) 가 형성되어 있다. 자석 (120) 은 구멍부 (150) 내에 삽입되어 있다. 고정 부재 (130) 는
구멍부 (150) 와 자석 (120) 의 이간부 (140) 에 형성되어 있다.
고정 부재 (130) 는 고정용 수지 조성물을 사용하여 형성된다. 본 실시형태에 관련된 로터 고정용 수지 조[0040]
성물은, 열경화성 수지 (A) 와 경화제 (B) 와 무기 충전제 (C) 를 함유하고 있다.
본 실시형태에서는, 로터 고정용 수지 조성물을 온도 175 ℃ 에서 4 시간 가열 경화시키고, 또한 JIS K 7162 에[0041]
준하여 덤벨 형상으로 제조된 경화물을 시험편으로서 사용한 결과를 예로 설명한다. 또한, JIS K 7162 에
기재된 덤벨 형상과 동일한 형상이 ISO527-2 에 기재되어 있다.
이하, 온도 120 ℃ 에서, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간이라는 조건으로 인장 시험을 실시했을 때에 얻어지는 시[0042]
험편의 신장률을 신장률 a 라고 한다. 또, 온도 25 ℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간이라는 조건으로 인장
시험을 실시했을 때에 얻어지는 시험편의 신장률을 신장률 b 라고 한다.
신장률이란, 로터 고정용 수지 조성물을 사용하여 성형한 덤벨상의 경화물에 있어서의 인장 시험 전의 전체 길[0043]
이를 X0 ㎜, 인장 시험 후의 전체 길이를 X1 ㎜ 로 했을 때, 이하의 식으로 구해지는 값이다.
신장률 = {(X1 ㎜ - X0 ㎜)/X0 ㎜} × 100[0044]
이 신장률이 작을수록 얻어지는 로터 코어는 부하를 가한 상태에서도, 변형되기 어려워 위치 안정성이 우수한[0045]
것이 된다.
본 실시형태에 관련된 로터 고정용 수지 조성물의 경화물의 120 ℃ 에 있어서의 신장률 a 는, 0.1 ％ 이상 1.7[0046]
％ 이하이다. 이러한 범위의 신장률 a 를 갖는 로터 고정용 수지 조성물을 사용함으로써, 위치 안정성이라
는 관점에서 내구성이 우수한 로터 코어를 제조할 수 있다. 또, 120 ℃ 의 신장률 a 는, 1.3 ％ 이하인 것
이 바람직하고, 1.2 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 1.0 ％ 이하이면 더욱 바람직하다. 120 ℃ 의 신장률
a 가 이 범위에 있는 것에 의해, 고온하, 장시간에 걸쳐 고속 회전시키는 환경하에 있어서, 충분한 내구성을 나
타내는 로터 코어를 실현할 수 있다. 또한, 하한값에 대해서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 0.1 ％ 정
도이면 충분하다.
또한, 25 ℃ 의 신장률 b 는, 0.1 ％ 이상 0.5 ％ 이하인 것이 바람직하다. 120 ℃ 의 신장률 a 와 비교하[0047]
여 정온에서 측정하고 있는 25 ℃ 의 신장률 b 가 상기 범위 내인 경우, 온도 변화에도 강하고, 또한 위치 안정
성을 구비한 내구성이 우수한 로터 코어를 얻을 수 있다. 또, 25 ℃ 의 신장률 b 는, 0.4 ％ 이하인 것이
더욱 바람직하고, 0.35 ％ 이하이면 더욱더 바람직하다. 이 범위에 있는 것에 의해, 고속 회전시에 있어서
의 내구성이 더욱더 향상된다. 25 ℃ 의 신장률 b 에 대해서도, 120 ℃ 의 신장률 a 와 마찬가지로, 하한값
에 대해서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 0.1 ％ 정도이면 충분하다.
120 ℃ 의 신장률 a 및 25 ℃ 의 신장률 b 를 향상시키기 위해서는, 이하의 수법이 유효하다. [0048]
먼저, 에폭시 수지 및 그 경화제의 조합을 최적화함으로써, 수지 성분의 크리프 특성을 향상시키는 것이 필요하[0049]
다. 이것에 더하여, 무기 충전제의 표면을 실란 커플링제에 의해 개질하고, 수지와 무기 충전제의 계면 접
착 강도를 향상시키는 것이 유효하다. 또, 수지 자체의 크리프 특성을 향상시키기 위해, 수지와 무기 충전
제 사이에 있어서의 응력 전달 효율을 향상시키는 것도 유효하다. 나아가서는, 무기 충전제의 입경 분포를
조정함으로써, 수지 경화체 내부에 발생한 마이크로 크랙이 진전되기 어려운 구조로 하는 것도 유효하다.
탄성률을 산출하기 위해서는, 인장 시험 실시시에, 수직 응력 (stress) 과 수직 변형 (strain) 의 관계를 그래[0050]
프화한 곡선 (응력-변형 곡선) 을 작성한다. 탄성률은 이 응력-변형 곡선에 있어서의 인장 개시 직후의 선
형 영역에 있어서의 직선의 기울기로부터 구할 수 있다. 이 탄성률은 로터 코어의 변형 용이성을 나타내는
지표의 하나이다. 얻어지는 로터 코어는, 탄성률이 크면 클수록, 변형되기 어려운 내구성이 우수한 것이 된
다.
본 실시형태에 관련된 로터 코어에 있어서 120 ℃ 의 탄성률 a 는, 0.8 × 10
4
㎫ 이상인 것이 바람직하다.[0051]
공개특허 10-2014-0135958
- 6 -
또, 25 ℃ 의 탄성률 b 는, 1.4 × 10
4
㎫ 이상인 것이 바람직하다. 이들 탄성률이 이 범위에 있으면, 고속
회전시에 있어서의 내구성이 더욱더 향상된다.
또한, 탄성률은, 무기 충전제의 양, 또는 수지 성분의 선택에 따라 적절히 조정할 수 있다. [0052]
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 로터 고정용 수지 조성물의 경화물에 대하여, 특정한 신장률 a 를 갖고 있[0053]
다. 이 때문에, 얻어진 로터 코어는, 위치 안정성의 관점에서 내구성이 우수한 로터 코어를 얻을 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 로터 고정용 수지 조성물의 경화물은, 탄성률에 대해서도 특정한 값을 설정하는
것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 위치 안정성 이외에도, 변형되기 어렵고, 또한 온도 의존성을 갖는 기
계적 강도의 밸런스가 잡힌 로터 코어를 얻을 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 로터 코어는, 왁스를 사용하지 않고 로터 고정용 수지 조성물을 제조해도 된다.[0054]
통상적으로, 반도체 봉지재에는 금형의 오염이 발생하는 것을 방지하기 위해, 왁스를 첨가하는 것이 필수로 되
어 있다. 한편, 본 실시형태에 관련된 로터 고정용 수지 조성물에서는, 왁스를 굳이 사용하지 않는 조성으
로 하고 있다.
로터 고정용 수지 조성물의 조성을 연구하여, 특정한 구성으로 함으로써 금형을 오염시키지 않고 트랜스퍼 성형[0055]
할 수 있는 것을 알아내었다. 또, 왁스를 첨가하지 않음으로써, 신장률이 종래의 기술 수준과 비교하여 저
하되지 않는 것도 알아내었다. 이것은, 이유는 반드시 분명하지 않지만, 무기 충전제와 수지의 계면 강도가
향상된 것에 의한 것으로 생각된다.
본 실시형태의 로터 고정용 수지 조성물을 얻기 위해서는, 예를 들어, 이하의 3 개의 조건을 각각 적절히 조정[0056]
하는 것이 중요하다.
(1) 무기 충전제의 성상[0057]
(2) 무기 충전제의 실란 커플링 처리 조건[0058]
(3) 열경화성 수지, 그 경화제 및 첨가제의 조합 [0059]
구체적으로는 실시예에서 후술한다. [0060]
단, 본 실시형태의 로터 고정용 수지 조성물의 제법은, 상기와 같은 방법에는 한정되지 않고, 여러 가지 조건을[0061]
적절히 조정함으로써, 본 실시형태의 로터 고정용 수지 조성물을 얻을 수 있다. 예를 들어, 실리카 입자를
사용하지 않고도, 커플링제의 처리 조건을 조정함으로써, 본 실시형태의 로터 고정용 수지 조성물을 얻을 수 있
다.
본 실시형태에 관련된 로터 고정용 수지 조성물은, 이하에 설명하는 양태로 사용할 수 있다. [0062]
본 실시형태에 관련된 로터 (100) 는, 예를 들어 자동차 등에 탑재되는 모터를 구성한다. 모터는 로터[0063]
(100) 및 로터 (100) 의 주위에 형성된 스테이터 (도시 생략) 를 포함한다. 스테이터는 스테이터 코어와,
스테이터 코어에 권회된 코일에 의해 구성된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 로터 (100) 는 회전 샤프트 (170) 에 장착되어 있다. 로터 (100) 에 의해 발[0064]
생한 회전은, 회전 샤프트 (170) 를 통하여 외부에 전달되게 된다.
로터 코어 (110) 에는 회전 샤프트 (170) 를 삽입하기 위한 관통공이 형성되어 있다. 로터 코어 (110) 는[0065]
관통공에 삽입된 회전 샤프트 (170) 에 고정 형성된다. 로터 코어 (110) 의 형상은, 특별히 한정되지 않지
만, 예를 들어 평면에서 보았을 때 원형 또는 다각형 등이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 로터 코어 (110) 는 박판상의 자성체인 전자 강판 (112) 을 복수 적층하여 이루어[0066]
진다. 전자 강판 (112) 은, 예를 들어 철 또는 철 합금 등에 의해 구성된다.
또, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 로터 코어 (110) 의 축 방향에 있어서의 양단에는, 엔드 플레이트 (118a) 및[0067]
엔드 플레이트 (118b) 가 형성되어 있다. 즉, 적층된 전자 강판 (112) 위에는 엔드 플레이트 (118a) 가 형
성되어 있다. 또, 적층된 전자 강판 (112) 아래에는 엔드 플레이트 (118b) 가 형성되어 있다. 엔드 플
레이트 (118a) 및 엔드 플레이트 (118b) 는, 예를 들어 용접 등에 의해 회전 샤프트 (170) 에 고정된다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 를 나타내는 단면 확대도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 복수의[0068]
전자 강판 (112) 에는 코킹부 (160) 가 형성되어 있다. 코킹부 (160) 는, 예를 들어 전자 강판 (112) 에 형
공개특허 10-2014-0135958
- 7 -
성된 돌기부에 의해 구성된다. 각 전자 강판 (112) 은 서로 코킹부 (160) 에 의해 결합되어 있다.
또, 엔드 플레이트 (118a) 에는, 예를 들어 전자 강판 (112) 으로부터 돌출된 코킹부 (160) 나, 전자 강판[0069]
(112) 위로 돌출된 고정 부재 (130) 와의 간섭을 피하기 위한 홈부 (116) 가 형성되어 있다. 또한, 전자 강
판 (112) 위로 돌출된 고정 부재 (130) 란, 고정용 수지 조성물을 이간부 (140) 에 주입할 때 전자 강판 (112)
상에 잔존한 고정용 수지 조성물이 경화됨으로써 형성되는 부분이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 로터 코어 (110) 에는 복수의 구멍부 (150) 가 형성되어 있다. 복수의 구멍부[0070]
(150) 는, 회전 샤프트 (170) 의 축심을 중심으로 하여 점대칭이 되도록 로터 코어 (110) 에 배치되어 있다.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 로터 (100) 에서는, 예를 들어 인접하는 2 개의 구멍부 (150) 로[0071]
이루어지는 복수의 구멍부군이 회전 샤프트 (170) 의 주연부를 따라 배치되어 있다. 복수의 구멍부군은, 예
를 들어 서로 이간되도록 형성되어 있다. 하나의 구멍부군을 구성하는 2 개의 구멍부 (150) 는, 예를 들어
평면에서 보았을 때 V 자상으로 배치된다. 이 경우, 하나의 구멍부군을 구성하는 2 개의 구멍부 (150) 는,
예를 들어 서로 대향하는 각각의 단부가 회전 샤프트 (170) 측에 위치하도록 형성된다. 또, 하나의 구멍부
군을 구성하는 2 개의 구멍부 (150) 는, 예를 들어 서로 이간되도록 형성되어 있다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 를 구성하는 로터 코어 (110) 의 제 1 변형예를 나타내는 평면도이다.[0072]
도 4 에 나타내는 바와 같이, 3 개의 구멍부 (150) 로 이루어지는 복수의 구멍부군이 회전 샤프트 (170) 의
주연부를 따라 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 3 개의 구멍부 (150) 는, 예를 들어 평면에서 보았을 때 V
자상으로 배치된 구멍부 (154a) 및 구멍부 (154b) 와, 이들 사이에 위치하는 구멍부 (156) 에 의해 구성된다.
