안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로(Circuit for Linear Flow Control in Anti-lock Brake System)

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 등록특허공보(B1)
(45) 공고일자 2012년02월29일
(11) 등록번호 10-1110032
(24) 등록일자 2012년01월19일
(51) Int. Cl.

G05D 13/00 (2006.01) B60T 8/00 (2006.01)
(21) 출원번호 10-2007-0043545
(22) 출원일자 2007년05월04일
심사청구일자 2010년05월31일
(65) 공개번호 10-2008-0098187
(43) 공개일자 2008년11월07일
(56) 선행기술조사문헌
KR1019990015780 A*
*는 심사관에 의하여 인용된 문헌
(73) 특허권자
주식회사 만도
경기도 평택시 포승면 만호리 343-1
(72) 발명자
김관식
경기도 수원시 권선구 권중로 99, 한성 벽산아파
트 805-1102호 (권선동)
(74) 대리인
특허법인세림
전체 청구항 수 : 총 1 항 심사관 : 문형섭
(54) 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로
(57) 요 약
본 발명은, 배터리 전원이 다이오드를 통해 저항 병렬회로를 통하여 솔레노이드와 저항 및 스위칭 트랜지스터의
직렬회로에 공급되고, 상기 다이오드와 상기 저항 병렬회로의 접속점의 전압이 제어장치(MCU)의 제1아날로그/디
지털 포트에 공급되도록 구성되며, 상기 저항 병렬회로와 상기 솔레노이드의 접속점의 전압이 상기 제어장치
(MCU)의 제2아날로그/디지털 포트에 공급되도록 구성되고, 상기 제어장치(MCU)가 상기 제1 및 제2아날로그/디지
털 포트에 입력되는 전압신호를 이용하여 상기 솔레노이드의 저항을 측정하도록 구성된 안티록 브레이크 시스템
의 선형 플로우 제어용 회로를 제공한다.
대 표 도 - 도2
등록특허 10-1110032
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특허청구의 범위
청구항 1
배터리 전원이 다이오드를 통해 저항 병렬회로를 통하여 솔레노이드와 저항 및 스위칭 트랜지스터의 직렬회로에
공급되고,
상기 다이오드와 상기 저항 병렬회로의 접속점의 전압이 제어장치(MCU)의 제1아날로그/디지털 포트에 공급되도
록 구성되며,
상기 저항 병렬회로와 상기 솔레노이드의 접속점의 전압이 상기 제어장치(MCU)의 제2아날로그/디지털 포트에
공급되도록 구성되고,
상기 제어장치(MCU)가 상기 제1 및 제2아날로그/디지털 포트에 입력되는 전압신호를 이용하여 상기 솔레노이드
의 저항을 측정하도록 구성되고,
상기 제1 및 제2아날로그/디지털 포트의 입력단과 접지 사이에 각각 제너다이오드와 저항이 병렬 접속되어 있는
것을 특징으로 하는 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로.
청구항 2
삭제
명 세 서
발명의 상세한 설명
발명의 목적
발명이 속하는 기술 및 그 분야의 종래기술
본 발명은 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 솔레노이드의[0007]
저항을 실측하여 솔레노이드에 흐르는 전류 및 전류의 라이징/폴링 타임을 제어하는 저가형 안티록 브레이크 시
스템의 선형 플로우 제어용 회로에 관한 것이다.
종래, 차량의 안티록 브레이크 시스템에 사용되는 선형 플로우 제어용 회로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 이그[0008]
니션 1 전원이 레귤레이터에 의하여 정전압화되어 Vcc(5V 정전압)로서 저항(R1)과 다이오드(D1)를 매개로 솔레
노이드(SOL1,SOL2)의 한쪽 단자에 공급되며, 상기 솔레노이드(SOL1,SOL2)의 다른쪽 단자와 접지 사이에 저항
(R4,R5)와 구동 트랜지스터인 전계효과 트랜지스터(FET1,FET2)가 접속되어 상기 전계효과 트랜지스터
(FET1,FET2)의 게이트단자에 인가되는 펄스폭변조(PWM) 제어신호에 따라 상기 솔레노이드(SOL1,SOL2)를 구동하
고, 이때 온도변화에 따른 솔레노이드(SOL1,SOL2)의 저항변화를 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트로
입력하여 감시한다.