구멍부 (154a), 구멍부 (154b), 및 구멍부 (156) 는, 서로 이간되어 있다.
도 5 는, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 를 구성하는 로터 코어 (110) 의 제 2 변형예를 나타내는 평면도이다.[0073]
도 5 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보았을 때 V 자상의 형상을 갖는 복수의 구멍부 (150) 가 회전 샤프
트 (170) 의 주연부를 따라 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 구멍부 (150) 는, 예를 들어 구멍부 (150) 의
중심부가 회전 샤프트 (170) 측에 위치하고, 또한 구멍부 (150) 의 양 단부가 로터 코어 (110) 의 외주연측에
위치하도록 형성된다.
도 6 은, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 를 구성하는 로터 코어 (110) 의 제 3 변형예를 나타내는 평면도이다.[0074]
도 6 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보았을 때 로터 코어 (110) 의 직경 방향에 대해 수직인 장방형의 형
상을 갖는 복수의 구멍부 (150) 가 회전 샤프트 (170) 의 주연부를 따라 배치되어 있어도 된다.
또한, 구멍부 (150) 의 배치 레이아웃은 상기 서술한 것에 한정되지 않는다. [0075]
도 7 은, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 의 일부를 나타내는 평면 확대도이다. [0076]
도 7 에 나타내는 바와 같이, 구멍부 (150) 는, 예를 들어 평면에서 보았을 때 사각형이다. 구멍부 (150)[0077]
는, 로터 코어 (110) 의 외주연측에 위치하는 측벽 (151) 과, 로터 코어 (110) 의 내주연측에 위치하는 측벽
(153) 과, 로터 코어 (110) 의 둘레 방향에 있어서 서로 대향하는 측벽 (155) 및 측벽 (157) 을 갖는다. 측
벽 (151) 과 측벽 (153) 은, 로터 코어 (110) 의 직경 방향에 있어서 서로 대향하고 있다. 본 실시형태에
있어서, 하나의 구멍부군을 구성하고, 또한 서로 인접하는 2 개의 구멍부 (150) 는, 각각의 측벽 (155) 이 서로
대향하도록 배치된다.
또한, 구멍부 (150) 의 형상은, 자석 (120) 의 형상에 대응하고 있으면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 타원[0078]
형 등이어도 된다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 자석 (120) 은, 예를 들어 평면에서 보았을 때 사각형이다. 자석 (120) 은,[0079]
측벽 (151) 과 대향하는 측벽 (121), 측벽 (153) 과 대향하는 측벽 (123), 측벽 (155) 과 대향하는 측벽
(125), 및 측벽 (157) 과 대향하는 측벽 (127) 을 갖는다. 즉, 측벽 (121) 은 로터 코어 (110) 의 외주연
측에 위치한다. 또, 측벽 (123) 은 로터 코어의 내주연측에 위치한다. 자석 (120) 은, 예를 들어 네오
디뮴 자석 등의 영구 자석이다. 또한, 자석 (120) 의 형상은, 상기 서술한 것에 한정되지 않고, 예를 들어
타원형 등이어도 된다.
고정 부재 (130) 는, 구멍부 (150) 와 자석 (120) 의 간극 (이하, 이간부 (140) 라고도 호칭한다) 에 충전된 고[0080]
정용 수지 조성물을 경화시킴으로써 형성된다. 이로써, 자석 (120) 이 로터 코어 (110) 에 고정되게 된다.
또한, 본 실시형태에 관련된 로터 (100) 에 있어서, 이간부 (140) 의 폭은, 예를 들어 20 ㎛ 이상 500 ㎛ 이
공개특허 10-2014-0135958
- 8 -
하이다.
고정 부재 (130) 는, 적어도 로터 코어 (110) 의 직경 방향에 있어서의 구멍부 (150) 와 자석 (120) 의 이간부[0081]
(140) 에 형성되어 있다. 즉, 고정 부재 (130) 는, 적어도 측벽 (121) 과 측벽 (151) 사이 또는 측벽
(123) 과 측벽 (153) 사이 중 어느 일방에 형성되게 된다.
또, 고정 부재 (130) 는, 예를 들어 평면에서 보았을 때 사각형인 자석 (120) 의 적어도 3 변을 덮도록 형성되[0082]
어 있다. 즉, 측벽 (121), 측벽 (123), 측벽 (125), 및 측벽 (127) 중 적어도 3 개가 고정 부재 (130) 에
의해 덮이게 된다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 이간부 (140) 는, 예를 들어 측벽 (121) 과 측벽 (151) 사이, 측벽 (123) 과 측벽[0083]
(153) 사이, 측벽 (125) 과 측벽 (155) 사이, 및 측벽 (127) 과 측벽 (157) 사이에 형성된다. 이 경우, 자
석 (120) 중, 측벽 (121), 측벽 (123), 측벽 (125), 및 측벽 (127) 이 고정 부재 (130) 에 의해 덮이게 된다.

본 실시형태에서는, 측벽 (121) 과 측벽 (151) 의 간극, 및 측벽 (123) 과 측벽 (153) 의 간극에 고정 부재[0084]
(130) 가 형성된다. 이 때문에, 로터 코어 (110) 의 직경 방향에 있어서, 자석 (120) 의 위치가 고정되게
된다. 이로써, 모터의 고속 회전시에 작용하는 원심력에 의해 자석 (120) 의 위치가 어긋나는 것을 억제할
수 있다.
또, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 고정 부재 (130) 는, 예를 들어 자석 (120) 의 상면을 덮도록 형성되어 있다.[0085]
이로써, 로터 코어 (110) 의 축 방향에 있어서, 자석 (120) 의 위치가 고정된다. 따라서, 모터의 구동시
등에 자석 (120) 의 위치가 로터 코어 (110) 의 축 방향으로 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
도 8 은, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 를 나타내는 단면도이고, 도 2 와는 상이한 예를 나타낸다. [0086]
도 8 에 나타내는 바와 같이, 자석 (120) 은, 예를 들어 측벽 (121) 이 측벽 (151) 에 맞닿도록 고정되어도 된[0087]
다. 이 경우, 이간부 (140) 는, 측벽 (123) 과 측벽 (153) 사이, 측벽 (125) 과 측벽 (155) 사이, 및 측벽
(127) 과 측벽 (157) 사이에 형성되게 된다. 따라서, 자석 (120) 중, 측벽 (123), 측벽 (125) 및 측벽
(127) 이 고정 부재 (130) 에 의해 덮이게 된다. 이 경우에 있어서도, 로터 코어 (110) 의 직경 방향에 있
어서, 자석 (120) 의 위치를 고정시킬 수 있다.
또, 자석 (120) 은, 예를 들어 측벽 (123) 이 측벽 (153) 에 맞닿도록 고정되어도 된다. 이 경우, 이간부[0088]
(140) 는, 측벽 (121) 과 측벽 (151) 사이, 측벽 (125) 과 측벽 (155) 사이, 및 측벽 (127) 과 측벽 (157) 사
이에 형성되게 된다. 따라서, 자석 (120) 중, 측벽 (121), 측벽 (125) 및 측벽 (127) 이 고정 부재 (130)
에 의해 덮이게 된다. 이 경우에 있어서도, 로터 코어 (110) 의 직경 방향에 있어서, 자석 (120) 의 위치를
고정시킬 수 있다.
도 9 는, 도 1 에 나타내는 로터 (100) 의 일부를 나타내는 평면 확대도이고, 도 7 과는 상이한 예를 나타내고[0089]
있다. 도 9 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 로터 (100) 에 있어서, 구멍부 (150) 의 양 단부
에는, 슬릿 (152) 이 형성되어 있어도 된다. 슬릿 (152) 은, 로터 코어 (110) 의 둘레 방향에 있어서의, 구
멍부 (150) 의 양 단부에 위치하고 있다. 또, 슬릿 (152) 은 구멍부 (150) 와 연통하여 형성되어 있다.

구멍부 (150) 의 양단에 슬릿 (152) 을 형성함으로써, 자석 (120) 으로부터 발생되는 자속의 자로를 좁게 할 수[0090]
있다. 즉, 자석 (120) 의 양 단부로부터 로터 코어 (110) 의 둘레 방향으로 발생하는 자속이 로터 코어
(110) 내에 있어서 단락되는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 로터 코어 (110) 내에 있어서의 단락을 감소시
켜, 스테이터에 전달되는 자속량을 증대시킬 수 있게 된다.
도 9 에 나타내는 바와 같이, 슬릿 (152) 내에는, 슬릿 충전용 수지 부재 (132) 가 형성되어 있다. 슬릿 충[0091]
전용 수지 부재 (132) 는, 예를 들어 이간부 (140) 및 슬릿 (152) 내에 충전된 고정용 수지 조성물을 경화시킴
으로써 형성된다. 즉, 슬릿 충전용 수지 부재 (132) 는, 예를 들어 고정 부재 (130) 와 동일 공정에 의해
형성된다. 이 때문에, 슬릿 충전용 수지 부재 (132) 는 고정 부재 (130) 와 일체로 형성된다.
슬릿 (152) 을 형성하는 경우, 측벽 (155) 및 측벽 (157) 과, 슬릿 (152) 의경계부에는 각부 (角部) 가 형성된[0092]
다. 이 경우, 모터를 구동시킬 때 자석 (120) 에 가해지는 응력은, 당해 각부와 맞닿는 부분에 집중된다.

공개특허 10-2014-0135958
- 9 -
본 변형예에 의하면, 슬릿 (152) 내에 슬릿 충전용 수지 부재 (132) 를 형성함으로써, 모터를 구동시킬 때 자석[0093]
(120) 에 가해지는 응력의 집중을 완화시킬 수 있다. 이 때문에, 모터 구동시에 자석 (120) 에 대해 큰 응
력이 작용하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 자석 (120) 의 파손 등이 발생하는 것을 방지할 수 있게
된다.
(로터 고정용 수지 조성물) [0094]
다음으로, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다. [0095]
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물은, 예를 들어 분말상, 과립상, 또는 태블릿상 등이다. 이[0096]
때문에, 후술하는 바와 같이, 예를 들어 용융시킨 고정용 수지 조성물을 이간부 (140) 내에 주입함으로써, 이간
부 (140) 내에 고정용 수지 조성물이 충전된다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물은, 열경화성 수지 (A) 와 경화제 (B) 와 무기 충전제 (C) 를 함유한[0097]
다. 이하, 각 성분에 대하여 설명한다.
[열경화성 수지 (A)][0098]
열경화성 수지 (A) 는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 에폭시 수지 (A1), 페놀 수지, 옥세탄 수지,[0099]
(메트)아크릴레이트 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 또는 말레이미드 수지 등이 사용
된다. 그 중에서도, 경화성, 보존성, 경화물의 내열성, 내습성, 및 내약품성이 우수한 에폭시 수지 (A1) 이
바람직하게 사용된다.
본 실시형태에 관련된 열경화성 수지 (A) 는, 바람직하게는 에폭시 수지 (A1) 을 함유한다. 에폭시 수지[0100]
(A1) 로는, 특히 분자량이나 구조는 한정되는 것은 아니다.
에폭시 수지 (A1) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭[0101]
시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 ; 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 등의 비스페놀형
에폭시 수지 ; N,N-디글리시딜아닐린, N,N-디글리시딜톨루이딘, 디아미노디페닐메탄형 글리시딜 아민, 아미노페
놀형 글리시딜아민과 같은 방향족 글리시딜아민형 에폭시 수지 ; 하이드로퀴논형 에폭시 수지 ; 비페닐형 에폭
시 수지 ; 스틸벤형 에폭시 수지 ; 트리페놀메탄형 에폭시 수지 ; 트리페놀프로판형 에폭시 수지 ; 알킬 변성
트리페놀메탄형 에폭시 수지 ; 트리아진 핵 함유 에폭시 수지 ; 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 ;
나프톨형 에폭시 수지 ; 나프탈렌형 에폭시 수지 ; 나프틸렌에테르형 에폭시 수지 ; 페닐렌 및/또는 비페닐렌
골격을 갖는 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 페닐렌 및/또는 비페닐렌 골격을 갖는 나프톨아르알킬형 에폭시 수지
등의 아르알킬형 에폭시 수지 등, 또는 비닐시클로헥센디옥사이드, 디시클로펜타디엔옥사이드, 알리사이클릭디
에폭시-아디페이드 등의 지환식 에폭시 등의 지방족 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도
되고 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
열경화성 수지 (A) 가 에폭시 수지 (A1) 을 함유하는 경우, 이 에폭시 수지 (A1) 이 방향족 고리에 글리시딜에[0102]
테르 구조 혹은 글리시딜아민 구조가 결합된 구조를 포함하는 것이 내열성, 기계 특성, 및 내습성의 관점에서
바람직하다. 특히 바람직하게는 하기 일반식 (Ⅱ) 의 구조를 포함하는 에폭시 수지 (c 는 1 ∼ 20 의 정수
이고, d 는 0 ∼ 20 의 정수이다) 등을 들 수 있다.
[화학식 1][0103]
[0104]
또, 페놀 수지로는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 등의 노볼락형[0105]
페놀 수지, 레조르형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 열경화성 수지 (A) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 고정용 수지 조성물의 합계값[0106]
100 질량％ 에 대해, 바람직하게는 5 질량％ 이상 40 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10 질량％ 이상 20
질량％ 이하이다.
열경화성 수지 (A) 로서 에폭시 수지 (A1) 을 함유하는 바람직한 양태에 있어서, 그 에폭시 수지의 함유량은,[0107]
공개특허 10-2014-0135958
- 10 -
특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 (A) 100 질량％ 에 대해, 바람직하게는 70 질량％ 이상 100 질량％ 이
하이고, 보다 바람직하게는 80 질량％ 이상 100 질량％ 이하이다.
[경화제 (B)][0108]
경화제 (B) 는 열경화성 수지 (A) 에 바람직한 양태로서 함유되는 에폭시 수지 (A1) 을 삼차원 가교시키기 위해[0109]
사용되는 것이다. 경화제 (B) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 페놀 수지를 사용할 수 있다.
이와 같은 페놀 수지계 경화제는, 1 분자 내에 페놀성 수산기를 2 개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반
이며, 그 분자량, 분자 구조를 특별히 한정하는 것은 아니다.
페놀 수지계 경화제로는, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지 등의 노볼락형[0110]
수지 ; 트리페놀메탄형 페놀 수지 등의 다관능형 페놀 수지 ; 테르펜 변성 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 변성
페놀 수지 등의 변성 페놀 수지 ; 페닐렌 골격 및/또는 비페닐렌 골격을 갖는 페놀아르알킬 수지, 페닐렌 및/또
는 비페닐렌 골격을 갖는 나프톨아르알킬 수지 등의 아르알킬형 수지 ; 하이드록시벤즈알데히드와 포름알데히드
와 페놀을 반응시켜 이루어지는 페놀 수지 ; 비스페놀 A, 비스페놀 F 등의 비스페놀 화합물, 나프텐산코발트 등
의 나프텐산 금속염 등을 들 수 있다. 이들은 1 종류를 단독으로 사용해도 되고 2 종류 이상을 병용해도 된
다. 이와 같은 페놀 수지계 경화제를 사용함으로써, 내연성, 내습성, 전기 특성, 경화성, 및 보존 안정성
등의 밸런스가 양호해진다. 특히, 경화성의 면에서, 페놀 수지계 경화제의 수산기 당량은, 예를 들어 90
g/eq 이상 250 g/eq 이하로 할 수 있다.
또한, 병용할 수 있는 경화제로는, 예를 들어 중부가형의 경화제, 촉매형의 경화제, 축합형의 경화제 등을 들[0111]
수 있다.
중부가형의 경화제로는, 예를 들어 디에틸렌트리아민 (DETA), 트리에틸렌테트라민 (TETA), 메타자일렌디아민[0112]
(MXDA) 등의 지방족 폴리아민, 디아미노디페닐메탄 (DDM), m-페닐렌디아민 (MPDA), 디아미노디페닐술폰 (DDS)
등의 방향족 폴리아민 외에, 디시안디아미드 (DICY), 유기산 디히드라지드 등을 함유하는 폴리아민 화합물 ; 헥
사하이드로 무수 프탈산 (HHPA), 메틸테트라하이드로 무수 프탈산 (MTHPA) 등의 지환족 산무수물, 무수 트리멜
리트산 (TMA), 무수 피로멜리트산 (PMDA), 벤조페논테트라카르복실산 (BTDA) 등의 방향족 산무수물 등을 함유하
는 산무수물 ; 노볼락형 페놀 수지, 페놀 폴리머 등의 폴리페놀 화합물 ; 폴리설파이드, 티오에스테르, 티오에
테르 등의 폴리메르캅탄 화합물 ; 이소시아네이트 프레 폴리머, 블록화 이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화
합물 ; 카르복실산 함유 폴리에스테르 수지 등의 유기산류 등을 들 수 있다.
촉매형의 경화제로는, 예를 들어 벤질디메틸아민 (BDMA), 2,4,6-트리스디메틸아미노메틸페놀 (DMP-30) 등의 3[0113]
급 아민 화합물 ; 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 (EMI24) 등의 이미다졸 화합물 ; BF3 착물 등의 루이
스산 등을 들 수 있다.
축합형의 경화제로는, 예를 들어 레졸 수지, 메틸올기 함유 우레아 수지와 같은 우레아 수지 ; 메틸올기 함유[0114]
멜라민 수지와 같은 멜라민 수지 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 경화제가 노볼락형 페놀 수지, 페놀아르알킬 수지, 나프톨형 페놀 수지, 및 하이드록시벤[0115]
즈알데히드와 포름알데히드와 페놀을 반응시켜 이루어지는 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1
종을 함유하는 것이 바람직하다.
이와 같은 다른 경화제를 병용하는 경우에 있어서, 페놀 수지계 경화제의 함유량은, 전체 경화제 (B) 에 대해,[0116]
20 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 30 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 50 질량％ 이상인 것이 특히 바람
직하다. 배합 비율이 상기 범위 내이면, 내연성을 유지하면서, 양호한 유동성을 발현시킬 수 있다. 또,
페놀 수지계 경화제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 전체 경화제 (B) 에 대해, 100 질량％ 이하인 것이
바람직하다.
고정용 수지 조성물에 대한 경화제 (B) 의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 고정용 수지 조성물의 합[0117]
계값 100 질량％ 에 대해, 0.8 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1.5 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
배합 비율을 상기 범위 내로 함으로써, 양호한 경화성을 얻을 수 있다. 또, 고정용 수지 조성물에 대한 경
화제 (B) 의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 전체 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에
대해, 12 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 경화제 (B) 로서의 페놀 수지와 열경화성 수지 (A) 로서의 에폭시 수지 (A1) 은, 전체 열경화성 수지 (A)[0118]
중의 에폭시기 수 (EP) 와 전체 페놀 수지의 페놀성 수산기 수 (OH) 의 당량비 (EP)/(OH) 가 0.8 이상 1.3
공개특허 10-2014-0135958
- 11 -
이하, 바람직하게는 1.0 이상 1.2 이하, 더욱 바람직하게는 1.1 이상 1.2 이하가 되도록 배합되는 것이 바람직
하다. 당량비가 상기 범위 내이면, 얻어지는 고정용 수지 조성물을 성형할 때, 충분한 경화 특성을 얻을 수
있다. 단, 에폭시 수지와 반응할 수 있는 페놀 수지 이외의 수지를 병용하는 경우에는 적절히 당량비를 조
정하면 된다.
[무기 충전제 (C)][0119]
무기 충전제 (C) 로는, 고정용 수지 조성물의 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 무기 충전제를 사용할 수 있[0120]
다.
무기 충전제 (C) 로는, 예를 들어 용융 파쇄 실리카 및 용융 구상 실리카 등의 용융 실리카, 결정 실리카, 알루[0121]
미나, 카올린, 탤크, 클레이, 마이카, 로크 울, 월라스트나이트, 유리 파우더, 유리 플레이크, 유리 비즈, 유리
화이버, 탄화규소, 질화규소, 질화알루미늄, 카본 블랙, 그라파이트, 이산화티탄, 탄산칼슘, 황산칼슘, 탄산바
륨, 탄산마그네슘, 황산마그네슘, 황산바륨, 셀룰로오스, 아라미드, 목재, 페놀 수지 성형 재료나 에폭시 수지
성형 재료의 경화물을 분쇄한 분쇄 분말 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 용융 파쇄 실리카, 용융 구상 실리
카, 결정 실리카 등의 실리카가 바람직하고, 용융 구상 실리카가 보다 바람직하다. 또, 이 중에서도, 탄산
칼슘이 비용의 면에서 바람직하다. 무기 충전제 (C) 로는, 1 종으로 사용해도 되고, 또는 2 종 이상을 병용
해도 된다.
무기 충전제 (C) 의 평균 입경 D50 은, 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.05 ㎛[0122]
이상 50 ㎛ 이하이다. 무기 충전제 (C) 의 평균 입경을 상기 범위 내로 함으로써, 구멍부 (150) 와 자석
(120) 의 이간부 (140) 에 대한 충전성이 향상된다. 평균 입경 D50 은, 레이저 회절형 측정 장치 RODOS SR
형 (SYMPATEC HEROS ＆ RODOS 사) 에서의 체적 환산 평균 입경으로 하였다.
또, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 있어서, 무기 충전제 (C) 는, 평균 입경 D50 이 상이한 2 종 이[0123]
상의 구상 실리카를 함유할 수 있다. 이로써, 유동성 및 충전성의 향상과 버 억제 (burr suppression) 의
양립이 가능해진다.
무기 충전제 (C) 의 함유량은, 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 바람직하게는 50 질량％ 이상[0124]
이고, 보다 바람직하게는 60 질량％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 65 질량％ 이상이며, 특히 바람직하게는 75
질량％ 이상이다. 상기 범위 내이면, 얻어지는 고정용 수지 조성물의 경화에 수반하는 흡습량의 증가나, 강
도의 저하를 저감시킬 수 있다. 또, 무기 충전제 (C) 의 함유량은, 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량
％ 에 대해, 바람직하게는 93 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 91 질량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 90
질량％ 이하이다. 상기 범위 내이면, 얻어지는 고정용 수지 조성물은 양호한 유동성을 가짐과 함께, 양호한
성형성을 구비한다. 따라서, 로터의 제조 안정성이 높아지고, 수율 및 내구성의 밸런스가 우수한 로터가 얻
어진다.
또, 본 발명자들이 검토한 결과, 무기 충전제 (C) 의 함유량을 50 질량％ 이상으로 함으로써, 고정 부재 (130)[0125]
와 전자 강판 (112) 의 선팽창률의 차를 작게 할 수 있는 것이 판명되었다. 이로써, 온도 변화에 따라 전자
강판 (112) 이 변형되고, 로터 (100) 의 회전 특성이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 내구성 중에
서도, 특히 회전 특성의 지속성이 우수한 로터가 실현된다.
또, 무기 충전제 (C) 로서 용융 파쇄 실리카, 용융 구상 실리카, 결정 실리카 등의 실리카를 사용하는 경우, 실[0126]
리카의 함유량이, 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 40 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 60 질
량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위 내이면, 유동성과 열팽창률의 밸런스가 양호해진다.
또, 무기 충전제 (C) 와, 후술하는 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물이나, 붕산아연, 몰리브[0127]
덴산아연, 삼산화안티몬 등의 무기계 난연제를 병용하는 경우에는, 이들 무기계 난연제와 상기 무기 충전제의
합계량은, 상기 무기 충전제 (C) 의 함유량의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
무기 충전제 (C) 에는, 미리 실란 커플링제 등의 커플링제 (F) (제 1 커플링제라고도 부른다) 에 의한 표면 처[0128]
리가 실시되어 있어도 된다. 이로써, 무기 충전제의 응집을 억제하여, 양호한 유동성을 얻을 수 있다.
따라서, 이간부 (140) 에 대한 고정용 수지 조성물의 충전성을 향상시킬 수 있게 된다.