여기서, 솔레노이드(SOL1,SOL2)의 저항변화는 상기 저항(R1)과 상기 다이오드(D1)의 접점의 전압이 저항(R2)를[0009]
매개로 VSM_H로서 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트로 입력되고, 또한 상기 다이오드(D1)와 상기 솔레
노이드(SOL1,SOL2)의 접점의 전압이 저항(R3)을 매개로 VSM_L로서 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트로
입력된다. 상기 제어장치(MCU)는 입력되는 이들 전압(VSM_H,VSM_L)에 의하여 상기 전계효과 트랜지스터(FET1,FET
2)의 게이트단자에 인가되는 펄스폭변조(PWM)신호를 변화시켜 출력한다.
그런데, 상기한 종래 회로에서는 레귤레이터에 의한 5V 정전압을 이용하고 이에 따라 레귤레이터 용량이[0010]
150mA~200mA 정도 추가적으로 증가하여야 하므로 레귤레이터의 용량이 과다하게 요구되며, 실제 측정시에 제어
장치(MCU)의 큰 부담 요인으로 작용하게 되는 문제점이 있었다. 또한, 전원관련 단선 시험시에 자동차 규격을
만족하기에 상당한 부담을 가지게 되고 이를 만회하기 위해 레귤레이터의 출력단에 큰 용량의 캐패시터를 요구
하게 되는 문제점이 있었다.
발명이 이루고자 하는 기술적 과제
본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 종래 레귤레이터의 용량 증가를 막[0011]
등록특허 10-1110032
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을 수 있고 추가적인 큰 용량의 캐패시터 등의 부품을 제거할 수 있어 저가로 구성할 수 있는 안티록 브레이크
시스템의 선형 플로우 제어용 회로를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
발명의 구성 및 작용
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로는, 배터리[0012]
전원이 다이오드를 통해 저항 병렬회로를 통하여 솔레노이드와 저항 및 스위칭 트랜지스터의 직렬회로에 공급되
고, 상기 다이오드와 상기 저항 병렬회로의 접속점의 전압이 제어장치(MCU)의 제1아날로그/디지털 포트에 공급
되도록 구성되며, 상기 저항 병렬회로와 상기 솔레노이드의 접속점의 전압이 상기 제어장치(MCU)의 제2아날로그
/디지털 포트에 공급되도록 구성되고, 상기 제어장치(MCU)가 상기 제1 및 제2아날로그/디지털 포트에 입력되는
전압신호를 이용하여 상기 솔레노이드의 저항을 측정하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제1 및 제2아날로그/디지털 포트의 입력단과 접지 사이에 각각 제너다이오드와 저항이 병렬 접속[0013]
되어 있는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용[0014]
회로에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로를 도시한 회로도[0015]
이다.
본 발명에 따른 솔레노이드 온도 감시 회로는도 1의 종래 회로의 점선으로 표시한 블록을 도 2의 회로로 대체한[0016]
것이다. 즉, 도 2의 노드 A가 도 1의 솔레노이드(SOL1,SOL2)의 상단에 접속되는 구성이다.
도 2에 도시한 회로에서, 전원으로서 레귤레이터의 정전압원(Vcc)을 사용하지 않고 배터리전원 VDD를 사용하므로[0017]
더 이상 레귤레이터 용량을 증가시켜야 하는 문제를 유발하지 않게 된다.