또, 수지 성분과의 친화성이 높아지기 때문에, 고정용 수지 조성물을 사용하여 형성되는 고정 부재의 강도를 향[0129]
상시킬 수 있다.
공개특허 10-2014-0135958
- 12 -
무기 충전제 (C) 의 표면 처리에 사용되는 제 1 커플링제로는, 예를 들어 γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-[0130]
아미노프로필트리메톡시실란 등의 1 급 아미노실란을 사용할 수 있다. 이와 같은 무기 충전제 (C) 의 표면
처리에 사용하는 제 1 커플링제의 종류를 적절히 선택하거나, 또는 제 1 커플링제의 배합량을 적절히 조정함으
로써, 고정용 수지 조성물의 유동성 및 고정 부재의 강도 등을 제어할 수 있다.
무기 충전제 (C) 에 대한 커플링 처리는, 예를 들어 다음과 같이 실시할 수 있다. 먼저, 믹서를 사용하여[0131]
무기 충전제 (C) 와 실란 커플링제를 혼합 교반한다. 믹서로는, 예를 들어 리본 블렌더 등을 사용할 수 있
다. 이 때, 믹서 내를 습도 50 ％ 이하로 설정해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 분무 환경으로 조정
함으로써, 실리카 입자의 표면에 수분이 재부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 분무 중의 커플링제에 수
분이 혼입되어, 커플링제끼리가 반응하는 것을 억제할 수 있다.
이어서, 얻어진 혼합물을 믹서로부터 꺼내어, 에이징 처리를 실시하여, 커플링 반응을 촉진시킨다. 에이징[0132]
처리는, 예를 들어, 20 ± 5 ℃ 의 조건하에서, 7 일간 이상 방치함으로써 실시된다. 이와 같은 조건에서
실시함으로써, 실리카 입자의 표면에 커플링제를 균일하게 결합시킬 수 있다. 그 후, 체로 쳐 조대 입자를
제거함으로써, 실란 커플링 처리가 실시된 무기 충전제 (C) 가 얻어진다.
이와 같은 표면 처리 실리카 입자를 사용함으로써, 실리카 입자와 수지 성분의 계면 접착 강도를 향상시킬 수[0133]
있다. 나아가서는, 고정 부재 중의 마이크로 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
[그 밖의 성분][0134]
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물은, 경화 촉진제 (D) 를 함유해도 된다. 경화 촉진제 (D) 는, 에[0135]
폭시 수지의 에폭시기와 페놀 수지계 경화제 (B) 의 수산기의 반응을 촉진시키는 것이면 되고, 일반적으로 사용
되는 경화 촉진제 (D) 를 사용할 수 있다.
경화 촉진제 (D) 의 구체예로는, 유기 포스핀, 테트라 치환 포스포늄 화합물, 포스포베타인 화합물, 포스핀 화[0136]
합물과 퀴논 화합물의 부가물, 포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물 등의 인 원자 함유 화합물 ; 1,8-디아
자비시클로(5,4,0)운데센-7, 이미다졸 등의 아미딘계 화합물, 벤질디메틸아민 등의 3 급 아민이나 상기 화합물
의 4 급 오늄염인 아미디늄염, 암모늄염 등으로 대표되는 질소 원자 함유 화합물을 들 수 있다.
이들 중, 경화성의 관점에서는 인 원자 함유 화합물이 바람직하고, 유동성과 경화성의 밸런스의 관점에서는, 테[0137]
트라 치환 포스포늄 화합물, 포스포베타인 화합물, 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물, 포스포늄 화합물과
실란 화합물의 부가물 등의 잠복성을 갖는 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 유동성이라는 점을 고려하면 테
트라 치환 포스포늄 화합물이 특히 바람직하고, 또 내땜납성의 관점에서는, 포스포베타인 화합물, 포스핀 화합
물과 퀴논 화합물의 부가물이 특히 바람직하고, 또 잠복적 경화성이라하는 점을 고려하면, 포스포늄 화합물과
실란 화합물의 부가물이 특히 바람직하다. 또, 연속 성형성의 관점에서는, 테트라 치환 포스포늄 화합물이
바람직하다. 또, 비용면을 고려하면, 유기 포스핀, 질소 원자 함유 화합물도 바람직하게 사용된다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에서 사용할 수 있는 유기 포스핀으로는, 예를 들어 에틸포스핀, 페닐[0138]
포스핀 등의 제 1 포스핀 ; 디메틸포스핀, 디페닐포스핀 등의 제 2 포스핀 ; 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀,
트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀 등의 제 3 포스핀을 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에서 사용할 수 있는 테트라 치환 포스포늄 화합물로는, 예를 들어 하[0139]
기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 2][0140]
[0141]
일반식 (1) 에 있어서, P 는 인 원자를 나타내고, R1, R2, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로 방향족기 또는 알킬[0142]
기를 나타내고, A 는 하이드록실기, 카르복실기, 티올기에서 선택되는 관능기 중 어느 것을 방향 고리에 적어도
1 개 갖는 방향족 유기산의 아니온을 나타내고, AH 는 하이드록실기, 카르복실기, 티올기에서 선택되는 관능기
중 어느 것을 방향 고리에 적어도 1 개 갖는 방향족 유기산을 나타내고, x 및 y 는 1 ∼ 3 의 정수이고, z 는 0
공개특허 10-2014-0135958
- 13 -
∼ 3 의 정수이며, 또한 x = y 이다.
일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 예를 들어 다음과 같이 하여 얻어지지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.[0143]
먼저, 테트라 치환 포스포늄할라이드와 방향족 유기산과 염기를 유기 용제에 섞어 균일하게 혼합하고, 그 용액
계 내에 방향족 유기산 아니온을 발생시킨다. 이어서, 물을 첨가하면, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 침
전시킬 수 있다.
일반식 (1) 로 나타내는 화합물에 있어서, 합성시의 수득률과 경화 촉진 효과의 밸런스가 우수하다는 관점에서[0144]
는, 인 원자에 결합하는 R1, R2, R3 및 R4 가 페닐기이고, 또한 AH 는 하이드록실기를 방향 고리에 갖는
화합물, 즉 페놀 화합물이고, 또한 A 는 그 페놀 화합물의 아니온인 것이 바람직하다. 또한, 페놀 화합물이
란, 단고리의 페놀, 크레졸, 카테콜, 레조르신이나 축합 다고리형의 나프톨, 디하이드록시나프탈렌, 복수의 방
향 고리를 구비하는 (다고리형의) 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 비페놀, 페닐페놀, 페놀노볼락 등을 개
념에 포함하는 것이며, 그 중에서도 수산기를 2 개 갖는 페놀 화합물이 바람직하게 사용된다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에서 사용할 수 있는 포스포베타인 화합물로는, 예를 들어 하기 일반[0145]
식 (2) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 3][0146]
[0147]
일반식 (2) 에 있어서, X1 은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 나타내고, Y1 은 하이드록실기를 나타내고, a 는 0 ∼[0148]
5 의 정수이고, b 는 0 ∼ 4 의 정수이다.
일반식 (2) 로 나타내는 화합물은, 예를 들어 제 3 포스핀인 트리 방향족 치환 포스핀과 디아조늄염을[0149]
접촉시켜, 트리 방향족 치환 포스핀과 디아조늄염이 갖는 디아조늄기를 치환시키는 공정을 거쳐 얻어진다.
그러나 이것에 한정되는 것은 아니다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에서 사용할 수 있는 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물로는, 예[0150]
를 들어 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 4][0151]
[0152]
일반식 (3) 에 있어서, P 는 인 원자를 나타내고, R5, R6 및 R7 은, 서로 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬[0153]
기 또는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기를 나타내고 R8, R9 및 R10 은, 서로 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1
∼ 12 의 탄화수소기를 나타낸다. R8 과 R9 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.
포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물에 사용하는 포스핀 화합물로는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리스(알킬[0154]
페닐)포스핀, 트리스(알콕시페닐)포스핀, 트리나프틸포스핀, 트리스(벤질)포스핀 등의 방향 고리에 무치환 또는
알킬기, 알콕실기 등의 치환기가 존재하는 것이 바람직하다. 알킬기, 알콕실기 등의 치환기로는 1 ∼ 6 의
탄소수를 갖는 것을 들 수 있다. 입수의 용이성의 관점에서는 트리페닐포스핀이 바람직하다.
또 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물에 사용하는 퀴논 화합물로는, o-벤조퀴논, p-벤조퀴논, 안트라퀴논류[0155]
를 들 수 있다. 이들 중에서도 p-벤조퀴논이 보존 안정성의 면에서 바람직하다.
포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물은, 예를 들어 유기 제 3 포스핀과 벤조퀴논류의 양자가 용해될 수 있는[0156]
용매 중에서 접촉, 혼합시킴으로써 얻을 수 있다. 용매로는 아세톤이나 메틸에틸케톤 등의 케톤류로 부가물
공개특허 10-2014-0135958
- 14 -
에 대한 용해성이 낮은 것이 좋다. 그러나 이것에 한정되는 것은 아니다.
일반식 (3) 으로 나타내는 화합물에 있어서, 인 원자에 결합하는 R5, R6 및 R7 이 페닐기이고, 또한 R8, R9 및[0157]
R10 이 수소 원자인 화합물, 즉 1,4-벤조퀴논과 트리페닐포스핀을 부가시킨 화합물이 고정용 수지 조성물의 경
화물의 열시 (熱時) 탄성률을 저하시키는 점에서 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에서 사용할 수 있는 포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물로는,[0158]
예를 들어 하기 일반식 (4) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 5][0159]
[0160]
일반식 (4) 에 있어서, P 는 인 원자를 나타내고, Si 는 규소 원자를 나타낸다. R11, R12, R13 및 R14 는,[0161]
서로 독립적으로, 방향 고리 또는 복소 고리를 갖는 유기기, 혹은 지방족기를 나타내고, X2 는 기 Y2 및 Y3 과
결합하는 유기기이다. X3 은 기 Y4 및 Y5 와 결합하는 유기기이다. Y2 및 Y3 은 프로톤 공여성기가 프
로톤을 방출하여 이루어지는 기를 나타내고, 동일 분자 내의 기 Y2 및 Y3 이 규소 원자와 결합하여 킬레이트 구
조를 형성하는 것이다. Y4 및 Y5 는 프로톤 공여성기가 프로톤을 방출하여 이루어지는 기를 나타내고, 동일
분자 내의 기 Y4 및 Y5 가 규소 원자와 결합하여 킬레이트 구조를 형성하는 것이다. X2, 및 X3 은 서로 동
일해도 되고 상이해도 된다. Y2, Y3, Y4, 및 Y5 는 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. Z1 은 방향 고
리 또는 복소 고리를 갖는 유기기, 혹은 지방족기이다.
일반식 (4) 에 있어서, R11, R12, R13 및 R14 로는, 예를 들어, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 하이드록시[0162]
페닐기, 나프틸기, 하이드록시나프틸기, 벤질 기, 메틸기, 에틸기, n-부틸기, n-옥틸기 및 시클로헥실기 등을
들 수 있다. 이들 중에서도, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 하이드록시페닐기, 하이드록시나프틸기 등
의 치환기를 갖는 방향족 기 혹은 무치환의 방향족 기가 바람직하다.
또, 일반식 (4) 에 있어서, X2 는 Y2 및 Y3 과 결합하는 유기기이다. 마찬가지로, X3 은 기 Y4 및 Y5 와 결[0163]
합하는 유기기이다. Y2 및 Y3 은 프로톤 공여성기가 프로톤을 방출하여 이루어지는 기이고, 동일 분자 내의
기 Y2 및 Y3 이 규소 원자와 결합하여 킬레이트 구조를 형성하는 것이다. 마찬가지로 Y4 및 Y5 는 프로톤
공여성기가 프로톤을 방출하여 이루어지는 기이고, 동일 분자 내의 기 Y4 및 Y5 가 규소 원자와 결합하여 킬레
이트 구조를 형성하는 것이다. 기 X2 및 X3 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 기 Y2, Y3, Y4, 및 Y5
는 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. 이와 같은 일반식 (4) 중의 -Y2-X2-Y3-, 및 -Y4-X3-Y5- 로 나타내
는 기는, 프로톤 공여체가 프로톤을 2 개 방출하여 이루어지는 기로 구성되는 것이다. 이 때문에, 프로톤
공여체로는, 분자 내에 카르복실기 또는 수산기를 적어도 2 개 갖는 유기산이 바람직하고, 방향 고리를 구성하
는 탄소 상에 카르복실기 또는 수산기를 적어도 2 개 갖는 방향족 화합물이 보다 바람직하고, 방향 고리를 구성
하는 인접하는 탄소 상에 수산기를 적어도 2 개 갖는 방향족 화합물이 더욱 바람직하다.
프로톤 공여체로는, 예를 들어, 카테콜, 피로갈롤, 1,2-디하이드록시나프탈렌, 2,3-디하이드록시나프탈렌,[0164]
2,2'-비페놀, 1,1'-비-2-나프톨, 살리실산, 1-하이드록시-2-나프토산, 3-하이드록시-2-나프토산, 클로라닐산,
탄닌산, 2-하이드록시벤질알코올, 1,2-시클로헥산디올, 1,2-프로판디올 및 글리세린 등을 들 수 있다. 이들
중에서도, 원료 입수의 용이성과 경화 촉진 효과의 밸런스라는 관점에서는, 카테콜, 1,2-디하이드록시나프탈렌,
2,3-디하이드록시나프탈렌이 보다 바람직하다.
또, 일반식 (4) 중의 Z1 은, 방향 고리 또는 복소 고리를 갖는 유기기 또는 지방족기를 나타낸다. 이들의[0165]
구체적인 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기 또는 옥틸기 등의 지방족 탄화수소기나, 페닐기,
벤질기, 나프틸기 또는 비페닐기 등의 방향족 탄화수소기, 글리시딜옥시프로필기, 메르캅토프로필기, 아미노프
로필기 또는 비닐기 등의 반응성 치환기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 나프틸
기, 또는 비페닐기가 열안정성의 면에서 보다 바람직하다.
포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물은, 예를 들어 다음과 같이 하여 얻어진다. 먼저, 메탄올을 넣은[0166]
플라스크에, 페닐트리메톡시실란 등의 실란 화합물, 2,3-디하이드록시나프탈렌 등의 프로톤 공여체를 첨가하여
공개특허 10-2014-0135958
- 15 -
용해시킨다. 이어서, 상기 플라스크에 실온 교반하에서 나트륨메톡사이드-메탄올 용액을 적하한다. 이
어서, 미리 준비한 테트라페닐포스포늄브로마이드 등의 테트라 치환 포스포늄할라이드를 메탄올에 용해시킨 용
액을, 상기 플라스크에 실온 교반하에서 적하하면 결정이 석출된다. 석출된 결정을 여과, 수세, 진공 건조
시키면, 포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물이 얻어진다. 그러나, 이것에 한정되는 것은 아니다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 사용할 수 있는 경화 촉진제 (D) 의 함유량은, 전체 고정용 수지[0167]
조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 0.1 질량％ 이상인 것이 바람직하다. 경화 촉진제 (D) 의 함유량이
상기 범위 내이면, 충분한 경화성을 얻을 수 있다. 또, 경화 촉진제 (D) 의 함유량은, 전체 고정용 수지 조
성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 바람직하게는 3 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 1 질량％ 이하이다.
경화 촉진제 (D) 의 함유량이 상기 범위 내이면, 충분한 유동성을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에는, 추가로 방향 고리를 구성하는 2 개 이상의 인접하는 탄소 원자[0168]
에 각각 수산기가 결합된 화합물 (E) (이하, 간단히 「화합물 (E)」이라고 칭하는 경우도 있다) 가 함유되어 있
어도 된다. 화합물 (E) 를 사용함으로써, 경화 촉진제 (D) 로서 잠복성을 갖지 않는 인 원자 함유 경화 촉
진제를 사용한 경우에도, 고정용 수지 조성물의 용융 혼련 중에 있어서의 반응을 억제할 수 있어, 안정적으로
고정용 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또, 화합물 (E) 는, 고정용 수지 조성물의 용융 점도를 내려, 유동성
을 향상시키는 효과도 갖는 것이다. 화합물 (E) 로는, 하기 일반식 (5) 로 나타내는 단고리형 화합물, 또는
하기 일반식 (6) 으로 나타내는 다고리형 화합물 등을 사용할 수 있다. 이들 화합물은 수산기 이외의 치환
기를 갖고 있어도 된다.
[화학식 6][0169]
[0170]
일반식 (5) 에 있어서, R15 및 R19 중 어느 일방은 수산기이고, 타방은 수소 원자, 수산기 또는 수산기 이외의[0171]
치환기이다. 또, R16, R17 및 R18 은, 수소 원자, 수산기 또는 수산기 이외의 치환기이다.
[화학식 7][0172]
[0173]
일반식 (6) 에 있어서, R20 및 R26 중 어느 일방은 수산기이고, 타방은 수소 원자, 수산기 또는 수산기 이외의[0174]
치환기이다. 또, R21, R22, R23, R24 및 R25 는, 수소 원자, 수산기 또는 수산기 이외의 치환기이다.
일반식 (5) 로 나타내는 단고리형 화합물의 구체예로는, 예를 들어 카테콜, 피로갈롤, 갈산, 갈산에스테르 또는[0175]
이들의 유도체를 들 수 있다. 또, 일반식 (6) 으로 나타내는 다고리형 화합물의 구체예로는, 예를 들어
1,2-디하이드록시나프탈렌, 2,3-디하이드록시나프탈렌 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 이들 중, 유동성과
경화성의 제어의 용이성으로부터, 방향 고리를 구성하는 2 개의 인접하는 탄소 원자에 각각 수산기가 결합된 화
합물이 바람직하다. 또, 혼련 공정에서의 휘발을 고려한 경우, 모핵은 저휘발성이고 칭량 안정성이 높은 나
프탈렌 고리인 화합물로 하는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 화합물 (E) 를 구체적으로는, 예를 들어
1,2-디하이드록시나프탈렌, 2,3-디하이드록시나프탈렌 및 그 유도체 등의 나프탈렌 고리를 갖는 화합물로 할 수
있다. 이들 화합물 (E) 는 1 종류를 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (E) 의 함유량은, 전체 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 0.01 질량％ 이상인 것이 바[0176]
람직하고, 0.03 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.05 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 화합물
공개특허 10-2014-0135958
- 16 -
(E) 의 함유량이 상기 범위 내이면, 고정용 수지 조성물의 충분한 저점도화와 유동성 향상 효과를 얻을 수
있다. 또, 화합물 (E) 의 함유량은, 전체 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 2 질량％ 이하
인 것이 바람직하고, 0.8 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.5 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
화합물 (E) 의 함유량이 상기 범위 내이면, 고정용 수지 조성물의 경화성의 저하나 경화물의 물성의 저하를 일
으킬 우려가 적다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 있어서는, 에폭시 수지 (A1) 과 무기 충전제 (C) 의 밀착성을 더욱[0177]
향상시키기 위해, 상기 서술한 제 1 커플링제와는 별도로, 커플링제 (F) (제 2 커플링제라고도 부른다) 를 추가
로 첨가할 수 있다. 제 2 커플링제로는, 에폭시 수지 (A1) 과 무기 충전제 (C) 사이에서 반응하여, 에폭시
수지 (A1) 과 무기 충전제 (C) 의 계면 강도를 향상시키는 것이면 된다.
제 2 커플링제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에폭시실란, 아미노실란, 우레이드실란, 메르캅[0178]
토실란 등을 들 수 있다. 또, 제 2 커플링제는, 전술한 화합물 (E) 와 병용함으로써, 고정용 수지 조성물의
용융 점도를 내려, 유동성을 향상시키는 화합물 (E) 의 효과를 높일 수도 있는 것이다.
에폭시실란으로는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글[0179]
리시독시프로필메틸디메톡시실란, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 또, 아미
노실란으로는, 예를 들어 γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ
-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-페닐γ-아미노프로필트리
에톡시실란, N-페닐γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-6-(아
미노헥실)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-(트리메톡시실릴프로필)-1,3-벤젠디메타난 등을 들 수 있다.
또, 우레이드실란으로는, 예를 들어 γ-우레이드프로필트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔 등을 들 수 있다.
아미노실란의 1 급 아미노 부위를 케톤 또는 알데히드를 반응시켜 보호한 잠재성 아미노실란 커플링제로서 사
용해도 된다. 또, 아미노실란으로는, 2 급 아미노기를 가져도 된다. 또, 메르캅토실란으로는, 예를 들
어 γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란 외에, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)
테트라술파이드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디술파이드와 같은 열분해됨으로써 메르캅토실란 커플링제와 동
일한 기능을 발현하는 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 또, 이들 실란 커플링제는 미리 가수 분해 반응시킨
것을 배합해도 된다. 이들 실란 커플링제는 1 종류를 단독으로 사용해도 되고 2 종류 이상을 병용해도
된다.
연속 성형성이라는 관점에서는 메르캅토실란이 바람직하다. 유동성의 관점에서는 아미노실란이 바람직하다.[0180]
밀착성이라는 관점에서는 에폭시실란이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 사용할 수 있는 실란 커플링제 등의 커플링제 (F) 의 함유량은, 전[0181]
체 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 0.01 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.05 질량％ 이상
인 것이 보다 바람직하며, 0.1 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 실란 커플링제 등의 커플링제 (F) 의
함유량이 상기 범위 내이면, 에폭시 수지 (A1) 과 무기 충전제 (C) 의 계면강도가 저하되지 않고, 양호한 내진
동성을 얻을 수 있다. 또, 실란 커플링제 등의 커플링제 (F) 의 함유량은, 전체 고정용 수지 조성물의 합계
값 100 질량％ 에 대해, 1 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.8 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.6 질량
％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 실란 커플링제 등의 커플링제 (F) 의 함유량이 상기 범위 내이면, 에폭시
수지 (A1) 과 무기 충전제 (C) 의 계면강도가 저하되지 않고, 양호한 내진동성을 얻을 수 있다. 또, 실란
커플링제 등의 커플링제 (F) 의 함유량이 상기 범위 내이면, 고정용 수지 조성물의 경화물의 흡수성이 증대되지
않고, 양호한 방청성을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 있어서는, 난연성을 향상시키기 위해 무기 난연제 (G) 를 첨가할[0182]
수 있다. 무기 난연제 (G) 로는, 연소시에 탈수, 흡열함으로써 연소 반응을 저해하는 금속 수산화물, 또는
복합 금속 수산화물이 연소 시간을 단축할 수 있는 점에서 바람직하다. 금속 수산화물로는,
수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화지르코니아를 들 수 있다. 복합 금속 수
산화물로는, 2 종 이상의 금속 원소를 함유하는 하이드로탈사이트 화합물로서, 적어도 하나의 금속 원소가 마그
네슘이고, 또한, 그 밖의 금속 원소가 칼슘, 알루미늄, 주석, 티탄, 철, 코발트, 니켈, 구리, 또는 아연에서 선
택되는 금속 원소이면 된다. 이와 같은 복합 금속 수산화물로는, 수산화마그네슘·아연 고용체가 시판품으
로 입수가 용이하다. 그 중에서도, 연속 성형성의 관점에서는 수산화알루미늄, 수산화마그네슘·아연 고용
체가 바람직하다. 무기 난연제 (G) 는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 사용해도 된다. 또, 연속
성형성에 대한 영향을 저감시킬 목적에서, 실란 커플링제 등의 규소 화합물이나 왁스 등의 지방족계 화합물 등
공개특허 10-2014-0135958
- 17 -
으로 표면 처리를 실시하여 사용해도 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 무기 난연제 (G) 의 함유량은, 적은 편이 바람직하고, 특히 0.2 질량％ 이하가 바람[0183]
직하다. 통상적으로, 반도체 봉지재 용도는, UL 규격을 만족하기 위해 난연제의 첨가는 필수이지만, 난연제
의 첨가량이 지나치게 많으면, 열경화성 수지의 경화 반응을 저해하여, 고정 부재의 강도가 저하되는 경우가 있
다. 그 때문에, 본 실시형태에서는, 무기 난연제 (G) 는 가능한 한 첨가하지 않는 편이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 있어서는, 이온성 불순물의 농도는, 고정용 수지 조성물에 대해,[0184]
바람직하게는 500 ppm 이하이고, 보다 바람직하게는 300 ppm 이하이며, 더욱 바람직하게는 200 ppm 이하이다.