본 발명의 회로에서는 배터리전원(VDD)이 다이오드(D2)를 매개로 저항(R6)과 저항(R7)의 저항 병렬회로에 접속되[0018]
며 상기 저항 병렬회로의 다른 쪽 단자는 솔레노이드(SOL1,SOL2)의 상단에 접속된다. 또, 상기 배터리전원(VDD)
이 다이오드(D2)를 매개로 저항(R8)을 통하여 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트에 선형 플로우 제어용
전압신호(LFC_HMON)로서 입력된다. 또한, 저항(R6)과 저항(R7)의 저항 병렬회로와 솔레노이드(SOL1,SOL2) 사이
의 접점의 전압은 저항(R9)을 통하여 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트에 선형 플로우 제어용 전압신
호(LFC_LMON)로서 입력된다.
상기 저항(R8)과 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트 사이의 접점에는 제너다이오드(ZD2)와 저항(R10)이[0019]
병렬접속되어 있다. 상기 저항(R9)과 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트 사이의 접점에는 제너다이오드
(ZD3)와 저항(R11)이 병렬접속되어 있다. 여기서, 제너다이오드(ZD2,ZD3)는 역전류방지용이다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로에서는 저항을 측정하고[0020]
자 하는 솔레노이드(SOL1 또는 SOL2)에 직렬 접속된 전계효과 트랜지스터(FET1 또는 FET2)를 온(ON)시키면 배터
리전원(VDD)으로부터 저항 병렬회로(R6,R7)을 매개로 솔레노이드(SOL1 또는 SOL2)와 전계효과 트랜지스터(FET1
또는 FET2)로 이어지는 전류통로가 형성된다. 이때, 저항 병렬회로(R6,R7)의 상단 전압은 저항(R8)에 의하여 전
압 강하된 상태로 선형 플로우 제어용 전압신호(LFC_HMON)로서 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트에 입
력되고, 저항 병렬회로(R6,R7)의 하단 전압은 저항(R9)에 의하여 전압 강하된 상태로 선형 플로우 제어용 전압
신호(LFC_LMON)로서 제어장치(MCU)의 아날로그/디지털(AD) 포트에 입력된다. 이와 같이 입력되는 선형 플로우
제어용 전압신호(LFC_HMON)와 선형 플로우 제어용 전압신호(LFC_LMON)를 이용하여 저항 병렬회로(R6,R7)의 전압
차를 측정하여 해당 솔레노이드에 흐르는 전류를 알 수 있다.
또한, 하기 식에 의하여 솔레노이드 코일 저항(Rsol)을 측정하여 원하는 양의 전류를 제어할 수 있게 된다.[0021]
[0022]
따라서 상기한 본 발명에 따른 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로에서는 상대적으로 고가인 레[0023]
귤레이터를 채용하지 않고 전원전압으로서 기존의 배터리전원을 이용하고 소용량 제너다이오드 1개와 저항 3개
등을 추가하는 것으로 솔레노이드 코일 저항의 측정하여 솔레노이드 코일에 흐르는 전류량을 제어할 수 있게 된
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다.
한편, 본 발명은 상기한 특정 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 여[0024]
러 가지로 변형 및 수정하여 실시할 수 있는 것이다. 이러한 변형 및 수정이 첨부하는 특허청구범위에 포함되는
것이라면 본 발명에 속하는 것임은 자명할 것이다.
발명의 효과
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전원전압으로서 기존의 배터리전원을 이용함으로써 레귤레이터의 용[0025]
량 증가를 막을 수 있고 추가적인 큰 용량의 캐패시터 등의 부품을 제거할 수 있어 저가로 구성할 수 있게
된다.
도면의 간단한 설명
도 1은 종래 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로를 도시한 도면이다.[0001]
도 2는 본 발명에 따른 안티록 브레이크 시스템의 선형 플로우 제어용 회로를 도시한 도면이다.[0002]
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >[0003]
D1,D2 : 다이오드 FET : 전계 효과 트랜지스터[0004]
R1~R3 : 저항 SOL : 솔레노이드[0005]
TR : 트랜지스터 ZD : 제너 다이오드[0006]
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도면
도면1
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도면2
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