또, 이온성 불순물의 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 본 발명에 관련된 고정용 수지 조성물에
대해, 0 ppb 이상이고, 보다 바람직하게는 10 ppb 이상이며, 더욱 바람직하게는 100 ppb 이상이다. 이로써,
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 경화물을 고정 부재에 사용했을 때, 고온, 다습하에서 처리해도 높
은 방청성을 유지할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 이온성 불순물로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토금속[0185]
이온, 할로겐 이온 등, 보다 구체적으로는 나트륨 이온, 염소 이온 등을 들 수 있다. 나트륨 이온의
농도는, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 대해, 바람직하게는 100 ppm 이하이고, 보다 바람직하게는
70 ppm 이하이며, 더욱 바람직하게는 50 ppm 이하이다. 또, 염소 이온의 농도는, 본 실시형태에 관련된 고
정용 수지 조성물에 대해, 바람직하게는 100 ppm 이하이고, 보다 바람직하게는 50 ppm 이하이며, 더욱 바람직하
게는 30 ppm 이하이다. 상기의 범위로 함으로써, 전자 강판이나 자석의 부식을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 예를 들어 순도가 높은 에폭시 수지를 사용함으로써, 이온성 불순물을 저감시킬 수 있[0186]
다. 이상에 의해, 내구성이 우수한 로터 가 얻어진다.
이온성 불순물의 농도는, 하기와 같이 하여 구할 수 있다. 먼저, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물[0187]
을 175 ℃, 180 초로 성형 경화 후, 분쇄기로 분쇄하여 경화물의 분말을 얻는다. 얻어진 경화물 분말을 순
수 중에서 120 ℃, 24 시간 처리하고, 순수 중에 이온을 추출한 후, ICP-MS (유도 결합 플라즈마 이온원 질량
분석 장치) 를 사용하여 측정할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에 있어서는, 알루미나의 함유량은, 고정용 수지 조성물의 합계값 100[0188]
질량％ 에 대해, 바람직하게는 10 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 7 질량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는
5 질량％ 이하이다. 알루미나의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 본 실시형태에 관련된 고정
용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에 대해, 바람직하게는 0 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.01 질량
％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 0.1 질량％ 이상이다. 알루미나의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써,
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 유동성을 향상시키는 것, 및 경량화를 도모할 수 있다. 또한,
본 실시형태에 있어서, 0 질량％ 는 검출 한계의 값을 허용한다.
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물에서는, 전술한 성분 이외에, 하이드로탈사이트류 또는 마그네슘, 알[0189]
루미늄, 비스매스, 티탄, 지르코늄에서 선택되는 원소의 함수산화물 등의 이온 포착제 ; 카본 블랙, 철단, 산화
티탄 등의 착색제 ; 카르나우바 왁스 등의 천연 왁스 ; 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스 ; 스테아르산이나 스테
아르산아연 등의 고급 지방산 및 그 금속염류 혹은 파라핀 등의 이형제 ; 폴리부타디엔 화합물, 아크릴로니트릴
부타디엔 공중합 화합물, 실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 실리콘 화합물 등의 저응력제, 티아졸린, 디아졸, 트
리아졸, 트리아진, 피리미딘 등의 밀착 부여제를 적절히 배합해도 된다.
본 실시형태에 관련된 착색제의 함유량은, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에[0190]
대해, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 1 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 0.8 질량％ 이
하이다. 착색제의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써, 착색된 불순물을 제거하는 공정이 불필요해져 작업성
이 향상된다. 따라서, 수율이 우수한 로터가 실현된다.
본 실시형태에 관련된 이형제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물[0191]
의 합계값 100 질량％ 에 대해, 예를 들어 바람직하게는 0.01 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.05 질량％
이상이다. 또, 이형제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 바람직하게는 1 질량％ 이하이고,
보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.2 질량％ 이하이며, 특히 바람직하게는 0.1 질량
％ 이하이다. 통상적으로, 반도체 칩을 트랜스퍼 형성할 때에는, 고정 부재가 금형으로부터 이간되는 이형
성을 확보하기 위해, 이형제를 일정량 첨가하는 것이 알려져 있다.
본 실시형태에 관련된 저응력제의 함유량은, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％ 에[0192]
공개특허 10-2014-0135958
- 18 -
대해, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 2 질량％ 이하
이다. 저응력제의 함유량이 상기 범위 내이면, 고속 회전시에 있어서의 내구성이 더욱더 향상된다.
본 실시형태에 관련된 이온 포착제의 함유량은, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％[0193]
에 대해, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 2 질량％ 이
하이다. 이온 포착제의 함유량이 상기 범위 내이면, 고속 회전시에 있어서의 내구성이 더욱더 향상된다.

본 실시형태에 관련된 밀착 부여제의 함유량은, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 합계값 100 질량％[0194]
에 대해, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 2 질량％ 이
하이다. 밀착 부여제의 함유량이 상기 범위 내이면, 고속 회전시에 있어서의 내구성이 더욱더 향상된다.

(로터 고정용 수지 조성물의 제조 방법) [0195]
본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 제조 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 다음과 같이 실[0196]
시된다. 먼저, 열경화성 수지 (A), 페놀 수지계 경화제 (B) 및 무기 충전제 (C), 그리고 바람직하게는 그
밖의 첨가제 등을 소정량 배합한다. 이어서, 배합한 것을 예를 들어 믹서, 제트 밀, 볼 밀 등을 사용하여
상온에서 균일하게 분쇄, 혼합한다. 이어서, 가열 롤, 니더 또는 압출기 등의 혼련기를 사용하여 90 ∼ 120
℃ 정도까지 고정용 수지 조성물을 가온하면서 용융하여 혼련을 실시한다. 이어서, 혼련 후의 고정용 수지
조성물을 냉각, 분쇄하여, 과립 또는 분말상의 고형의 고정용 수지 조성물을 얻는다. 이들 제조 공정에 있
어서의 조건을 적절히 조정함으로써, 원하는 분산도나 유동성 등을 갖는 고정용 수지 조성물을 얻을 수 있다.

본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물의 분말 또는 과립의 입도는, 예를 들어 5 ㎜ 이하가 바람직하다.[0197]
5 ㎜ 이하로 함으로써, 타정시에 충전 불량을 일으키고, 태블릿의 질량의 편차가 커지는 것을 억제할 수 있다.

또한, 얻어진 고정용 수지 조성물의 분말 또는 과립을 타정 성형함으로써 태블릿을 얻을 수 있다. 타정 성[0198]
형에 사용하는 장치로는, 단발식, 또는 다련 로터리식의 타정기를 사용할 수 있다. 태블릿의 형상은, 특별
히 한정되지 않지만, 원주상인 것이 바람직하다. 타정기의 수형, 암형 및 환경의 온도에 특별히 제한은 없
지만, 35 ℃ 이하가 바람직하다. 35 ℃ 를 초과하면 고정용 수지 조성물이 반응에 의해 점도 상승하여, 유
동성이 저해될 우려가 있다. 타정 압력은 400 × 10
4
이상 3000 × 10
4
이하 ㎩ 의 범위가 바람직하다.
타정 압력을 상기 상한값 이하로 함으로써, 태블릿 타정 직후에 파괴가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 한
편, 타정 압력을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 충분한 응집력이 얻어지지 않기 때문에 수송 중에 태블릿의
파괴가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 타정기의 수형, 암형의 금형의 재질, 표면 처리에 특별히 한정은 없
고, 공지된 재질의 것을 사용할 수 있다. 표면 처리의 예로는, 예를 들어 방전 가공, 이형제의 코팅, 도금
처리, 연마 등을 들 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 고정 부재의 유리 전이 온도 (Tg) 가 130 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 140 ℃ 이상인[0199]
것이 보다 바람직하다. 상기 하한값 이상이면, 신뢰성 향상을 기대할 수 있다. 상기 유리 전이 온도
(Tg) 의 상한값으로는, 특별히 한정되지 않지만 200 ℃ 이하가 바람직하고, 190 ℃ 이하가 보다 바람직하다.
이로써, 내구성이 우수한 로터가 실현된다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 경화제의 연화점을 올림으로써, 상기 유리 전이 온도[0200]
(Tg) 를 증가시킬 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정 부재의 150 ℃ 에 있어서의 굽힘 강도가, 70 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 100 ㎫ 이[0201]
상인 것이 보다 바람직하다. 상기 하한값 이상이면, 크랙 등이 발생하기 어려워 신뢰성 향상을 기대할 수
있다. 상기 굽힘 강도의 상한값으로는, 특별히 한정되지 않지만 300 ㎫ 이하가 바람직하고, 250 ㎫ 이하가
보다 바람직하다. 이로써, 내구성이 우수한 로터가 실현된다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 예를 들어, 무기 충전제의 표면에 커플링제를 처리함으로써, 상기 굽힘 강도를 증[0202]
가시킬 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정 부재의 150 ℃ 에 있어서의 굽힘 탄성률의 상한값이 1.6 × 10
4
㎫ 이하인 것이 바[0203]
공개특허 10-2014-0135958
- 19 -
람직하고, 1.3 × 10
4
㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 상한값 이하이면, 응력 완화에 의한 신뢰성
향상을 기대할 수 있다. 상기 굽힘 탄성률의 하한값으로는, 특별히 한정되지 않지만 5000 ㎫ 이상이 바람직
하고, 7000 ㎫ 이상이 보다 바람직하다. 이로써, 내구성이 우수한 로터가 실현된다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 예를 들어, 저응력제의 첨가량을 늘리고, 충전재의 배합량을 줄이는 등에 의해,[0204]
상기 굽힘 탄성률을 저감시킬 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정 부재의, 25 ℃ 이상의 유리 전이 온도 (Tg) 이하의 영역에 있어서의 선팽창 계수[0205]
(α1) 가 10 ppm/℃ 이상, 25 ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 15 ppm/℃ 이상, 20 ppm/℃ 이하인 것이 보다
바람직하다. 상기 범위 내이면, 전자 강판과의 열팽창차가 작고 또한 마그넷의 누락을 방지할 수 있다.
이로써, 내구성이 우수한 로터가 실현된다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 예를 들어, 무기 충전제의 배합량을 늘림으로써, 상기 선팽창 계수 (α1) 를 저감[0206]
시킬 수 있다.
본 실시형태에 관련된 고정 부재의, 유리 전이 온도 (Tg) 를 초과하는 영역에 있어서의 선팽창 계수 (α2) 가[0207]
10 ppm/℃ 이상, 100 ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 20 ppm/℃ 이상, 80 ppm/℃ 이하인 것이 보다
바람직하다. 상기 범위 내이면, 전자 강판과의 열팽창차가 작고 또한 마그넷의 누락을 방지할 수 있다.
이로써, 내구성이 우수한 로터가 실현된다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 예를 들어, 무기 충전제의 배합량을 늘림으로써, 상기 선팽창 계수 (α2) 를 저감[0208]
시킬 수 있다.
(로터의 제조 방법) [0209]
본 실시형태에 관련된 로터 (100) 의 제조 방법은, 예를 들어 다음과 같이 실시된다. 먼저, 회전 샤프트[0210]
(170) 가 관통하는 관통공의 주연부를 따라 배치되어 있는 복수의 구멍부 (150) 가 형성된 로터 코어 (110) 를
준비한다. 이어서, 구멍부 (150) 에 자석 (120) 을 삽입한다. 이어서, 구멍부 (150) 와 자석 (120) 의
이간부 (140) 에 고정용 수지 조성물을 충전한다. 이어서, 고정용 수지 조성물을 경화시켜 고정 부재 (130)
를 얻는다. 이어서, 로터 코어 (110) 가 갖는 관통공에 회전 샤프트 (170) 를 삽입함과 함께, 로터 코어에
회전 샤프트 (170) 를 고정 형성한다. 이로써, 본 실시형태에 관련된 로터 (100) 가 얻어진다.
본 실시형태에서는, 이간부 (140) 에 고정용 수지 조성물을 충전하는 수법으로서, 인서트 성형을 사용하는 것이[0211]
바람직하다. 이하, 상세히 서술한다.
먼저, 인서트 성형 장치에 대하여 설명한다. 도 10 은, 인서트 성형에 사용하는 인서트 성형 장치의 상형[0212]
(200) 을 나타내는 단면도이다.
고정 부재 (130) 의 형성 방법의 일례로는, 태블릿상의 고정용 수지 조성물을 사용하여 인서트 성형을 실시하는[0213]
방법을 사용할 수 있다. 이 인서트 성형에는 인서트 성형 장치를 사용한다. 이 성형 장치는, 태블릿상
의 고정용 수지 조성물이 공급되는 포트 (210) 및 용융 상태의 고정용 수지 조성물을 이동시키는 유로 (220) 를
갖는 상형 (200) 과, 하형 (도시 생략) 과, 이들 상형 (200) 및 하형을 가열하는 가열 수단과, 용융 상태의 고
정용 수지 조성물을 압출하는 압출 기구를 구비한다. 인서트 성형 장치는, 예를 들어, 로터 코어 등을 반송
하는 반송 기능을 구비하여도 된다.
상형 (200) 및 하형은, 인서트 성형시에 있어서, 로터 코어 (110) 의 상면 및 하면에 각각 밀착시키는 것이 바[0214]
람직하다. 이 때문에, 상형 (200) 및 하형은, 예를 들어 판상이다. 본 실시형태 상형 (200) 및 하형은,
인서트 성형시에 있어서 로터 코어 (110) 의 전체를 덮지 않는 점에서, 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 통
상적인 트랜스퍼 형성의 금형과는 상이하다. 즉, 본 실시형태에 관련된 상형 (200) 및 하형은, 인서트 성형
시에 있어서, 로터 코어 (110) 의 측면을 덮지 않는다. 한편, 트랜스퍼 성형용의 금형은, 상형 및 하형으로
구성되는 캐비티 내에 반도체 칩 전체가 배치되도록 구성된다.
또, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 포트 (210) 는, 2 개의 각각의 유로 (220) 를 가져도 된다. 이 경우, 하[0215]
나의 포트 (210) 에 접속하는 2 개의 유로 (220) 는, Y 자상으로 배치된다. 이로써, 하나의 포트 (210) 로
부터, 2 개의 구멍부 (150) 에, 본 실시형태에 관련된 고정용 수지 조성물을 충전할 수 있다. 또한, 하나의
포트 (210) 는, 하나의 구멍부 (150) 에 고정용 수지 조성물을 충전하는 하나의 유로만을 가져도 되고, 3 개 이
상의 구멍부 (150) 에 고정용 수지 조성물을 충전하는 3 개 이상의 유로를 가져도 된다. 하나의 포트 (210)
공개특허 10-2014-0135958
- 20 -
가 복수의 유로 (220) 를 갖는 경우, 복수의 유로 (220) 는 서로 독립적이어도 되고, 서로 연속되어 있어도 된
다.
계속해서, 본 실시형태에 관련된 인서트 성형에 대하여 설명한다. [0216]
먼저, 로터 코어 (110) 를 오븐 또는 열반 상 등에서 예열 후, 도시하지 않는 성형 장치의 하형에 고정시킨다.[0217]
계속해서, 로터 코어 (110) 의 구멍부 (150) 중에 자석 (120) 을 삽입한다. 계속해서, 하형을 상승시켜,
로터 코어 (110) 의 상면에 상형 (200) 을 밀어붙인다. 이로써, 상형 (200) 과 하형으로, 로터 코어 (110)
의 상면 및 하면을 끼워 넣는다. 이 때, 상형 (200) 중의 유로 (220) 의 선단부가, 구멍부 (150) 와 자석
(120) 의 이간부 (140) 상에 배치된다. 또, 로터 코어 (110) 는, 성형 장치의 하형과 상형 (200) 으로부터
의 열전도에 의해 가열되게 된다. 성형 장치의 하형 및 상형 (200) 은, 로터 코어 (110) 가 고정용 수지 조
성물의 성형, 경화에 적합한 온도가 되도록, 예를 들어 150 ℃ ∼ 200 ℃ 정도로 온조 (溫調) 되어 있다.
이 상태에서 태블릿상의 고정용 수지 조성물을 상형 (200) 의 포트 (210) 내에 공급한다. 상형 (200) 의 포
트 (210) 내에 공급된 태블릿상의 고정용 수지 조성물은, 포트 (210) 내에서 가열되어 용융 상태가 된다.
계속해서, 플랜저 (압출 기구) 에 의해, 용융 상태의 고정용 수지 조성물을 포트 (210) 로부터 압출한다.[0218]
이로써, 고정용 수지 조성물은, 유로 (220) 를 이동하여 구멍부 (150) 와 자석 (120) 의 이간부 (140) 에 충전
된다. 고정용 수지 조성물이 이간부 (140) 에 충전될 동안, 로터 코어 (110) 는 금형 (하형과 상형 (200))
으로부터의 열전도에 의해 가열된다. 로터 코어 (110) 가 가열됨으로써, 이간부 (140) 에 충전된 고정용 수
지 조성물이 경화된다. 이로써, 고정 부재 (130) 가 형성되게 된다.
이 때, 고정용 수지 조성물을 경화시킬 때의 온도 조건은, 예를 들어 150 ℃ ∼ 200 ℃ 로 할 수 있다. 또,[0219]
경화 시간은, 예를 들어 30 초 ∼ 180 초로 할 수 있다. 이로써, 구멍부 (150) 의 내부에 삽입된 자석
(120) 이 고정 부재 (130) 에 의해 고정된다. 이 후, 로터 코어 (110) 의 상면으로부터 상형 (200) 을 이간
시킨다. 이어서, 로터 코어 (110) 의 관통공에 회전 샤프트 (170) 를 삽입함과 함께, 로터 코어 (110) 에
회전 샤프트 (170) 를 고정 형성한다.
이상에 의해, 본 실시형태에 관련된 로터 (100) 가 얻어진다. [0220]
본 실시형태에 관련된 인서트 성형 방법은, 탈형할 필요가 없는 점에서, 반도체 장치의 제조에 사용하는 트랜스[0221]
퍼 성형 방법과 상이하다.
인서트 성형 방법에서는, 로터 코어 (110) 의 상면과 상형 (200) 이 밀착된 상태에서, 상형 (200) 의 유로[0222]
(220) 를 지나, 로터 코어 (110) 의 구멍부 (150) 에 고정용 수지 조성물이 충전된다. 이 때문에, 로터 코
어 (110) 의 상면과 상형 (200) 사이에 수지가 충전되지 않아, 상형 (200) 과 상면의 착탈이 용이해진다.
한편, 트랜스퍼 성형 방법에서는, 반도체 칩과 금형 사이의 캐비티에 수지가 충전되기 때문에, 성형품으로부터[0223]
금형을 잘 탈형할 필요가 있다. 이 때문에, 반도체 칩을 봉지하는 수지에는, 금형과 성형품의 이형성이 특
히 요구되게 된다.
본 실시형태의 로터 (100) 는, 하이브리드차, 연료 전지차 및 전기 자동차 등의 전동 차량, 열차 그리고 선박[0224]
등의 탈 것에 탑재할 수 있다.
실시예[0225]
이하, 본 발명을 실시예를 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예의 기재에 전혀 한정되지 않[0226]
는다. 특별히 기재하지 않는 한, 이하에 기재된 「부」는 「질량부」, 「％」는 「질량％」를 나타낸다.

각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 원료 성분을 하기에 나타내었다. [0227]
(열경화성 수지 (A))[0228]
에폭시 수지 1 : 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (DIC (주) 제조, EPICLON N-670) [0229]
에폭시 수지 2 : 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 화약 (주) 제조, EOCN-1020-55) [0230]
에폭시 수지 3 : 제조 방법을 후술한다. [0231]
(경화제 (B))[0232]
공개특허 10-2014-0135958
- 21 -
페놀 수지계 경화제 1 : 노볼락형 페놀 수지 (스미토모 베이크라이트 (주) 제조, PR-HF-3) [0233]
페놀 수지계 경화제 2 : 노볼락형 페놀 수지 (스미토모 베이크라이트 (주) 제조, PR-51470) [0234]
페놀 수지계 경화제 3 : 페놀아르알킬형 페놀 수지 (메이와 화성 (주) 제조, MEH-7851SS)[0235]
(무기 충전제 (C))[0236]
구상 실리카 1 (덴키 화학 공업 (주) 제조, FB-950, 평균 입경 D50 23 ㎛, 최대 입경 Dmax 71 ㎛) [0237]
구상 실리카 2 (덴키 화학 공업 (주) 제조, FB-35, 평균 입경 D50 10 ㎛, 최대 입경 Dmax 71 ㎛)[0238]
(경화 촉진제 (D))[0239]
경화 촉진제 : 트리페닐포스핀 (케이·아이 화성 (주) 제조, PP-360)[0240]
(실란 커플링제 (F))[0241]
실란 커플링제 1 : γ-아미노프로필트리에톡시실란 (신에츠 화학 공업 (주) 제조, KBE-903) [0242]
실란 커플링제 2 : 페닐아미노프로필트리메톡시실란 (토오레·다우코닝 (주) 제조, CF4083) [0243]
실란 커플링제 3 : γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 (칫소 (주) 제조, GPS-M) [0244]
실란 커플링제 4 : γ-메르캅토프로필트리메톡시실란[0245]
(그 밖의 첨가제)[0246]
이형제 : 카르나우바 왁스 (닛코 파인 (주) 제조, 닛코 카르나우바) [0247]
이온 포착제 : 하이드로탈사이트 (쿄와 화학 공업 (주) 제조, 상품명 DHT-4H) [0248]
착색제 : 카본 블랙 (미츠비시 화학 (주) 제조, MA600) [0249]
트리아졸 : 3-아미노-1,2,4-트리아졸-5-티올 [0250]
저응력제 : 실리콘 레진 (신에츠 화학 공업 (주) 제조, KMP-594) [0251]
난연제 : 수산화알루미늄 (스미토모 화학 (주) 제조, CL-303, 평균 입경 D50 3.5 ㎛)[0252]
이하의 에폭시 수지 3 의 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 에폭시 수지 3 의 합성에 사용하는 전구체[0253]
페놀 수지 (P1) 의 합성 방법에 대하여 설명한다.
출발 물질인 페놀 수지 (P0) 로서, 페닐렌 골격을 갖는 페놀아르알킬 수지 (메이와 화성사 제조, MEH-7800SS,[0254]
수산기 당량 175 g/eq, 연화점 67 ℃) 525 질량부, 1-클로로메틸나프탈렌 (토쿄 화성 공업사 제조, 융점 20 ℃,
분자량 176.6, 순도 99.1 ％) 53 질량부, 메틸이소부틸케톤 580 질량부, 테트라에틸암모늄클로라이드 (토쿄 화
성 공업사 제조, 융점 39 ℃, 분자량 176.6, 순도 99.1 ％) 6 질량부를 세퍼러블 플라스크에 칭량하였다.
다음으로 세퍼러블 플라스크에 대해, 교반 장치, 온도계, 환류 냉각기, 질소 도입구를 장착한 후, 실온에서 질
소 버블링하면서 교반을 실시하여, 성분을 용해시켰다.
다음으로, 가온을 개시함으로써 계 내의 온도를 65 ℃ 이상 75 ℃ 이하의 범위로 유지하면서 1 시간에 걸쳐 49[0255]
％ 수산화나트륨 수용액 27 질량부 (0.33) 몰을 서서히 첨가한 후, 다시 승온시켜 95 ℃ 이상 105 ℃ 이하의 범
위로 유지하면서 3 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각시켰다. 다음으로, 제 1 인산소다 10
질량부를 첨가하여 중화한 후, 증류수 300 질량부를 첨가하여 진탕하였다. 진탕 후, 수층을 기각하는 조작
(수세) 을 세정수가 중성이 될 때까지 반복하여 실시하였다. 다음으로, 125 ℃, 2 ㎜Hg 의 감압 조건하, 메
틸이소부틸케톤을 증류 제거함으로써, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 전구체 페놀 수지 (P1) (c 는 1 ∼ 20 의 정수
이고, d 는 0 ∼ 20 의 정수이며, 구조식의 양 말단은 수소 원자이다. d = 0 인 중합체에 있어서는, c 는 2
∼ 20 의 정수이고, 하이드록시페닐렌기인 c 개의 반복 단위 사이에는 반드시 페닐아르알킬기인 (c - 1) 개의
반복 단위를 갖는다. 또, d ≥ 1 인 중합체에 있어서는, (c ＋ d) 는 2 ∼ 20 의 정수이고, 하이드록시페닐
렌기인 c 개의 반복 단위와, 나프틸메톡시페닐렌기인 d 개의 반복 단위는, 각각이 연속으로 나열되어 있어도 되
고, 서로가 교호 혹은 랜덤하게 나열되어 있어도 되지만, 각각의 사이에는 반드시 페닐아르알킬기인 (c ＋ d -
1) 개의 반복 단위를 갖는다. 수산기 당량 210.) 을 얻었다.
공개특허 10-2014-0135958
- 22 -
[화학식 8][0256]
[0257]
다음으로, 전구체 페놀 수지 (P1) 을 사용한 에폭시 수지 3 의 합성 방법에 대하여 설명한다. [0258]
세퍼러블 플라스크에 교반 장치, 온도계, 환류 냉각기, 질소 도입구를 장착한 후, 전구체 페놀 수지 (P1) 을[0259]
500 질량부, 에피클로르하이드린 1320 질량부, 디메틸술폭사이드 260 질량부를 첨가하였다. 45 ℃ 로 가열
하여 용해시킨 후, 수산화나트륨 (고형 세립상, 순도 99 ％) 97 질량부를 2 시간에 걸쳐 첨가하고, 50 ℃ 로 승
온시켜 2 시간, 다시 70 ℃ 로 승온시켜 2 시간 반응시켰다. 반응 후, 증류수 300 질량부를 첨가하여 진탕
한 후, 수층을 기각하는 조작 (수세) 을 세정수가 중성이 될 때까지 반복하여 실시하였다. 다음으로, 유층
(油層) 을 125 ℃, 2 ㎜Hg 의 감압 조건하, 에피클로르하이드린 및 디메틸술폭사이드를 증류 제거하였다.
얻어진 고형물에 대해, 메틸이소부틸케톤 1100 질량부를 첨가하고 용해시켜, 70 ℃ 로 가열하였다. 다음으
로, 30 질량％ 수산화나트륨 수용액 31 질량부를 1 시간에 걸쳐 첨가하고, 1 시간 반응한 후, 정치 (靜置) 함으
로써 수층을 기각하였다. 다음으로, 유층에 증류수 150 질량부를 첨가하여 수세 조작을 실시하고, 세정수가
중성이 될 때까지 동일한 수세 조작을 반복하여 실시하였다. 수세 조작 후, 가열 감압에 의해 메틸이소부틸
케톤을 증류 제거하고, 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 에폭시 수지 3 (c 는 1 ∼ 20 의 정수이고, d 는 0 ∼ 20
의 정수이며, 구조식의 양 말단은 수소 원자이다. d = 0 인 중합체에 있어서는, c 는 2 ∼ 20 의 정수이고,
치환 혹은 무치환의 글리시독시페닐렌기인 c 개의 반복 단위 사이에는 반드시 페닐아르알킬기인 (c - 1) 개의
반복 단위를 갖는다. 또, d ≥ 1 인 중합체에 있어서는, (c ＋ d) 는 2 ∼ 20 의 정수이고, 치환 혹은 무치
환의 글리시독시페닐렌기인 c 개의 반복 단위와, 나프틸메톡시페닐렌기인 d 개의 반복 단위는, 각각이 연속으로
나열되어 있어도 되고, 서로가 교호 혹은 랜덤으로 나열되어 있어도 되지만, 각각의 사이에는 반드시 페닐아르
알킬기인 (c ＋ d - 1) 개의 반복 단위를 갖는다. 에폭시 당량 281, 연화점 56 ℃, 150 ℃ 에 있어서의 ICI
점도 1.0 dPa·s) 을 얻었다.
[화학식 9][0260]
[0261]
실시예 1 ∼ 4 에서는, 미리 실란 커플링 처리를 실시한 무기 충전제 (C) 를 처리 실리카로서 사용하였다.[0262]
무기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리는, 다음과 같이 실시하였다.
먼저, 구상 실리카 1 및 구상 실리카 2 를 105 ℃ 에서 12 시간 각각 건조시켰다. 이어서, 구상 실리카 1[0263]
을 60 중량부와, 구상 실리카 2 를 20 중량부를 믹서에 투입하고, 10 분간 교반하였다. 이어서, 구상 실리
카 1 과 구상 실리카 2 의 혼합물에 실란 커플링제 1 을 0.3 중량부 분무하면서, 당해 혼합물을 20 분간 교반하
였다. 이 때, 실란 커플링제 1 을 분무한 시간은 10 분간 정도였다. 또, 믹서 내의 습도는 50 ％ 이하
였다. 그 후, 60 분간 교반을 계속함으로써, 실리카와 실란 커플링제 1 을 혼합하였다.
이어서, 믹서로부터 꺼내어, 20 ± 5 ℃ 의 조건하에서 7 일간 에이징을 실시하였다. 이어서, 200 mesh 의[0264]
체로 쳐, 조대 입자를 제거하였다. 이로써, 실란 커플링 처리가 실시된 무기 충전제 (C) 가 얻어졌다.
또한, 믹서에는 리본 블렌더를 사용하였다. 또, 리본 블렌더의 회전수는 30 rpm 이었다.
또한, 실란 커플링제 2, 3 및 4 는 수지에 첨가하였다. [0265]
(실시예 및 비교예) [0266]
실시예 및 비교예에 대하여, 표에 나타내는 배합량에 따라 각 성분을 배합한 것을 믹서를 사용하여 상온에서 혼[0267]
합하여, 분말상 중간체를 얻었다. 얻어진 분말상 중간체를 자동 공급 장치 (호퍼) 에 장전하여, 80 ℃ ∼
공개특허 10-2014-0135958
- 23 -
100 ℃ 의 가열 롤에 정량 공급하고, 용융 혼련을 실시하였다. 그 후 냉각시키고, 이어서 분쇄하여, 고정용
수지 조성물을 얻었다. 성형 장치를 사용하여, 얻어진 고정용 수지 조성물을 타정 성형함으로써 태블릿을
얻었다.
얻어진 고정용 수지 조성물에 대하여, 하기에 나타내는 측정 및 평가를 실시하였다. [0268]
실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 3 에서는, 로터 고정용 수지 조성물의 경화물을 얻기 위해, 175 ℃ 에서 4 시간[0269]
가열이라는 경화 조건을 사용하고 있다. 또, 하기 측정에 사용하는 로터 고정용 수지 조성물의 경화물은,
JIS K 7162 에 준한 형상으로 성형하고, 경화시킴으로써 시험편을 얻었다.
또, 실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 3 에 있어서의 각 성분의 배합 비율을 이하의 표 1 에 정리하였다. [0270]
하기 표 1 의 배합 비율로 얻어진 각 경화물에 대하여, 실시한 측정 및 평가에 대하여 이하에 상세히 설명한다.[0271]

(평가 항목) [0272]
신장률 : JIS K 7162 에 준하여 덤벨형으로 성형한 로터 고정용 수지 조성물의 경화물 (이하, 시험편이라고 나[0273]
타낸다) 을 온도 120 ℃ 또는 25 ℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간이라는 조건으로 인장 시험을 실시했을 때 얻
어진 시험편의 신장률을 측정하였다. 또한, 신장률의 단위는 ％ 이다. 또, 신장률은 하중 시간과 부하
에 의해 규정되는 값이다. 구체적으로는, 성형한 덤벨상의 경화물에 있어서의 인장 시험 전의 전체 길이를
X0 ㎜, 인장 시험 후의 전체 길이를 X1 ㎜ 로 했을 때, 이하의 식으로 구해지는 값이다. 또, 신장률의 측정
에는, 크리프 시험기 (A ＆ D 사 제조, CP5-L-200) 와 변형 게이지 (쿄와 전업사 제조, KFG-5-120) 를 사용하였
다.
신장률 [％] = {(X1 ㎜ - X0 ㎜)/X0 ㎜} × 100[0274]
탄성률 : JIS K 7162 에 준하여 덤벨형으로 성형한 로터 고정용 수지 조성물의 경화물 (이하, 시험편이라고 나[0275]
타낸다) 을 온도 120 ℃ 또는 25 ℃, 시험 하중 20 ㎫ 및 100 시간이라는 조건으로 100 시간 인장 시험을 실시
하였다. 단위는 ㎫ 로 하였다.
상기 평가 항목에 관한 평가 결과를 이하의 표 1 ∼ 표 4 에 각 성분의 배합 비율과 함께 나타낸다. 또한,[0276]
○ 는 있는 것을, × 는 없는 것을 나타낸다.
공개특허 10-2014-0135958
- 24 -
표 1
[0277]
공개특허 10-2014-0135958
- 25 -
표 2
[0278]
공개특허 10-2014-0135958
- 26 -
표 3
[0279]
공개특허 10-2014-0135958
- 27 -
표 4
[0280]
신장률 a 는, 로터 코어에 있어서의 영구 자석의 내구성을 나타내는 지표가 된다. 구체적으로는, 신장률 a[0281]
가 작은 로터 고정용 수지 조성물을 재료로서 사용한 경우, 위치 안정성이 양호한 고내구성의 로터 코어를 얻을
수 있다. 표 4 로부터도 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 6 의 경화물은, 모두 비교예의 값과 비교하여
낮은 값의 신장률 a 를 갖고 있었다. 이 결과로부터, 실시예에 기재된 조성을 갖는 로터 고정용 수지 조성
물을 사용하여 로터 코어를 제조한 경우, 변형되기 어려운 양호한 위치 안정성을 갖는 내구성이 우수한 로터 코
어를 얻을 수 있다.
실시예 1 ∼ 6 에 기재된 로터 고정용 수지 조성물은, 탄성률 a 를 향상시키기 위해, 수지 조성물의 배합, 실리[0282]
카의 표면 처리 (처리 전의 건조, pH 의 관리, 에이징 시간), 그 밖의 처리 등의 최적화를 실시하고 있다.
실시예 1 ∼ 6 에서는, 종래에 없는 처방 상의 연구 등을 하여 최적화를 실시하고 있으며, 이하에 상세히 설명
한다.
구체적으로, 실시예 1 에서는, 신규한 에폭시 수지 3 을 포함하는 2 종의 에폭시 수지를 함유시키고 있는 점, 2[0283]
종의 페놀 수지계 경화제를 사용하고 있는 점, 무기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리를 최적화한 점 등의 기술
적인 고안을 실시하고 있다. 실시예 2 에서는, 무기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리를 최적화한 점 등의
기술적인 고안을 실시하고 있다. 실시예 3 에서는, 왁스를 첨가하고 있지 않은 것을 사용하고 있는 점, 무
기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리를 최적화한 점 등의 기술적인 고안을 실시하고 있다. 실시예 4 에서는,
신규한 에폭시 수지 3 을 함유시키고 있는 점, 3 종의 페놀 수지계 경화제를 함유시키고 있는 점, 왁스를 첨가
하고 있지 않은 것을 사용하고 있는 점, 무기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리를 최적화한 점 등의 기술적인 고
안을 실시하고 있다. 실시예 5 에서는, 신규한 에폭시 수지 3 을 포함하는 2 종의 에폭시 수지를 함유시키
고 있는 점, 2 종의 페놀 수지계 경화제를 사용하고 있는 점, 무기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리를 최적화한
점 등의 기술적인 고안을 실시하고 있다. 실시예 6 에서는, 신규한 에폭시 수지 3 을 함유시키고 있는 점,
무기 충전제 (C) 의 실란 커플링 처리를 최적화한 점 등의 기술적인 고안을 실시하고 있다.
부호의 설명
100 : 로터[0284]
110 : 로터 코어
112 : 전자 강판
116 : 홈부
공개특허 10-2014-0135958
- 28 -
118a : 엔드 플레이트
118b : 엔드 플레이트
120 : 자석
121 : 측벽
123 : 측벽
125 : 측벽
127 : 측벽
130 : 고정 부재
132 : 슬릿 충전용 수지 부재
140 : 이간부
150 : 구멍부
151 : 측벽
152 : 슬릿
153 : 측벽
154a ; 구멍부
154b : 구멍부
155 : 측벽
156 : 구멍부
157 : 측벽
160 : 코킹부
170 : 회전 샤프트
200 : 상형
210 : 포트
220 : 유로
도면
도면1
공개특허 10-2014-0135958
- 29 -
도면2
도면3
공개특허 10-2014-0135958
- 30 -
도면4
도면5
도면6
공개특허 10-2014-0135958
- 31 -
도면7
도면8
도면9
공개특허 10-2014-0135958
- 32 -
도면10
공개특허 10-2014-0135958
- 33 -